制造薄膜晶体管的方法及其脱氢装置和包括该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备制造方法及图纸

提供了一种制造薄膜晶体管的方法、用于执行该方法的脱氢装置以及包括通过该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备。制造薄膜晶体管的方法包括：在用于执行非晶硅层的脱氢工艺的腔室中将氧含量从第一值降低至第二值，将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中，加热腔室内部以在非晶硅层上执行脱氢工艺，和使用激光通过结晶化非晶硅层形成多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
制造薄膜晶体管的方法及其脱氢装置和包括该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备相关申请的交叉引用本申请要求2016年6月2日在韩国专利局提交的韩国专利申请No.10-2016-0068618的优先权，本文中通过参考将其公开内容整体并入本文。
本公开涉及制造薄膜晶体管的方法、用于执行该方法的脱氢装置和包括通过该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备，更特别地，涉及改善了膜特性的制造薄膜晶体管的方法、用于执行该方法的脱氢装置以及包括通过该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备。
技术介绍
由于小的厚度和低的功耗，作为下一代显示设备的平板显示设备，诸如液晶显示设备、等离子体显示面板设备和有机发光显示设备已经逐步成为焦点。具体地，与液晶显示设备不同，有机发光显示设备是自发光显示设备且不需要单独的光源。由此，可将有机发光显示设备制造为轻质量和薄外形。而且，由于通过低电压驱动，因此有机发光二极管显示设备在功耗方面是有利的。而且，有机发光二极管显示设备具有高响应速度、宽视角和高对比度(CR)。因此，已经作为下一代显示设备研发了有机发光二极管显示设备。有机发光显示设备包括有机发光二极管(OLED)和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造多晶硅层的方法，所述方法包括：减少腔室中的至少一部分氧以将腔室中的氧含量从第一值改变为100ppm或更低的第二值；将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中；在腔室中对非晶硅层执行脱氢工艺；和结晶化非晶硅层以形成多晶硅层。

【技术特征摘要】
2016.06.02 KR 10-2016-00686181.一种制造多晶硅层的方法，所述方法包括：减少腔室中的至少一部分氧以将腔室中的氧含量从第一值改变为100ppm或更低的第二值；将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中；在腔室中对非晶硅层执行脱氢工艺；和结晶化非晶硅层以形成多晶硅层。2.如权利要求1所述的方法，其中在至少一部分的脱氢工艺期间，腔室中的氧含量被保持在100ppm或更低。3.如权利要求1所述的方法，其中减少腔室中的至少一部分氧包括：将氧含量控制气体注入到腔室中；和自腔室排放一部分氧与至少一部分被注入的氧含量控制气体。4.如权利要求3所述的方法，还包括在脱氢工艺期间将氧含量控制气体注入到腔室中。5.如权利要求4所述的方法，其中所述氧含量控制气体包括氮(N2)气或氩(Ar)气。6.如权利要求4所述的方法，其中在执行脱氢工艺之前以第一流速注入氧含量控制气体，其中在脱氢工艺期间以小于第一流速的第二流速注入氧含量控制气体。7.如权利要求3所述的方法，其中在腔室的第一端注入氧含量控制气体和在腔室的第二端排放一部分氧与至少一部分被注入的氧含量控制气体，其中被注入的氧含量控制气体自腔室的第一端向腔室的第二端在基板上方并跨过基板流动。8.如权利要求7所述的方法，其中腔室的第一端和第二端在与基板的表面平行且高于基板的表面的平面中彼此对应。9.如权利要求1所述的方法，其中减少腔室中的至少一部分氧包括降低腔室中的气体压力。10.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李诚洙，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR