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所描述的实例包含一种设置用于感测包含一晶体管一电容器1T‑1C类型的铁电随机存取存储器FRAM单元的集成电路中的数据状态的参考电压的方法。在电气测试操作中，将部分或全部所述FRAM单元编程到特定极化状态(32)。在那个数据状态的一或多个最差...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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