一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构制造技术

一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n‑TiOx层，形成晶体硅‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。该结构使用双层TiOx与晶体硅形成异质结。其中，内层的钝化TiOx可对硅片表面形成良好钝化，而外层的n‑TiOx层为掺杂浓度较高的TiOx，可使异质结内部形成较强的内建电场。采用这种结构的晶体硅太阳电池可同时实现较高的开路电压和短路电流。可使硅太阳电池具有较高的光电转换效率。

A Si/TiOx structure applied to crystalline silicon solar cells

Si/TiOx structure applied to crystalline silicon solar cell, in the crystal silicon surface passivation layer on a TiOx layer, TiOx layer as a passivation layer of n TiOx layer, formation of crystalline silicon passivation layer TiOx n TiOx layer structure. The structure uses double layer TiOx to form heterojunction with crystalline silicon. Among them, TiOx can form good passivation layer on the silicon surface passivation, and the n TiOx layer for high doping concentration of TiOx, the formation of strong built-in electric field within heterojunction internal. The crystalline silicon solar cells with this structure can achieve high open circuit voltage and short circuit current simultaneously. The silicon solar cell has a high photoelectric conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构
本专利技术属于太阳电池领域，也属于半导体器件领域，涉及硅太阳电池的结构设计。
技术介绍
随着光伏发电技术的日益普及，全球太阳电池的产量不断上升。当前太阳电池的产量中，晶体硅太阳电池占据了绝大部分份额。虽然晶体硅为间接带隙半导体，用其制备太阳电池需要消耗较多的材料。但硅材料在地球上储量丰富，制备技术成熟，制造成本也不断下降。因此，人们仍然愿意用硅来制备太阳电池并投入大量的研发，希望能提高硅太阳电池的转换效率并降低其成本。晶体硅太阳电池按其结构可分为同质结和异质结结构。目前工业上生产的晶体硅电池多数基于同质结结构。随着工艺的进步，同质结晶体硅太阳电池的光电转换效率已经逐渐接近极限。与同质结太阳电池相比，异质结太阳电池可在电池内建电场之外形成额外的有效势场，最终可提高电池的开路电压及光电转换效率。可以预见，未来异质结将取代同质结成为硅太阳电池中主要采用的结构。目前技术上比较成熟的晶体硅异质结太阳电池是基于非晶硅/晶体硅异质结的HIT电池（典型结构为ITO/α-Si(p)/α-Si(i)/c-Si/α-Si(i)/α-Si(n)/ITO）。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，其特征是在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n‑TiOx层，形成晶体硅‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。

【技术特征摘要】
1.一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，其特征是在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n-TiOx层，形成晶体硅-钝化TiOx层-n-TiOx层结构。2.根据权利要求1所述的一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，其特征是所述的结构的制备过程是：首先在清洗干净的硅片表面使用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺制备一层钝化TiOx；随后，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，周浪，黄海宾，岳之浩，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西,36