发光二极管封装结构制造技术

技术编号:16758987 阅读:60 留言:0更新日期:2017-12-09 03:58
本发明专利技术公开了一种发光二极管封装结构,其透镜包括呈方形的底层、一体相连于底层的第一导光区块、及自第一导光区块渐缩地延伸所形成的第二导光区块。第二导光区块具有远离第一导光区块的一顶点,透镜的表面具有相连于顶点的四个侧曲面及四个边界曲面,四个所述边界曲面朝底层正投影而形成有坐落于底层的两条对角在线的四个第一投影区域,任两个边界曲面间设置有一个所述侧曲面。每个边界曲面具有第一曲率半径(R1),每个第二导光区块上的侧曲面部位具有第二曲率半径(R2),并且R1/R2=M√2,M=0.8~1.2。由此,提供一种有别于以往构造的发光二极管封装结构,由此有效地提升发光二极管封装结构的有效固晶区域及取光效率。

Light emitting diode packaging structure

The invention discloses a light-emitting diode packaging structure, and the lens includes a square bottom layer, a first light guide block connected to the bottom layer, and a second light guide block formed from the first light guide block extending gradually. The second light guide block has a vertex from the first light guide block, the lens surface has four side surfaces connected to the vertex and four boundary surfaces, four of the boundary surface towards the bottom is formed with two diagonal projection line four first projection area is located on the bottom of the two, Ren the boundary surface is arranged between one of the side surfaces. The boundary surfaces each having a first curvature radius (R1), each of the second light guide block on the side of the curved surface with second radius of curvature (R2), and R1/R2 = M * 2, M = 0.8 ~ 1.2. Thus, a light-emitting diode packaging structure which is different from the previous structure is provided, thereby effectively enhancing the effective crystal area and the light taking efficiency of the LED package structure.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术涉及一种发光二极管,且还涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
现有发光二极管封装结构的透镜所具备的外曲面大都是建构在相同的曲率中心,例如:半球状透镜、周边被削除的半球状透镜、或是椭圆状透镜。然而,现有发光二极管封装结构的透镜已被局限在上述既定的外型上,使得现有的发光二极管封装结构难以通过透镜的构造设计在有效固晶区下提升取光效率。于是,本专利技术人认为上述缺陷可改善,潜心研究并配合学理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种发光二极管封装结构,能有效地改善现有发光二极管封装结构的问题。本专利技术实施例公开一种发光二极管封装结构,包括:一基板,呈方形并具有位于相反两侧的一第一表面与一第二表面,所述第一表面具有四个边长、四个角、及两条对角线;一金属层,设置于所述基板的所述第一表面上;至少一发光二极管芯片,安装于所述金属层上;以及一透镜,设置于所述基板的所述第一表面上,并且所述金属层及至少一所述发光二极管芯片埋置于所述透镜内;其中,所述透镜包含:一底层,位于所述基板的所述第一表面上;一第一导光区块,一体相连于所述底层;及一第二导光区块,自所述第一导光区块朝远离所述基板的方向渐缩地延伸所形成,并且所述第二导光区块形成有远离所述第一导光区块的一顶点;其中,所述透镜的表面具有相连于所述顶点的四个侧曲面及四个边界曲面,四个所述边界曲面朝所述第一表面正投影而形成有四个第一投影区域,四个所述第一投影区域坐落于所述第一表面的所述两条对角在线,并且任两个所述边界曲面间设置有一个所述侧曲面;其中,每个所述边界曲面具有一第一曲率半径并定义为R1,每个所述第二导光区块上的所述侧曲面部位具有一第二曲率半径并定义为R2,并且R1/R2=M√2,M=0.8~1.2。优选地,所述透镜定义有一中心轴,并且所述透镜对称于所述中心轴,而所述顶点位于所述中心轴上,所述第一导光区块对应于所述中心轴的高度小于所述第二导光区块对应于所述中心轴的高度。优选地,所述第一曲率半径为任一所述第一投影区域对应于所述对角线的长度。优选地,所述第二曲率半径为每个所述第二导光区块上的所述侧曲面部位对应于所述中心轴的高度。优选地,每个所述边界曲面的曲率中心以及每个所述第二导光区块上的所述侧曲面的曲率中心皆位在所述中心轴上;所述第一导光区块的高度为所述第一曲率半径减去所述第二曲率半径所得到的差值。优选地,所述第一导光区块的外表面具有一预设边界,并且所述预设边界朝所述第一表面正投影所形成的位置,其与相邻所述边长的最短距离定义为Z,且Z为0.05毫米~0.1毫米,任一所述边长的长度定义为W,所述第二曲率半径符合下列关系式:优选地,每个所述边界曲面的曲率半径自所述边界曲面的中央朝相反两侧递减,并且每个所述边界曲面的曲率半径最大值为所述第一曲率半径;每个所述侧曲面的曲率半径自所述侧曲面的中央朝相反两侧递增,并且每个所述第二导光区块上的所述侧曲面的曲率半径最小值为所述第二曲率半径。优选地,每个所述侧曲面具有相连于所述底层且位于第一导光区块的一底边界曲面,每个所述底边界曲面呈圆弧状,并且任一所述底边界曲面的曲率半径大于任一边长。优选地,任一所述底边界曲面的曲率中心位在相邻所述边长的中垂在线。优选地,四个所述底边界去面的曲率中心与所述中心轴的距离皆相等。综上所述,本专利技术实施例所公开的发光二极管封装结构,通过在透镜表面形成具备不同曲率半径的边界曲面R1及第二导光区块上的侧曲面R2,并且上述边界曲面与第二导光区块上的侧曲面的曲率半径符合特定关系式(R1/R2=M√2,M=0.8~1.2),由此有效地提升发光二极管封装结构的有效固晶区域及取光效率。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,但是此等说明与所附附图仅用来说明本专利技术,而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术发光二极管封装结构第一实施例的立体示意图。图2为图1另一视角的立体示意图。图3为图1的分解示意图。图4A为图1的透镜的第一导光区块与第二导光区块正投影于基板第一表面(或透镜底层)的示意图。图4B为图1的上视示意图,示意第一导光区块的底边界曲面及其曲率半径R3。图5为图1的边长视角的侧视图。图6为图1的对角线视角的侧视图。图7为本专利技术发光二极管封装结构第二实施例的立体示意图。图8为图7另一视角的立体示意图。图9为图7的分解示意图。图10A为图7的透镜正投影于基板第一表面的示意图。图10B为图7的边长视角的侧视图。图10C为图7的对角线视角的侧视图。图11为本专利技术发光二极管封装结构第三实施例的立体示意图。图12为图11另一视角的立体示意图。图13为图11的分解示意图。图14A为图11的透镜正投影于基板第一表面的示意图。图14B为图11的对角线视角的侧视图。图14C为图11的对角线视角的侧视图。具体实施方式请参阅图1至图14,为本专利技术的实施例,需先说明的是,本实施例对应附图所提及的相关数量与外型,仅用来具体地说明本专利技术的实施方式,以便于了解本专利技术的内容,而非用来局限本专利技术的保护范围。如图1至图3,本实施例公开一种发光二极管封装结构100,尤指适用于芯片级封装(CSP)的发光二极管封装结构100,但不以此为限。所述发光二极管封装结构100包括有大致呈方形的一基板1、设置于所述基板1相反两侧的一金属层2与一焊垫层3、埋置于所述基板1内的多个导电柱4、位于所述金属层2上的至少一发光二极管芯片5、及一透镜6。所述基板1具有位于相反两侧的一第一表面11与一第二表面12,并且所述第一表面11具有四个边长111、四个角112、及两条对角线113。所述金属层2位于基板1的第一表面11上,并且上述金属层13具有大致位于第一表面11中央处的一散热垫21以及分别位于散热垫21两侧的一正电极垫22与一负电极垫23。所述焊垫层3设置于基板1的第二表面12,并且焊垫层3具有大致位于第二表面12中央处的一散热焊垫31以及分别位于散热焊垫31两侧的正电极焊垫32和负电极焊垫33。上述散热焊垫31位在散热垫21的下方,而该正电极焊垫32和负电极焊垫33则分别位在上述正电极垫22与负电极垫23的下方。再者,多个所述导电柱4的一端分别连接于上述散热垫21、正电极垫22、与负电极垫23,并且多个所述导电柱4的另一端分别连接于上述散热焊垫31与该正电极焊垫32和负电极焊垫33。所述发光二极管芯片5安装于金属层2的散热垫21上,并且发光二极管芯片5的两个电极垫(图中未标示)以打线方式分别电性连接于金属层2的正电极垫22与负电极垫23,但不以此为限。在另一未绘示的实施例中,所述金属层2可省略散热垫21,所述发光二极管芯片5直接设置于基板1的第一表面11,而正电极垫22与负电极垫23分别设置于发光二极管芯片5的两侧,并且发光二极管芯片5的两个电极垫通过打线方式分别电性连接于所述正电极垫22与负电极垫23。请参阅图3至图6,所述透镜6设置于基板1的第一表面11上,并且所述金属层2及发光二极管芯片5埋置于透镜6内。所述透镜6定义有一中心轴C,并且所述透镜6对称于中心轴C。其中,所述透镜6于本实施例中为一体成型的构造并包括有一底层61、一体相连于所述本文档来自技高网
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发光二极管封装结构

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一基板,呈方形并具有位于相反两侧的一第一表面与一第二表面,所述第一表面具有四个边长、四个角、及两条对角线;一金属层,设置于所述基板的所述第一表面上;至少一发光二极管芯片,安装于所述金属层上;以及一透镜,设置于所述基板的所述第一表面上,并且所述金属层及至少一所述发光二极管芯片埋置于所述透镜内;其中,所述透镜包含:一底层,位于所述基板的所述第一表面上;一第一导光区块,一体相连于所述底层;及一第二导光区块,自所述第一导光区块朝远离所述基板的方向渐缩地延伸所形成,并且所述第二导光区块形成有远离所述第一导光区块的一顶点;其中,所述透镜的表面具有相连于所述顶点的四个侧曲面及四个边界曲面,四个所述边界曲面朝所述第一表面正投影而形成有四个第一投影区域,四个所述第一投影区域坐落于所述第一表面的所述两条对角在线,并且任两个所述边界曲面间设置有一个所述侧曲面;其中,每个所述边界曲面具有一第一曲率半径并定义为R1,每个所述第二导光区块上的所述侧曲面部位具有一第二曲率半径并定义为R2,并且R1/R2=M√2,M=0.8~1.2。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一基板,呈方形并具有位于相反两侧的一第一表面与一第二表面,所述第一表面具有四个边长、四个角、及两条对角线;一金属层,设置于所述基板的所述第一表面上;至少一发光二极管芯片,安装于所述金属层上;以及一透镜,设置于所述基板的所述第一表面上,并且所述金属层及至少一所述发光二极管芯片埋置于所述透镜内;其中,所述透镜包含:一底层,位于所述基板的所述第一表面上;一第一导光区块,一体相连于所述底层;及一第二导光区块,自所述第一导光区块朝远离所述基板的方向渐缩地延伸所形成,并且所述第二导光区块形成有远离所述第一导光区块的一顶点;其中,所述透镜的表面具有相连于所述顶点的四个侧曲面及四个边界曲面,四个所述边界曲面朝所述第一表面正投影而形成有四个第一投影区域,四个所述第一投影区域坐落于所述第一表面的所述两条对角在线,并且任两个所述边界曲面间设置有一个所述侧曲面;其中,每个所述边界曲面具有一第一曲率半径并定义为R1,每个所述第二导光区块上的所述侧曲面部位具有一第二曲率半径并定义为R2,并且R1/R2=M√2,M=0.8~1.2。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述透镜定义有一中心轴,并且所述透镜对称于所述中心轴,而所述顶点位于所述中心轴上,所述第一导光区块对应于所述中心轴的高度小于所述第二导光区块对应于所述中心轴的高度。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一曲率半径为任一所述第一投影区域对应于所述对角线的长度。4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二曲率半径为每个所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱国铭张育誉彭瀚兴李恒毅颜世强
申请(专利权)人:光宝光电常州有限公司光宝科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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