切割集成电路晶片的改善方法技术

本申请案涉及切割集成电路晶片的改进的方法。一种切割集成电路晶片(104)的方法通过从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道(132)且接着从所述晶片的前侧完成锯切所述刻划道(图6C)来实现。一种切割集成电路晶片(120)的方法通过在从所述晶片的背侧部分地锯切(图7C)刻划道(132)之前将所述晶片进行背面研磨(图7A)且接着从所述晶片的前侧完成锯切所述刻划道(图7E)来实现。

【技术实现步骤摘要】
切割集成电路晶片的改善方法
本专利技术涉及集成电路的领域。更特定地，本专利技术涉及集成电路晶片的切割。
技术介绍
集成电路晶片上的裸片(也称为集成电路芯片)通过刻划道彼此分离。当裸片之间的刻划道为金刚石尖头刻划提供空间以划开硅晶片的表面时，建立术语“刻划道”。通过在划开的晶片的任一侧上对晶片施加轻微的压力，晶片可沿着硅晶面断裂，从而使刻划道的任一侧上的裸片分离。现今用于分离裸片的传统方法是使用切割锯锯开刻划道。图1和2中说明此切割方法。如图1中所示，在集成电路(IC)制造完成之后，顶表面上具有由刻划道108分离的集成电路106的IC晶片104安装在切割带102上。接着使用切割锯110沿着刻划道108锯开晶片104的剩余部分以分离IC裸片112。随着IC芯片上几何体的尺度缩小，刻划道108的宽度已经变窄。这使得在晶片上能够有更多裸片。切割锯刀片110已经变窄以适应较窄的刻划道108。切割锯刀片110可切开的硅的厚度受切割锯刀片110的宽度限制。切割锯刀片110必须更宽以锯开更厚的硅。如图3中所说明，使得能够使用较窄刻划道的一种方法是在将切割带102施加到晶片120的背侧之前使用背面研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切割集成电路晶片的方法，其包括：将第一带施加到所述集成电路晶片的前侧；使用具有第一刀片厚度的第一切割刀片从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道；移除所述第一带；将第二带施加到所述集成电路晶片的背侧；及通过使用具有第二刀片厚度的第二切割刀片从所述晶片的所述前侧锯切所述刻划道来完成切割。

【技术特征摘要】
2016.05.19 US 15/159,0461.一种用于切割集成电路晶片的方法，其包括：将第一带施加到所述集成电路晶片的前侧；使用具有第一刀片厚度的第一切割刀片从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道；移除所述第一带；将第二带施加到所述集成电路晶片的背侧；及通过使用具有第二刀片厚度的第二切割刀片从所述晶片的所述前侧锯切所述刻划道来完成切割。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二刀片厚度小于所述第一刀片厚度。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二刀片厚度与所述第一刀片厚度相同。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一带及所述第二带是切割带。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：所述第一带是背面研磨带；及在从所述背侧部分地锯切刻划道的所述步骤之前，将所述晶片进行背面研磨以减小所述晶片的厚度。6.根据权利要求5所述的方法，其中背面研磨包括将所述晶片的所述厚度背面研磨掉30％与60％之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中部分地锯切包括将所述晶片的厚度锯切掉约40％与60％之间。8.根据权利要求1所述的方法，其中裸片尺寸为约1平方毫米。9.根据权利要求1所述的方法，其中裸片尺寸大于约0.3mm乘以0.3mm。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：入口将一，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US