一种外延生长用石墨承载盘制造技术
A graphite bearing plate for epitaxial growth
The utility model belongs to the field of semiconductor manufacturing, provides an epitaxial growth by graphite bearing plate, which comprises a plate body and distribution on the surface of the tray body. A plurality of grooves for carrying the wafer wafer, the wafer groove to the disk center arrangement, which is characterized in that the bottom of the wafer. The structure is provided with a plurality of holes and bolt holes of the detachable structure corresponding to the end of the bolt is inserted in the hole structure in the other end is at the bottom of the wafer grooves, forming a prominent structure.
【技术实现步骤摘要】
一种外延生长用石墨承载盘
本技术属于半导体制造领域，尤其是涉及一种外延生长用承载盘。
技术介绍
发光二极管（英文为LightEmittingDiode，简称LED）是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀（英文为Metal-organicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD）实现，可以简述其流程如下：将外延晶圆衬底（如蓝宝石衬底/Si衬底）放入石墨承载盘（Wafercarrier）的凹槽上，将其石墨承载盘一起传入MOCVD反应室内，通过将反应室温度加热到设定好的温度，并配合通入有机金属化合物和五族气体，使它们在晶圆衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。目前在LED发光二极管外延（Epitaxy）晶圆制程过程中，晶圆片被石墨承载盘上方凹槽内边缘凸出部垫起，由于在外延生长过程中不同产品及不同机台间温场存在差异，因而一种规格的石墨盘时常无法满足不同产品或不同机台的使用，即针对不同的产品甚至不同机台需要购买不同规格的石墨盘以达到最佳使用效果，这种较低...
【技术保护点】
一种外延生长用石墨承载盘，其包括一盘体及分布于所述盘体上表面的若干个用于承载晶片的晶圆凹槽，所述晶圆凹槽以所述盘体为中心排列，其特征在于：所述晶圆凹槽底部具有复数个孔洞结构以及与所述孔洞结构对应的可拆卸的栓件，所述栓件一端插于所述孔洞结构内另一端突出于晶圆凹槽底部，形成一突出结构。
【技术特征摘要】
1.一种外延生长用石墨承载盘，其包括一盘体及分布于所述盘体上表面的若干个用于承载晶片的晶圆凹槽，所述晶圆凹槽以所述盘体为中心排列，其特征在于：所述晶圆凹槽底部具有复数个孔洞结构以及与所述孔洞结构对应的可拆卸的栓件，所述栓件一端插于所述孔洞结构内另一端突出于晶圆凹槽底部，形成一突出结构。2.根据权利要求1所述的一种外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述复数个突出结构的高度相同时，所述晶片位于所述突出结构上呈水平状态。3.根据权利要求1所述的一种外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述突出结构的高度呈阶梯性分布时，所述晶片位于所述突出结...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄理承，谢翔麟，林兓兓，蔡吉明，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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