粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板制造技术

提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明专利技术的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。

Rough treatment of copper foil, carrier copper foil, copper clad laminate and printed circuit board

The invention provides a rough copper foil which can give the laminated body the surface profile which is not only coated with the circuit, but also has good etch and electroless copper plating resolution as well as excellent resolution of the dry film when used for the SAP method. Treatment with roughened copper foil as surface roughening of copper foil on at least one side roughness of the invention, a plurality of protrusions approximately spherical roughening preparation formed by copper particles, the average height of approximately spherical bulges is 2.60 m, and approximately spherical projection average maximum diameter of bave relative to the average neck approximately spherical protrusions the diameter ratio of AAVE bave/aave for more than 1.2.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
本专利技术涉及粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。
技术介绍
近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用SAP(半加成，semi-additiveprocess)法。SAP法是极其适于形成微细的电路的方法，作为其一个例子，使用带载体粗糙化处理铜箔而进行。例如，如图1及2所示，使用预浸料12和底漆层13，将具备粗糙化表面的极薄铜箔10、与在基底基材11a具备下层电路11b而成的绝缘树脂基板11上面压接而使其密合(工序(a))；剥离载体箔(未图示)后，根据需要通过激光穿孔形成导通孔14(工序(b))。接着，通过蚀刻去除极薄铜箔，从而使赋予了粗糙化表面轮廓的底漆层13露出(工序(c))。对该粗糙化表面施加了化学镀铜15(工序(d))后，通过使用了干膜16的曝光及显影以规定的图案进行掩蔽(工序(e))，施加电镀铜17(工序(f))。将干膜16去除而形成布线部分17a(工序(g))后，通过蚀刻将相邻的布线部分17a、17a间的不需要的化学镀铜15去除(工序(h))，从而得到以规定的图案形成的布线18。对于这样使用了粗糙化处理铜箔的SAP法，粗糙化处理铜箔自身在激光穿孔后通过蚀刻而被去除(工序(c))。而且，由于粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的凹凸形状被转印到去除了粗糙化处理铜箔的层叠体表面，因此在其后的工序中，能够确保绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)与镀覆电路(例如布线18)的密合性。需要说明的是，也广泛采用不进行与工序(c)相当的铜箔去除工序的MSAP(模拟半加成，modified·semi-additiveprocess)法，但由于必需在显影后的蚀刻工序(相当于工序(h))中通过蚀刻将铜箔层和化学镀铜层这2层去除，因此与仅通过化学镀铜层1层的蚀刻去除而完成的SAP法相比，必需进行更深的蚀刻。因此，必需考虑到更多的蚀刻量而使电路间隔缩小一些，因此可以说MSAP法在微细电路形成性方面比SAP法差了一些。即，对于更微细的电路形成的目的，SAP法更有利。另一方面，已知有控制了粗糙化颗粒形状的带载体粗糙化处理铜箔。例如，专利文献1(日本特开2013-199082号公报)中公开了一种带载体铜箔，其特征在于，在极薄铜层表面具有颗粒长度的10％的位置的颗粒根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm、且颗粒长度L1与颗粒根部的平均直径D1的比L1/D1为15以下的粗糙化处理层。该专利文献1中，优选的是，在极薄铜层表面，颗粒长度的50％的位置的颗粒中央的平均直径D2与颗粒根部的平均直径D1的比D2/D1为1～4，并且颗粒中央的平均直径D2与颗粒长度的90％的位置的颗粒前端D3的比D2/D3为0.8～1.0。另外，专利文献1的实施例中公开了粗糙化颗粒的长度为2.68μm以上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-199082号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如前所述，对于使用了粗糙化处理铜箔的SAP法，粗糙化处理铜箔自身在激光穿孔后通过蚀刻而被去除(工序(c))。而且，由于粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的凹凸形状被转印到去除了粗糙化处理铜箔的层叠体表面，因此在其后的工序中，能够确保绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)与镀覆电路(例如布线18)的密合性。但是，由于适于提高与镀覆电路的密合性的表面轮廓有大致变为粗糙的凹凸的倾向，因此在工序(h)中对化学镀铜的蚀刻性容易降低。即，为了使化学镀铜的陷入粗糙的凹凸的成分、残留铜消失，需要更多的蚀刻。本专利技术人等此次得到如下见解：通过在具有具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起的粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔中，使大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且使大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上，能够提供在用于SAP法时，能对层叠体赋予不仅优异的镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，通过使用上述粗糙化处理铜箔，从而在SAP法中的干膜显影工序中，能够实现极其微细的干膜分辨率。因此，本专利技术的目的在于，提供一种在用于SAP法时，能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，本专利技术的又一目的在于，提供具备这样的粗糙化处理铜箔的带载体铜箔。根据本专利技术的一个实施方式，提供一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，前述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，前述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且前述大致球状突起的平均最大直径bave相对于前述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种带载体铜箔，其具备：载体箔；设置于该载体箔上的剥离层；以及上述实施方式的粗糙化处理铜箔，其在该剥离层上以前述粗糙化处理面作为外侧的方式设置。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种覆铜层叠板，其是使用上述实施方式的粗糙化处理铜箔或上述实施方式的带载体铜箔而得到的。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种印刷电路板，其是使用上述实施方式的粗糙化处理铜箔或上述实施方式的带载体铜箔而得到的。附图说明图1是用于说明SAP法的工序流程图，为示出前半工序(工序(a)～(d))的图。图2是用于说明SAP法的工序流程图，为示出后半工序(工序(e)～(h))的图。图3为示出本专利技术的粗糙化处理铜箔中的大致球状颗粒的示意截面图。图4A为具有包含高倾斜大致球状颗粒的波纹的表面的粗糙化处理铜箔的示意截面图。图4B为图4A中用框包围的部分的放大截面图，为用于说明高倾斜大致球状颗粒的定义的图。图5为示出在SAP法中良好地进行分辨的干膜图案的一个例子的照片。图6为示出在SAP法未良好地进行分辨的干膜图案的一个例子的照片。具体实施方式定义以下示出为了限定本专利技术而使用的用语或参数的定义。本说明书中，“大致球状突起”是指具有带有大致球状的圆的大概形状的突起，与针状、柱状、细长的形状等各向异性的形状的突起或颗粒区别开。如图32示意性地所示，由于大致球状突起32由通过与铜箔表面30连结的沙漏状的根部部分34与铜箔表面30连结，因此不能形成完全的球体，但除根部部分32以外的部分为大致球状即可。因此，对于大致球状突起，只要保持为带有大致球状的圆的大致形状，就允许一些凹凸、变形等的存在。需要说明的是，也可以将上述突起简称为球状突起，如上所述，由于不能形成完全的球体，因此应当理解为上述的大致球状突起的意思。本说明书中，如图3示意性地所示，“大致球状突起的颈部直径a”是指在大致球状突起32中与铜箔表面30连结的沙漏状的根部部分34的直径，即，相向的沙漏之间的最短距离的意思。另外，“大致球状突起的平均颈部直径aave”是指：用树脂制作粗糙化处理铜箔的具备大致球状突起的表面轮廓的重复形状并在所得树脂制重复的表面(例如435μm2的区域)测定的、N个大致球状突起的颈部直径a1、a2、···、aN的平均值(即(a1+a2+···+aN)/N的值)。关于树脂制重复的制作，根据本说明书的实施例中记载的各条件进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，所述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且所述大致球状突起的平均最大直径bave相对于所述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0733561.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，所述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且所述大致球状突起的平均最大直径bave相对于所述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述比bave/aave为5.0以下。3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述比bave/aave为1.3～2.0。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均最大直径bave为2.5μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，b/a为1.2以上的大致球状突起在存在于所述粗糙化处理面的大致球状突起中所占的比率为60％以上，所述b/a是所述大致球状突起的最大直径b相对于大致球状突起的颈部直径a的比。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均根部间隔距离为0.1～0.3μm。7.根据权利要求1～6中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起以1～10个/μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭田浩人，松田光由，吉川和广，河合信之，加藤翼，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP