聚合的化合物制造技术

本发明专利技术涉及新的光活性聚合物，它们作为液晶（ＬＣ）取向层的用途和它们在非结构化和结构化的光学和电光学的元件和多层系统的构造中的应用。该新型光活性聚合物是可交联的聚合物，它能够在较短辐射时间内容易地交联。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新的光活性聚合物，它们作为液晶(LC)取向层的用途和它们在非结构化和结构化的光学和电光学的元件和多层系统的构造中的应用。液晶器件的成功作用取决于在该器件内LC分子承担和维持强加于它们的校直排列的能力。LC分子的校直排列是通过使用确定该器件的LC分子的取向方向的取向层来实现的，以致于分子的纵向轴与由取向层确定的取向方向保持一致。除了这一方向性排列之外，该取向层也能够赋予LC分子以倾斜角，以使这些分子自身以一定的相对于取向层表面的角度校直排列，而不是平行排列。在1°和15°之间的倾角是向列型LCD所常见的。大约7°的倾角是超扭曲向列型(STN)LCD所需要的，为的是避免所谓的指印织构的形成。垂直排列的向列型(VAN)LCD例如需要在85°和90°之间的前倾斜角。制备结构化和非结构化取向层的方法是现有
的技术人员熟知的。特别已经知道，通过使用线性偏振光，有可能制备其中取向层的取向方向和倾斜角是由用于辐照该层的平面偏振光的方向和入射角决定的取向层。结构化取向层在显示技术和集成光学的许多领域中具有重要的意义。这些层的特征在于一些区域(像素)，对于它们的组分分子的取向方向和倾斜角而言这些区域发生交替变化。这些取向层可用于改进例如TN、STN和VAN型LCD的视角依赖性在液晶层中产生高清晰度结构化取向图案的可能方法被描述在Jpn.J.Appl.Phys.，31卷(1992)，2155。在该过程中由具有线性偏振光的辐射诱发的聚合物键接的光致反应活性肉桂酸基团的二聚作用可用于液晶的结构化取向。这些光致取向的聚合物网络都能够使用，不管是否需要结构化或非结构化液晶取向层。除了它们在LCD中的使用外，这些取向层还可以用于例如所谓杂化物层的生产，如在欧洲专利申请EP-A-0611981，EP-A-0689084和EP-A-0689065中所说明的。通过使用光致结构化的取向聚合物和可交联的低分子量液晶的这些杂化物层，有可能制备光学元件，如非吸收性滤色器，线性和圆形起偏振器，光学延迟层等等。所获得的取向层发挥它们的功能的能力因此部分取决于该层中因为线性偏振光的辐射而发生二聚的分子的数目。分子发生二聚的程度部分地依赖于辐射时间，辐射能量和被辐射的分子的结构。EP-A-0611786，EP-A-0763552，EP-A-0860455，WO96/10049和WO99/15576描述了原则上适合于液晶的此类各向异性地交联的、光致结构化的取向层的生产的聚合物。然而，许多目前在光致取向的取向层的生产中使用的聚合物的问题是为了进行组分分子的有效二聚作用而需要较长的辐射时间。所以，需要一种光致可交联的聚合物，它能够在较短辐射时间中容易地交联。本专利技术满足了该需要。本专利技术的第一方面提供一种聚合物，它包括通式(I)的重复单元 其中A表示氮原子，碳原子，基团-CR1-或一芳族或脂环基，它任选被选自氟、氯、氰基和C1-18环状、直链或支链烷基所取代，该烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子所取代和其中一个或多个非相邻的烷基-CH2-基团任选被选自以下这些的基团所替代-O-，-CO-，-CO-O-，-OCO-，-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-，-NR1-，-NR1-CO-，-CO-NR1-，-NR1-CO-O-，-OCO-NR1-，-NR1-O-NR1-，-CH＝CH-，-C≡C-和-O-CO-O-，其中R1表示氢原子或低级烷基，M表示重复单体单元；n1至n3各自独立地表示0或具有数值1-3的整数，前提条件是1＜n1+n2+n3＜4；P1，P2，P3各自独立地表示光活性基团；和B1至B4各自独立地表示通式II的残基 其中S1到S3各自独立地表示单键或选自C1-24直链或支链亚烷基的间隔基，该亚烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子取代和其中一个或多个非相邻的亚烷基-CH2-基团任选被选自以下这些的基团所替代-O-，-CO-，-COO-，-OCO-，-Si(CH3)2-C-Si(CH3)2-，-NR1-，-NR1-CO-，-CO-NR1-，-NR1-CO-O-，-O-CO-NR1-，-NR1-CO-NR1-，-CH＝CH-，-C≡C-和-O-CO-O-其中R1是如以上所定义，C1和C2各自独立地表示芳族或脂环族基团，它任选被选自氟、氯、氰基或C1-18环状、直链或支链烷基的基团所取代，该烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子取代和其中一个或多个非相邻的烷基-CH2-基团任选被选自以下的基团所替代-O-，-CO-，-CO-O-，-O-C-O-，-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-，-NR1-，-NR1-CO-，-CO-NR1-，-NR1-CO-O-，-O-CO-NR1-，-NR1-CO-NR1-，-CH＝CH-，-C≡C-和-O-COO-其中R1表示氢原子或低级烷基，和n4和n5各自独立地是0或1。本专利技术的聚合物能够在暴露于线性偏振光之后容易地校直排列。另外，通过使用本专利技术的化合物，有可能减少为形成交联聚合物膜所需要的辐射时间。术语“芳族”应该被理解为包括任选被取代的碳环和杂环基团。对于术语“环状、直链或支链烷基，它任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子取代和其中一个或多个非相邻的-CH2-基团任选被选自-O-，-CO-，-CO-O-，-O-CO-，-CH＝CH-和-C≡C-的基团所替代”，应理解它包括从以下这些中选择的基团甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，仲丁基，叔丁基，戊基，异戊基，环戊基，己基，环己基，庚基，辛基，壬基，癸基，十一烷基，十二烷基，3-甲基戊基，烯丙基，丁-3-烯-1-基，戊-4-烯-1-基，己-5-烯-1-基，丙炔基，丁炔基，戊炔基，甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，仲丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，异戊氧基，环戊基氧基，己氧基，环己基氧基，庚基氧基，辛氧基，壬氧基，癸氧基，十一烷氧基，十二烷氧基，3-甲基戊基氧基，烯丙氧基，丁-3-烯基氧基，戊-4-烯基氧基，环己基甲氧基，环戊基甲氧基，甲氧基羰基，乙氧基羰基，丙氧基羰基，异丙氧基羰基，丁氧基羰基，异丁氧基羰基，仲-丁氧基羰基，叔丁氧基羰基，戊氧基羰基，异戊氧基羰基，环戊基氧基羰基，己基氧基羰基，环己基氧基羰基，辛基氧基羰基，壬基氧基羰基，癸基氧基羰基，十一烷基氧基羰基，十二烷基氧基羰基，3-甲基戊基氧基羰基，烯丙基氧基羰基，丁-3-烯基氧基羰基，戊-4-烯基氧基羰基，环己基甲氧基羰基，环戊基甲氧基羰基，乙酰氧基，乙基羰基氧基，丙基羰基氧基，异丙基羰基氧基，丁基羰基氧基，异丁基羰基氧基，仲-丁基羰基氧基，叔丁基羰基氧基，戊基羰基氧基，异戊基羰基氧基，环戊基羰基氧基，己基羰基氧基，环己基羰基氧基，辛基羰基氧基，壬基羰基氧基，癸基羰基氧基，十一烷基羰基氧基，十二烷基羰基氧基，3-甲基戊基羰基氧基，丁-3-烯基氧基，戊-4-烯基氧基，乙酰基，乙基羰基，丙基羰基，异丙基羰基，丁基羰基，异丁基羰基，仲-丁基羰基，戊基羰基，异戊基羰基，环己基羰基，辛基羰基，壬基羰基，癸基羰基，十一烷基羰基，十二烷基羰基，甲氧基乙氧基，1-甲氧基-2-丙氧基，3-甲氧基-1-丙氧基，2-甲氧基乙氧基，2-异丙氧基乙氧基，1-乙氧基3-戊氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，它包括通式（Ⅰ）的重复单元： （Ｐ↑［１］－Ｂ↑［１］）↓［ｎ１］－＊－（Ｂ↑［３］－Ｐ↑［３］）↓［ｎ３］ Ⅰ 其中： Ａ表示氮原子，碳原子，基团－ＣＲ↑［１］－或芳族或脂环族基团，该基团可任选被选自氟、氯、氰基和Ｃ↓［１－１８］环状、直链或支链烷基所取代，该烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子所取代和其中一个或多个非相邻的烷基－ＣＨ↓［２］－基团任选被选自以下这些的基团所替代：－Ｏ－，－ＣＯ－，－ＣＯ－Ｏ－，－ＯＣＯ－，－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［２］－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［２］－，－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－ＣＯ－，－ＣＯ－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－ＣＯ－Ｏ－，－ＯＣＯ－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－Ｏ－ＮＲ↑［１］－，－ＣＨ＝ＣＨ－，－Ｃ≡Ｃ－和－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－，其中Ｒ↑［１］表示氢原子或低级烷基， Ｍ表示重复单体单元； ｎ↑［１］至ｎ↑［３］各自独立地表示０或具有数值１－３的整数，前提条件是１＜ｎ↑［１］＋ｎ↑［２］＋ｎ↑［３］＜４； Ｐ↑［１］，Ｐ↑［２］，Ｐ↑［３］各自独立地表示光活性基团；和 Ｂ↑［１］至Ｂ↑［４］各自独立地表示通式Ⅱ的残基 －Ｓ↑［３］－［－Ｃ↑［１］－Ｓ↑［１］－］↓［ｎ↑［４］］－［－Ｃ↑［２］－Ｓ↑［２］－］↓［ｎ↑［５］］－ Ⅱ 其中 Ｓ↑［１］到Ｓ↑［３］各自独立地表示单键或选自Ｃ↓［１－２４］直链或支链亚烷基的间隔基，该亚烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子取代和其中一个或多个非相邻的亚烷基－ＣＨ↓［２］－基团任选被选自以下这些的基团所替代：－Ｏ－，－ＣＯ－，－ＣＯＯ－，－ＯＣＯ－，－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［２］－Ｃ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［２］－，－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－ＣＯ－，－ＣＯ－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－ＣＯ－Ｏ－，－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ↑［１］－，－ＮＲ↑［１］－ＣＯ－ＮＲ↑［１］－，－ＣＨ＝ＣＨ－，－Ｃ≡Ｃ－和－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－其中Ｒ↑［１］定义如上， Ｃ↑［１］和Ｃ↑［２］各自独立地表示芳族或脂环族基团，该基团可任选被选自氟、氯、氰基或Ｃ↓［１－１８］环状、直链或支链烷基的基团所取代，该烷基任选被单个氰基或被一个或多个卤素原子取代和其中一个或多个非相邻的烷基－ＣＨ↓［２］－基团任选被选自以下的基团所替代：－Ｏ－，－ＣＯ－，－ＣＯ－Ｏ－，－Ｏ－Ｃ－Ｏ－，－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［２］－...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：G马克，A舒斯特，
申请(专利权)人：罗利克有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]