薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板技术

技术编号:16702500 阅读:141 留言:0更新日期:2017-12-02 15:27
本公开是关于一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板,该方法包括:衬底基板;设于所述衬底基板上的栅极金属层;设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层;设于所述栅极绝缘层上的有源层图案;设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案;以及分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案;其中,所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。本公开可以避免由于电荷聚集而导致薄膜晶体管烧毁的问题,同时也可以避免由于驼峰效应造成的不良影响。

Thin film transistors and their manufacturing methods, array substrates and display panels

Disclosed is a film transistor and its manufacturing method, array substrate and display panel, the method includes: a substrate; a gate metal layer disposed on the substrate on the substrate; a gate is arranged on the gate metal layer on the insulating layer; an active layer disposed on the gate insulation pattern layer is arranged on the active; layer pattern etching barrier layer pattern; and respectively arranged on the active layer pattern and etching and the barrier layer pattern contact the source metal pattern and drain metal pattern; wherein, the oblique projection is orthographic projection and the source of the etch stop layer pattern on the substrate and the metal substrate a pattern on the substrate. This disclosure can avoid the problem of the destruction of thin film transistors due to charge aggregation, and can also avoid the adverse effects caused by the hump effect.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板
本公开涉及显示
,具体而言,涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法、阵列基板和显示面板。
技术介绍
随着信息技术的发展,人机交互过程越来越多地应用在不同的场景中。显示装置作为人机交互过程中获取信息的重要部件之一,与其相关的技术得到了快速的发展。在显示
中,薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)技术由原来的a-Si薄膜晶体管(非晶硅TFT)发展到目前得到广泛应用的氧化物薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管可以采用掺杂金属氧化物作为有源层,具有迁移率大(可以达到a-Si薄膜晶体管迁移率的10倍以上)、开关性能优异、均匀性较好等特点,可以用于需要快速响应和较大电流的应用,例如,高频、高分辨率、大尺寸的显示装置以及有机发光显示装置等。作为氧化物薄膜晶体管的设计构思之一,SWC薄膜晶体管(SidewingcontactTFT,边翼接触TFT)由于在工艺上优势,已经得到了各大晶体管制造厂商及研究机构的重视。然而,SWC薄膜晶体管可能存在较大的热集中效应而导致薄膜晶体管烧毁的问题,另外,SWC薄膜晶体管还可能产生驼峰效应(Hump本文档来自技高网...
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板

【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底基板;设于所述衬底基板上的栅极金属层;设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层;设于所述栅极绝缘层上的有源层图案;设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案;以及分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案;其中,所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底基板;设于所述衬底基板上的栅极金属层;设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层;设于所述栅极绝缘层上的有源层图案;设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案;以及分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案;其中,所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层图案分别与所述源极金属图案和所述漏极金属图案形成边翼接触。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层图案的材料为掺杂金属氧化物。4.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管。5.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求4所述的阵列基板。6.一种薄膜晶体管制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成栅极金属层;在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成有源层;在所述有源层上形成刻蚀阻挡层图...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘珠林王孝林汪锐
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司重庆京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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