蒸发源及蒸镀系统技术方案

本发明专利技术涉及一种蒸发源，包括：坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。本发明专利技术还涉及一种蒸镀系统。本发明专利技术的有益效果是：隔热层的设置避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，增加坩埚本体和喷嘴盖板之间的温度差，改善材料塞孔问题。

Evaporation source and evaporation system

The invention relates to an evaporation source, comprises a crucible body and the crucible body has a chamber for accommodating evaporation plating materials, and the open end of the evaporation chamber and the evaporation chamber; and cover in the crucible body on the opening of the nozzle plate, the nozzle cover is provided with the nozzle; the crucible body includes a first butt joint portion and the nozzle cover butt joint; the nozzle plate includes a second joint part and docking of the crucible body; an insulation layer is arranged between the first docking part and the second joint part. The invention also relates to a steam plating system. The invention has the advantages that the insulation is provided to avoid heat conduction between the crucible body and the nozzle plate, increase between the crucible body and a nozzle cover temperature difference, improve the material hole problem.

【技术实现步骤摘要】
蒸发源及蒸镀系统
本专利技术涉及显示产品制作
，尤其涉及一种蒸发源及蒸镀系统。
技术介绍
有机发光二极管显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)器件是有多种功能层堆叠组成的发光器件，目前OLED器件的主要制作工艺是真空热蒸镀技术，即通过加热容纳蒸镀材料的坩埚本体，蒸镀材料受热蒸发，然后通过喷嘴喷射到基板表面。由于喷嘴设置于扣盖于所述坩埚本体上的喷嘴盖板上，所述坩埚本体内的蒸发腔室是具有一定的高度的，以致于喷嘴处的温度较低，易造成材料堵塞孔壁，现在常用的解决方法是加热喷嘴盖板的温度高于坩埚本体的温度，但由于坩埚本体与喷嘴盖板紧密接触，坩埚本体和喷嘴盖板之间很难形成比较大的温差，从而对于改善塞孔问题不明显；当前蒸发源采用水冷的冷却方式，降温时间较长，蒸镀设备的稼动率较低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种蒸发源及蒸镀系统，避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，改善材料塞孔问题。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种蒸发源，包括：坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。进一步的，所述隔热层与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层与所述第二对接部之间设有第二密封结构。进一步的，所述隔热层包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。进一步的，所述隔热层包括与所述第二对接部连接的第二接合面，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。进一步的，所述第一对接部为环形结构，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。本专利技术还提供一种蒸镀系统，包括上述的蒸发源。进一步的，所述蒸镀系统还包括用于对所述蒸发源进行冷却的冷却装置，所述冷却装置包括用于吸收所述蒸发源的热量以对蒸发源进行冷却的热吸收结构，以及用于将所述热吸收结构吸收的热量转化为其他形式的能量的能量转换结构。进一步的，所述热吸收结构包括容纳有冷却介质的管道，所述管道的两端均连接于所述能量转换结构上，所述管道的中部包括由多个首尾相接的U形结构形成的蛇形弯曲结构。进一步的，所述冷却介质为液态金属。进一步的，还包括真空腔室，所述蒸发源和所述热吸收结构均容置于所述真空腔室内，所述能量转换结构设置在所述真空腔室内或真空腔室外。本专利技术的有益效果是：隔热层的设置避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，增加坩埚本体和喷嘴盖板之间的温度差，改善材料塞孔问题。附图说明图1表示本专利技术实施例中蒸发源剖面结构示意图；图2表示本专利技术实施例中蒸发源侧面结构示意图；图3表示本专利技术实施例中隔热层结构示意图；图4表示本专利技术实施例中冷却装置结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本专利技术，并非以此限定本专利技术的保护范围。如图1-图3所示，本实施例提供一种蒸发源，包括：坩埚本体1，所述坩埚本体1具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体1的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板2，所述喷嘴21盖上设有喷嘴21；所述坩埚本体1包括用于与所述喷嘴盖板2对接的第一对接部；所述喷嘴盖板2包括用于与所述坩埚本体1对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层3。隔热层3的设置避免坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的热传导，能够更大限度的增加坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的温度差，从根本上解决蒸镀材料在蒸发过程遇冷堆积在喷嘴21内壁，造成喷嘴21堵塞的问题，改善材料塞孔问题。为了实现避免坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的热传导，隔热层3采用耐高温材质制成，所述隔热层3的具体结构形式也可以有多种。本实施例中，所述隔热层3与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层3与所述第二对接部之间设有第二密封结构。第一密封结构和第二密封结构的设置，确保所述第一对接部和所述隔热层3之间、所述第二对接部和所述隔热层3之间的密封性能，进一步的有效避免所述坩埚本体1和所述喷嘴盖板2之间的热传导。所述第一密封结构和所述第二密封结构的具体结构形式可以有多种，所述第一密封结构和所述第二密封结构的结构形式可以相同，也可以不同，只要实现所述第一对接部和所述隔热层3之间、所述第二对接部和所述隔热层3之间的密封，本实施例中，所述隔热层3包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面31，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面31上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。所述第一凹凸结构的设置可以是规律的，也可以是不规律的，所述第一凹凸结构的凹部的深度也可以根据实际需要设定，所述第二凹凸结构与所述第一凹凸结构相卡合以实现所述第一对接部和所述隔热层3第一接合面31之间的密封。所述隔热层3包括与所述第二对接部连接的第二接合面32，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面32上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。所述第三凹凸结构的设置可以是规律的，也可以是不规律的，所述第三凹凸结构的凹部的深度也可以根据实际需要设定，所述第四凹凸结构与所述第三凹凸结构相卡合以实现所述第二对接部和所述隔热层3第二接合面32之间的密封。为了避免所述隔热层3伸入到蒸发腔室内部，以致于气化的蒸镀材料残留于所述隔热层3上，本实施例中，所述第一对接部为环形结构，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第二对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第二对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。即为了避免隔热层3延伸到蒸发腔室内，将隔热层设计为靠近蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部及所述第二对接部的靠近蒸发腔室的内侧边缘齐平、或者所述第一对接部和所述第二对接部在靠近蒸发腔室的内侧至少部分未被隔热层所覆盖，而在所述第一对接部和所述第二对接部的靠近蒸发腔室的内侧边缘与所述隔热层的靠近蒸发腔室的内侧边缘之间具有一预留间隙。所述隔热层3的设置在实现避免所述坩埚本体1与所述喷嘴盖板2之间的隔热传导的目的同时，所述隔热层3不能延伸至蒸发腔室内部，以致于影响蒸镀材料蒸发变成蒸汽后的上升空间。所述隔热层3远离所述蒸发腔室的外侧边缘可以与所述第一对接部和所述第二对接部的远离所述蒸发腔室的外侧边缘平齐。如图1和图2所示，本实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发源，包括：坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；其特征在于，所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源，包括：坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；其特征在于，所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层与所述第二对接部之间设有第二密封结构。3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上、与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。4.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层包括与所述第二对接部连接的第二接合面，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。5.根据权利要求1所述的蒸发源，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡长奇，苏志玮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11