半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：多个第一导体部10、多个第二导体部20、以及覆盖所述第一导体部10以及所述第二导体部20的上方面的封装部50。其中，所述第一导体部10与所述第二导体部20连接。再将所述第一导体部10的第一端子11作为电源端子利用的情况下则所述第二导体部20的第二端子21成为输出端子，在将所述第二端子21作为电源端子利用的情况下则所述第一端子11成为输出端子，从而能够选择所述第一端子11以及所述第二端子21的利用形态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，在被用于汽车等的交通工具中的逆变器电路和继电器电路中所使用的半导体装置已被普遍认知。在专利第5067679号中，公开了一种具有电源端子、输出端子、以及接地端子的半导体装置。正如专利第5067679号中所公开般的，在以往已存在的半导体装置中，预先规定的端子作为电源端子发挥功能，别的端子则作为输出端子发挥功能。因此，由于是预先规定的端子作为电源端子发挥功能，而别的端子则作为输出端子发挥功能，因此就无法对此适宜地来进行变更。本专利技术鉴于以上观点，以提供一种能够适宜地选择作为电源端子发挥功能的端子，与作为输出端子发挥功能的端子的半导体装置为目的。
技术实现思路
本专利技术所涉及的半导体装置，其特征在于，包括：多个第一导体部，具有：第一端子、与所述第一端子成为一体的第一本体部、以及被设置在所述第一本体部上的第一电子元件；多个第二导体部，具有：第二端子、与所述第二端子成为一体的第二本体部、以及被设置在所述第二本体部上的第二电子元件；以及封装部，覆盖所述第一导体部以及所述第二导体部的上方面，其中，所述第一导体部与所述第二导体部相连接，通过改变所述第一导体部与所述第二导体部的连接形态，从而能够选择所述第一端子以及所述第二端子的利用形态，使将所述第一端子作为电源端子利用时所述第二端子成为输出端子，将所述第二端子作为电源端子利用时所述第一端子成为输出端子。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：所述第一导体部以及所述第二导体部的背面从所述封装部中露出。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：所述第一本体部以及所述第二本体部从背面一侧看时呈略L字形。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：从背面一侧看时多个所述第一本体部各自呈相同形状，并且从背面一侧看时多个所述第二本体部各自呈相同形状。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：从背面一侧看时，所述第一本体部从所述封装部中露出的部分的面积，与所述第二本体部从所述封装部中露出的部分的面积略相同。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：所述第一电子元件与所述第二本体部通过连接件连接，或是，所述第二电子元件与所述第一本体部通过连接件连接。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：多个所述连接件为同一长度。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：进一步包括：第三导体部，具有：第三端子、以及与所述第三端子成为一体的第三本体部，所述第三导体部与所述第一电子元件或所述第二电子元件直接连接。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：所述第三端子为接地端子。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：所述第一端子以及所述第二端子朝表面一侧弯曲，所述第一本体部、所述第二本体部、所述第一端子未弯曲的部分以及所述第二端子未弯曲的部分在背面一侧处在同一平面上。在本专利技术所涉及的半导体装置中，可以是：从表面一侧看时多个所述第一电子元件以及多个所述第二电子元件被均等地排列。专利技术效果根据本专利技术，能够通过改变第一导体部与第二导体部的连接形态，来选择第一端子以及第二端子的利用形态，从而使将第一端子作为电源端子利用时第二端子成为输出端子，将第二端子作为电源端子利用时第一端子成为输出端子。因此，就能够适宜地选择作为电源端子发挥功能的端子，与作为输出端子发挥功能的端子。简单附图说明图1是从表面一侧看本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置时的斜视图。图2是从背面一侧看本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置时的斜视图。图3是展示本专利技术的实施方式的第一形态所涉及的半导体装置中连接形态的上方平面图。图4是展示本专利技术的实施方式的第二形态所涉及的半导体装置中连接形态的上方平面图。图5是本专利技术的实施方式的第一形态所涉及的半导体装置中的电路图。图6是本专利技术的实施方式的第二形态所涉及的半导体装置中的电路图。图7是展示本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置的背面的下方平面图。图8是展示本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置被载置于框体的凹部的形态的侧方截面图。图9是展示本专利技术的实施方式的第一形态的变形例(使用了连接件的形态)所涉及的半导体装置中连接形态的上方平面。图10是展示本专利技术的实施方式的第二形态的变形例(使用了连接件的形态)所涉及的半导体装置中连接形态的上方平面。具体实施方式《构成》如图1以及图2所示，本实施方式的半导体装置具有：多个第一导体部10、多个第二导体部20、以及覆盖第一导体部10以及第二导体部20的上方面的封装部50。如图3以及图4所示，其中，第一导体部10具有：第一端子11、与第一端子11成为一体的第一本体部12、以及被设置在第一本体部12上的第一电子元件15。第二导体部20具有：第二端子21、与第二端子21成为一体的第二本体部22、以及被设置在第二本体部22上的第二电子元件25。第一本体部12以及第二本体部22例如可以由铜合金等构成，并且可以整体地或部分地实施镀锡或镀镍处理。作为封装部50可以使用环氧树脂等材料。作为本实施方式的半导体装置，例如可以是功率半导体装置。作为第一电子元件15以及第二电子元件25，例如可以使用MOSFET。本实施方式涉及的半导体装置的电路图例如如图5以及图6所示。在图5以及图6所示的形态中，第一电子元件15以及第二电子元件25为MOSFET，在图5所示的情况中，作为第一电子元件15的MOSFET的漏极位于第一本体部12一侧(图3的纸背面一侧)，源极位于第一本体部12的相反一侧(图3的纸表面一侧)，并且，作为第二电子元件25的MOSFET的漏极位于第二本体部22一侧(图3的纸背面一侧)，源极位于第二本体部22的相反一侧(图3的纸表面一侧)。在图6所示的情况中，作为第一电子元件15的MOSFET的源极位于第一本体部12一侧(图4的纸表面一侧)，漏极位于第一本体部12的相反一侧(图4的纸被面一侧)，并且，作为第二电子元件25的MOSFET的源极位于第二本体部22一侧(图4的纸表面一侧)，漏极位于第二本体部22的相反一侧(图4的纸背面一侧)。第一导体部10与第二导体部20相连接。第一导体部10与第二导体部20可以如图3以及图4所示通过接线(Wire)61连接，也可以如图9以及图10所示通过连接件62连接。具体来说，如图3所示，第一电子元件15与第二本体部22可以通过接线61连接，也可以如图4所示，第二电子元件25与第一本体部12通过接线61连接。如图9所示，第一电子元件15与第二本体部22可以通过连接件62连接，也可以如图10所示，第二电子元件25与第一本体部12通过连接件62连接。另外，作为连接件62例如可以使用铜夹(Clip)，作为接线61例如可以使用铝接线。通过使用连接件62能够提升流通的电流量。在将第一端子11作为电源端子利用的情况下，第二端子21则成为输出端子(参照图5)，将第二端子21作为电源端子利用的情况下，第一端子11则成为输出端子(参照图6)，从而能够选择第一端子11以及第二端子21的利用形态。第一导体部10以及第二导体部20的背面可以从封装部50中露出。此时，第一导体部10以及第二导体部20的背面可以从封装部50中部分露出，也可以是如图2以及图7所示般，完全露出。像这样被露出的第一导体部10以及第二导体部20如图8所示，可以通过散热片90、散热性的接合剂等被载置在框本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：多个第一导体部，具有：第一端子、与所述第一端子成为一体的第一本体部、以及被设置在所述第一本体部上的第一电子元件；多个第二导体部，具有：第二端子、与所述第二端子成为一体的第二本体部、以及被设置在所述第二本体部上的第二电子元件；以及封装部，覆盖所述第一导体部以及所述第二导体部的上方面，其中，所述第一导体部与所述第二导体部相连接，通过改变所述第一导体部与所述第二导体部的连接形态，从而能够选择所述第一端子以及所述第二端子的利用形态，使将所述第一端子作为电源端子利用时所述第二端子成为输出端子，将所述第二端子作为电源端子利用时所述第一端子成为输出端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：多个第一导体部，具有：第一端子、与所述第一端子成为一体的第一本体部、以及被设置在所述第一本体部上的第一电子元件；多个第二导体部，具有：第二端子、与所述第二端子成为一体的第二本体部、以及被设置在所述第二本体部上的第二电子元件；以及封装部，覆盖所述第一导体部以及所述第二导体部的上方面，其中，所述第一导体部与所述第二导体部相连接，通过改变所述第一导体部与所述第二导体部的连接形态，从而能够选择所述第一端子以及所述第二端子的利用形态，使将所述第一端子作为电源端子利用时所述第二端子成为输出端子，将所述第二端子作为电源端子利用时所述第一端子成为输出端子。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一导体部以及所述第二导体部的背面从所述封装部中露出。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一本体部以及所述第二本体部从背面一侧看时呈略L字形。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：其中，从背面一侧看时多个所述第一本体部各自呈相同形状，从背面一侧看时多个所述第二本体部各自呈相同形状。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：神山悦宏，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP