电路基板及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路基板及半导体装置
实施方式涉及电路基板及半导体装置。
技术介绍
近年来，伴随着产业设备的高性能化，其中搭载的功率模块的高输出化取得进展。伴随于此，半导体元件的高输出化取得进展。半导体元件的工作保证温度为125℃～150℃，但今后有上升至175℃以上的可能性。伴随着半导体元件的工作保证温度的上升，对陶瓷金属电路基板要求高的TCT特性。所谓TCT是热循环试验。TCT是将按照低温→室温→高温→室温的顺序使温度发生变化的工序作为1个循环来实施，并测定陶瓷金属电路基板的耐久性的方法。以往的陶瓷金属电路基板具备陶瓷基板和金属板。金属板介由使用钎料而形成的接合层与陶瓷基板接合。接合层具有按照从陶瓷基板与金属板之间伸出的方式在陶瓷基板上延伸的伸出部。上述陶瓷金属电路基板具有相对于5000个循环的TCT的高的耐久性。通过减少伸出部的空隙，能够改善TCT特性。然而，当工作保证温度为175℃以上时，仅仅消除伸出部的空隙对于TCT特性的提高有限。表示功率模块的性能的功率密度通过下面的式子求出。功率密度＝(额定电流×额定电压×模块上搭载的半导体元件的数目)/模块的体积功率密度可以通过例如增加模块上搭载的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路基板，其具备：具有第1面和第2面的陶瓷基板、介由第1接合层与所述第1面接合的第1金属板、和介由第2接合层与所述第2面接合的第2金属板，所述第1接合层具有按照从所述第1面与所述第1金属板之间伸出的方式在所述第1面上延伸的第1伸出部，所述第2接合层具有按照从所述第2面与所述第2金属板之间伸出的方式在所述第2面上延伸的第2伸出部，所述陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上，所述第1伸出部的伸出长度L1相对于所述第1伸出部的厚度H1的比L1/H1、及所述第2伸出部的伸出长度L2相对于所述第2伸出部的厚度H2的比L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下，所述L1、L2、H1、H2的单位为...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1899901.一种电路基板，其具备：具有第1面和第2面的陶瓷基板、介由第1接合层与所述第1面接合的第1金属板、和介由第2接合层与所述第2面接合的第2金属板，所述第1接合层具有按照从所述第1面与所述第1金属板之间伸出的方式在所述第1面上延伸的第1伸出部，所述第2接合层具有按照从所述第2面与所述第2金属板之间伸出的方式在所述第2面上延伸的第2伸出部，所述陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上，所述第1伸出部的伸出长度L1相对于所述第1伸出部的厚度H1的比L1/H1、及所述第2伸出部的伸出长度L2相对于所述第2伸出部的厚度H2的比L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下，所述L1、L2、H1、H2的单位为μm，所述第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值、及所述第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述第1维氏硬度的平均值及所述第2维氏硬度的平均值中的至少一者为90以上且230以下。3.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第1维氏硬度的平均值及所述第2维氏硬度的平均值中的至少一者为100以上且170以下。4.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述比L1/H1及所述比L2/H2中的至少一者为1.0以上且2.0以下。5.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述陶瓷基板为氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：那波隆之，加藤宽正，梅原政司，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP