硅基异质接面太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术揭示一种硅基异质接面太阳能电池，其包含：一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极，以及一第二电极。借由使用有机无机混合式透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性，并可以简化工艺达到快速量产。

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种硅基异质接面太阳能电池，特别有关于一种具有有机无机混合式透明导电膜的硅基异质接面太阳能电池。
技术介绍
目前由于国际能源短缺，而世界各国一直持续研发各种可行的替代能源，而其中又以太阳能发电的太阳电池最受到瞩目。目前，以硅晶做成的太阳能电池的转换效率，因其仅能吸收1.1 电子伏特（eV）以上的太阳光能的限制、反射光造成的损失、材料对太阳光的吸收能力不足、载子在尚未被导出的前就被材料中的缺陷捕捉而失效，或是载子受到材料表面的悬浮键结捕捉产生复合等诸多因素，皆使其效率下降。因此，现在市售硅晶太阳能电池的转换效率仅约15％，即表示硅晶太阳能电池的高效率化其实还有相当大的空间。其中，太阳能电池高效率化的基本原理就是结合不同能隙的发电层材质，把它们做成叠层结构。参照美国公告专利第5,213,628号，标题为：光伏元件 (Photovoltaic device)，其主要揭示一种结合不同能隙的太阳能电池，借借由加入非晶硅本质半导体，增加太阳能电池的载子寿命，减少电子电洞复合机率，提高光电流转换效率。参照美国公告专利第6,878,921号，标题为：光伏元件与其制作方法(Photovo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体层所组成，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙；一第一透明导电膜，设置位于该PN接面结构的两个相对表面的其中之一表面，其使用有机导电高分子材料混合无机纳米结构金属材料所形成；一第二透明导电膜，设置位于该PN接面结构且相对于该第一透明导电膜的另一表面，其使用有机导电高分子材料混合无机纳米金属材料所形成；一第一电极，设置于该第一透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流；以及一第二电极，设置于该第二透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电...

【技术特征摘要】
1.一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体层所组成，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙；一第一透明导电膜，设置位于该PN接面结构的两个相对表面的其中之一表面，其使用有机导电高分子材料混合无机纳米结构金属材料所形成；一第二透明导电膜，设置位于该PN接面结构且相对于该第一透明导电膜的另一表面，其使用有机导电高分子材料混合无机纳米金属材料所形成；一第一电极，设置于该第一透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流；以及一第二电极，设置于该第二透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流；其中，在该第一透明导电膜与该第二透明导电膜中，有机导电高分子材料与无机纳米金属材料的体积比例总和为100%，且无机纳米金属材料的体积比例介于10%至30%之间。2.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电膜与该第二透明导电膜的制作方式选自喷印法、网印法与滚印法之一。3.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电膜与该第二透明导电膜的厚度介于50纳米至120纳米之间。4.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电膜的表面粗糙度介于20...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金隆，杨茹媛，苏盛隆，陈坤贤，
申请(专利权)人：盐城金合盛光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32