The invention relates to a method of making a Schottky diode device with the aid of a printing technique. The method involves: semiconductor nanoparticles powder (HND) application and deposition (100) on the first electrode (E1) on the steps of the first electrode (E1) arranged on the substrate (S); the deposition of semiconductor nanoparticles powder (HND) after laser irradiation (L) (200) to form a bottom and circular cone tip (C1, C2), wherein, the bottom of the cone with the first electrode (E1); micro cone formation (C1, C2) (300) embedded in insulating polymer matrix (P); and (500) applied to the second electrode (E2) to make a cone (C1, C2) according to the second electrode tip (E2).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法
本专利技术涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。
技术介绍
对于许多电子应用,易于生产的电路是令人期望的。生产成本至关重要。用于制造这种电路的现有技术已经使得能够生产许多不同的结构。因此,例如,能够在薄膜有机和无机大面积电子(TOLAE)技术的帮助下生产电路,但这些结构就其高频性能而言通常不足,因而通常不能在高频下进行使用。例如,这是由于需要使工艺温度保持相对较低,例如,以便获得机械上衬底,并且因此与具有高结晶度的经典半导体衬底或者材料相比,该半导体薄膜的结构/电子质量较差。尤其,迄今为止,具有与典型二极管特性相对应的超过20MHz的高频性能的薄膜肖特基二极管的合算生产仍极其困难。
技术实现思路
鉴于上述情况,本专利技术为解决上述问题而提供一种制作具有肖特基二极管器件的方法,其使得能够按照合算方式制作具有对应高频性能的器件。该问题是由根据权利要求1的方法来解决。其它有利实施例具体地是从属权利要求的主题。此外,该问题也是由根据权利要求3的器件来解决,该器件是由所述方法所制作的。附图说明下面将参照附图对本专利技术进行解释:图1示出了根据本专利技术的实施例的样本器件的示意截面图;图2示出了与图1的示意截面图相对应的一种可实现的等效电路;图3示出了与根据本专利技术的实施例的微圆锥体(mu-cone)相对应的一种可实现的等效电路;图4示出了根据本专利技术实施例不同工作步骤的一个样品概览。下文参照特定附图标记,这些附图标记通常意在等同地应用至所有图示,除非另外指明。此外,在附图中使用影线标记或者其它图解法时,除非另 ...
【技术保护点】
借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步,将半导体纳米颗粒粉体(HND)沉积(100)在第一电极(E1)上,所述第一电极(E1)设置在衬底(S)上,第二步,使用激光(L)对沉积的所述半导体纳米颗粒粉体(HND)照射(200)形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体(C1、C2),其中,所述圆锥体的底部与所述第一电极(E1)结合连接,第三步,将形成的所述圆锥体(C1、C2)嵌入(300)在电绝缘聚合物基体(P)中,第四步,施加(500)第二电极(E2)与所述圆锥体(C1、C2)的圆弧尖端结合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.23 DE DE102015205230.31.借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步,将半导体纳米颗粒粉体(HND)沉积(100)在第一电极(E1)上,所述第一电极(E1)设置在衬底(S)上,第二步,使用激光(L)对沉积的所述半导体纳米颗粒粉体(HND)照射(200)形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体(C1、C2),其中,所述圆锥体的底部与所述第一电极(E1)结合连接,第三步,将形成的所述圆锥体(C1、C2)嵌入(300)在电绝缘聚合物基体(P)中,第四步,施加(500)第二电极(E2)与所述圆锥体(C1、C2)的圆弧尖端结合。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在所述施加(500)第二电极(E2)之前,首先采用控制蚀刻(400)的方法将所述圆锥体(C1、C2)的圆弧尖端暴露出来。3.一种含有肖特基二极管的器件,其特征在于,所述器件包括:至少一个具有底部和圆弧尖端的圆锥体(C1;C2),所述圆锥体(C1;C...
【专利技术属性】
技术研发人员:尼尔斯·贝森,罗兰·斯切尔,马克·霍夫曼,托马斯·卡西尔,丹尼尔·尔尼,
申请(专利权)人:杜伊斯堡埃森大学,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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