硅基异质接面太阳能电池及其制程方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙；其中，第一糙化表面以及第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，金字塔纹理化结构的金字塔宽度在5微米至15微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。借由无异丙醇的变温纹理化碱蚀刻，该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。

【技术实现步骤摘要】
硅基异质接面太阳能电池及其制程方法
本专利技术有关于一种硅基异质接面太阳能电池，特别有关于一种无异丙醇(isopropylalcohol，IPA)的变温纹理化碱蚀刻的硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。
技术介绍
按，目前由于国际能源短缺，世界各国一直持续研发各种可行的替代能源，其中又以太阳能发电的太阳电池最受到瞩目。目前，以硅晶做成的太阳能电池的转换效率，因其仅能吸收1.1电子伏特以上的太阳光能的限制、反射光造成的损失、材料对太阳光的吸收能力不足、载子在尚未被导出之前就被材料中的缺陷捕捉而失效，或是载子受到材料表面的悬浮键结捕捉产生复合等诸多因素，皆使其效率下降。因此，现在市售硅晶太阳能电池的转换效率仅约15％，即表示硅晶太阳能电池的高效率化其实还有相当大的空间。其中，太阳能电池高效率化的基本原理就是结合不同能隙的发电层材质，把它们做成叠层结构。参照美国公告专利第5,213,628号，标题为：光伏组件(Photovoltaicdevice)，其主要揭示一种结合不同能隙的太阳能电池，借由加入非晶硅本质半导体，增加太阳能电池的载子寿命，减少电子电洞复合机率，提高光电流转换效率。参照美国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，该N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体基板的能隙；其中，该第一糙化表面以及该第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，该金字塔纹理化结构的金字塔宽度在 5 微米至15 微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，该N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体基板的能隙；其中，该第一糙化表面以及该第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，该金字塔纹理化结构的金字塔宽度在5微米至15微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。2.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该金字塔宽度与金字塔锥顶高度的比值在2到0.8之间。3.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该异向性蚀刻是借由将该N型半导体基板浸渍于一碱性混合液，其中该异向性蚀刻的蚀刻温度是由第一温度变化到第二温度，其中第一温度大于等于该第二温度。4.如权利要求3所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一温度在80℃至95℃之间，且该第二温度在70℃至80℃之间。5.如权利要求3所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该碱性混合液包括：0.5质量%至3质量%的氢氧化钠或氢氧化钾，0.05质量%至0.1质量%的添加剂，其余为水。6.一种硅基异质接面太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金隆，杨茹媛，陈坤贤，
申请(专利权)人：盐城金合盛光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32