三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板及制作方法技术方案
【技术实现步骤摘要】
三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板及制作方法
本专利技术涉及微电子封装领域，更具体的涉及一种面向三维系统级封装应用的新型内嵌扇出型硅转接板结构及制作方法。
技术介绍
随着集成电路制造业的快速发展，芯片尺寸向密度更高，速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展，传统的扇入型晶圆级封装已不能满足互连的要求，然而扇出型圆片级封装由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，因此扇出型圆片级封装(FOWLP)应运而生，其最适合高要求的移动或无线市场，并进一步促进了高性能、小尺寸市场的发展。2004年英飞凌专利技术扇出型圆片级封装(FOWLP)专利，并于2008年提出晶圆级扇出eWLB封装技术，标准的eWLB工艺流程如下：首先在一个载片上贴膜，然后把芯片焊盘面朝下放置于膜上；使用圆片级注塑工艺，将芯片埋入到模塑料中；固化模塑料，移除载片；之后对埋有芯片的模塑料圆片进行晶圆级工艺；在芯片焊盘暴露的一侧进行钝化、金属再布线、制备凸点底部金属层，植球，最后切片完成封装。与此同时，国际上关于Fan-Out圆片级封装的其他封装新技术如雨后春笋般出现，如台积电基于DieUp结构提出的整合扇出...
【技术保护点】
一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：包括硅基板，所述硅基板正面设有侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设有延伸至所述凹腔底部的垂直互联结构，所述垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；所述硅基板的正面以及所述凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；所述硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，所述第一金属互联层与第二金属互联层分别与所述硅基板绝缘设置，所述导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。
【技术特征摘要】
1.一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：包括硅基板，所述硅基板正面设有侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设有延伸至所述凹腔底部的垂直互联结构，所述垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；所述硅基板的正面以及所述凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；所述硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，所述第一金属互联层与第二金属互联层分别与所述硅基板绝缘设置，所述导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。2.根据权利要求1所述的三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：所述硅基板是电阻率≤0.1Ω·cm的低阻硅材料，所述硅基板背面设有延伸至所述凹腔底部并相互独立的若干环形槽，所述环形槽内填充绝缘材料，所述环形槽内圈之内的硅柱形成所述导电柱，所述硅柱的上下端分别与所述第一金属互联层和第二金属互联层形成欧姆接触。3.根据权利要求2所述的三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：所述绝缘材料是二氧化硅、玻璃浆料、聚丙烯或聚对二甲苯等一种。4.根据权利要求1所述的三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：所述硅基板是电阻率≥1000Ω·cm的高阻硅材料，所述硅基板背面设有延伸至所述凹腔底部并相互独立的若干通孔，所述通孔完全填充或非完全填充导电材料形成所述导电柱，所述导电柱的上下端分别与所述第一金属互联层和第二金属互联层电性连接。5.根据权利要求4所述的三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：所述通孔内由外到内依次设置绝缘层、扩散阻挡层和金属导电层，所述扩散阻挡层和金属导电层形成所述导电柱，所述扩散阻挡层是Ta、TaN、TiW的至少一种，所述导电金属层是Cu、Al、Au、W的至少一种。6.根据权利要求1所述的三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板，其特征在于：所述硅基板的正、背面和所述凹腔表面设有绝缘层，所述第一金属互联层和第二金属互联层设于所述绝缘层之上，所述绝缘层于所述导电柱两端面开口以实现所述第一金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：马盛林，蔡涵，李继伟，罗荣峰，颜俊，龚丹，夏雁鸣，秦利锋，王玮，陈兢，金玉丰，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建,35
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