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本发明公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P...
该专利属于盐城金合盛光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盐城金合盛光电科技有限公司授权不得商用。

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