一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备制造技术

一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，包括衬底支座，其特征是：所述衬底支座包括机架、支撑轴和驱动机构，多个支撑轴平行安装在机架上，至少一个支撑轴上设有沿长度布置的周向环槽，周向环槽的槽底形状与衬底的边部外形配合一致，衬底竖向立于周向环槽内，多个支撑轴中包括至少一个旋转轴，旋转轴通过驱动机构带动。本发明专利技术能够实现在衬底上全覆盖沉积，无淀积死角，能避免使用复杂的支撑结构，减少对流场的干扰，降低流场死角和颗粒物的生成。

A CVD device for full coverage deposition on a substrate

A CVD device can be deposited on the substrate of full coverage, including a substrate holder, which is characterized in that the substrate support comprises a frame, a supporting shaft and a driving mechanism, a plurality of parallel to the supporting shaft arranged on the machine frame, at least one support shaft is provided with a groove arranged along the length of the week Xianghuan, circumferential ring groove the bottom of the groove shape and the edge of the substrate is consistent with the shape of the substrate, the vertical stand Xianghuan groove a week, support shaft includes at least one rotary shaft, the rotary shaft drives the driving mechanism. The invention can realize full coverage deposition on the substrate without deposition dead angle, can avoid the use of complex supporting structure, reduce the interference to the flow field, and reduce the flow field dead angle and the generation of particles.

【技术实现步骤摘要】
一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备
本专利技术涉及一种气相沉积(CVD)设备，尤其是一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备。
技术介绍
CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。CVD沉积的表面膜可以具有和衬底材料不同的或更为优异的性能。CVD设备通过气相的前驱体在衬底上的化学反应，生成附着在衬底上的固态物质。CVD设备的反应室通常需要提供进气、出气以及加热的功能。衬底在CVD反应腔中通常需要被支撑。现有的支撑结构是具有支撑面的支撑盘、基座、衬板支承座或支撑座。对于片状的衬底，其下表面常常处于支撑结构的支撑面之上，由于支撑面的遮蔽，其不容易和反应气体接触，因此材料沉积主要在暴露的上表面进行。但是有些应用需要在衬底表面的大部分或全部进行材料沉积。以MOCVD设备中常用的石墨托盘为例，由于石墨容易和MOCVD设备中的NH3气等物质反应而破坏设备的正常工艺过程，人们常在石墨的表面通过CVD技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，包括衬底支座，其特征是：所述衬底支座包括机架(1)、支撑轴(1.3)和驱动机构，多个支撑轴(1.3)平行安装在机架(1)上，至少一个支撑轴(1.3)上设有沿长度布置的周向环槽(1.3.3)，周向环槽(1.3.3)的槽底形状与衬底(2)的边部外形配合一致，衬底(2)竖向立于周向环槽(1.3.3)内，多个支撑轴(1.3)中包括至少一个旋转轴(1.3.1)，旋转轴(1.3.1)通过驱动机构带动。

【技术特征摘要】
1.一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，包括衬底支座，其特征是：所述衬底支座包括机架(1)、支撑轴(1.3)和驱动机构，多个支撑轴(1.3)平行安装在机架(1)上，至少一个支撑轴(1.3)上设有沿长度布置的周向环槽(1.3.3)，周向环槽(1.3.3)的槽底形状与衬底(2)的边部外形配合一致，衬底(2)竖向立于周向环槽(1.3.3)内，多个支撑轴(1.3)中包括至少一个旋转轴(1.3.1)，旋转轴(1.3.1)通过驱动机构带动。2.根据权利要求1所述的一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，其特征是：所述的多个支撑轴(1.3)由多个旋转轴(1.3.1)构成，多个旋转轴(1.3.1)由同一个驱动机构带动，或者所述多个旋转轴(1.3.1)由多个由不同驱动机构分别带动。3.根据权利要求2所述的一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，其特征是：所述多个支撑轴(1.3)由一个主旋转轴(1.3.1)和两个次旋转轴(1.3.1)构成，主旋转轴位于中部，两个次旋转轴分别位于主旋转轴的两侧。4.根据权利要求2所述的一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备，其特征是：所述的旋转轴(1.3.1)上均设有周向环槽(1.3.3)，并且周向环槽(1.3.3)的槽面具有相同的线速度。5.根据权利要求1或2所述的一种可在衬底上全覆盖沉积的CVD设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎子兰，陈景升，陆艳红，黎静，田青林，文龙，
申请(专利权)人：江苏实为半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32