The invention provides a flash memory unit, flash memory array and method of operation, including: N well formed P type substrate, P type doped region is formed in the N well, P type doping area as the first source, the second source and drain gate structure; the N well. The first is located between the source and the second source, the gate structure has two storage on the source of polysilicon symmetry, each memory bit contains floating gate and word line gate. The flash memory unit of the invention can program high energy electrons or even hot electrons through the collision of the hot holes at the breakpoint of the drain clamp, which is beneficial to the miniature of the device, and the purpose of reducing the unit area of the device is achieved.
【技术实现步骤摘要】
闪存单元、闪存阵列及其操作方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存单元、闪存阵列及其操作方法。
技术介绍
闪存(flashmemory)作为一种集成电路存储器件,由于其具有电可擦写存储信息的功能,而且断电后存储的信息不会丢失,因而被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品中。一般来讲,制造闪存时,必须尽力考虑如何缩小每一存储单元的大小与电力消耗,然而现有的SST闪存结构通过源端热电子编程,需要浮栅与漏极具有很大的重叠区域来提供足够大的耦合系数,只有这样,编程时加在源极多晶硅上的电压才能给浮栅提供足够大的耦合电压,但是这带来的弊端是:浮栅与漏极很大的重叠区域不利于闪存的微缩;因此如何在保证芯片性能的同时进一步减小芯片的尺寸是当前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存单元、闪存阵列及其操作方法,以解决现有技术中闪存单元无法进一步缩小等问题。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种闪存单元,包括:P型衬底,所述P型衬底内形成有N阱,所述N阱中形成有P型掺杂区,所述P型掺杂区作为第一源极、第二源极和漏极;位于所述N阱上的栅极结构,所述栅极结构包括第一存储位、第二存储位和源极多晶硅,所述第一存储位包括第一浮栅和第一字线栅,所述第二存储位包括第二浮栅和第二字线栅;所述第一浮栅包括第一浮栅尖端,所述第一浮栅尖端对准所述第一字线栅;所述第二浮栅包括第二浮栅尖端,所述第二浮栅尖端对准所述第二字线栅;所述第一字线栅、所述第一浮栅、所述源极多晶硅、所述第二浮栅和所述第二字线栅依次并排排列在所述第一源极和所述第二源极之间;可选的,所述 ...
【技术保护点】
一种闪存单元,其特征在于,所述闪存单元包括:P型衬底,所述P型衬底内形成有N阱,所述N阱中形成有P型掺杂区,所述P型掺杂区作为第一源极、第二源极和漏极;位于所述N阱上的栅极结构,所述栅极结构包括第一存储位、第二存储位和源极多晶硅,所述第一存储位包括第一浮栅和第一字线栅,所述第二存储位包括第二浮栅和第二字线栅;所述第一浮栅包括第一浮栅尖端,所述第一浮栅尖端对准所述第一字线栅;所述第二浮栅包括第二浮栅尖端,所述第二浮栅尖端对准所述第二字线栅;所述第一字线栅、所述第一浮栅、所述源极多晶硅、所述第二浮栅和所述第二字线栅依次并排排列在所述第一源极和所述第二源极之间。
【技术特征摘要】
1.一种闪存单元,其特征在于,所述闪存单元包括:P型衬底,所述P型衬底内形成有N阱,所述N阱中形成有P型掺杂区,所述P型掺杂区作为第一源极、第二源极和漏极;位于所述N阱上的栅极结构,所述栅极结构包括第一存储位、第二存储位和源极多晶硅,所述第一存储位包括第一浮栅和第一字线栅,所述第二存储位包括第二浮栅和第二字线栅;所述第一浮栅包括第一浮栅尖端,所述第一浮栅尖端对准所述第一字线栅;所述第二浮栅包括第二浮栅尖端,所述第二浮栅尖端对准所述第二字线栅;所述第一字线栅、所述第一浮栅、所述源极多晶硅、所述第二浮栅和所述第二字线栅依次并排排列在所述第一源极和所述第二源极之间。2.如权利要求1所述的闪存单元,其特征在于,所述源极多晶硅位于所述漏极上。3.如权利要求1所述的闪存单元,其特征在于,所述第一存储位和第二存储位对称分布于所述源极多晶硅的两侧。4.一种闪存阵列,其特征在于,所述闪存阵列包括至少一个如权利要求1-3中任一项所述的闪存单元。5.如权利要求4所述的闪存阵列,其特征在于,所述闪存阵列包括至少一行和一列,同一行的所述闪存单元的所有漏极相连,同一列的所述闪存单元的所有源极相连。6.如权利要求5所述的闪存阵列,其特征在于,同一行的所述闪存单元的所有第一字线栅相连,同一行的所述闪存单元...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐涛,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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