应用于芯片器件测试单元的MOS栅氧保护系统及方法技术方案
MOS gate oxygen protection system and method applied to chip device test unit
The invention discloses a MOS gate oxygen protection system applied to the chip device test unit, which comprises an electric fuse, one end of the fuse is connected with the grid of the MOS device to be protected, and the other end is connected with the protective diode. WAT test before the gate MOS devices through the preset voltage applied to the protected electrical fuse, fuse, the connection between the gate and the protection diode MOS device disconnect to be protected, because the connection between the MOS device and no protection diode to be protected, thus protecting the two transistor will no longer limit the applied voltage of MOS devices the gate to be protected on the gate MOS devices can be directly applied to the positive or negative pressure to be protected, and the series of tests.
【技术实现步骤摘要】
应用于芯片器件测试单元的MOS栅氧保护系统及方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种应用于芯片器件测试单元的MOS栅氧保护系统及方法。
技术介绍
在半导体制作过程中，通常会在晶圆上的某些固定位置设置测试单元(TestKey，TK)，以便在生产制造半导体的过程中，通过对上述测试单元进行晶圆验收测试(WaferAcceptanceTest，WAT)，获取WAT测试电参数，并根据上述WAT测试中获取的电参数，监控半导体生产过程中各部分制作工艺是否达到相应的要求。在制造半导体的过程中，后段工艺的Plsmaetch工艺会产生大量可移动电荷，这些电荷由于天线效应，会通过金属线聚集在MOS器件的gate上，当聚集到一定量会击穿甚至损伤MOS栅氧，为了保护受测试器件的栅氧，一般在MOS器件的栅极(gate)串联一个保护二极管(protectiondiode)。然而，在一些测试中，需要对NMOS器件的栅极施加负压，但是由于MOS器件的栅极与保护二极管相串联，因而限制了对NMOS器件栅极施加的电压只能为正电压。同理，在一些测试中，需要对PMOS器件的栅极施加正压，同样由于受到...
【技术保护点】
一种应用于芯片器件测试单元的MOS栅氧保护系统，其特征在于，应用于晶圆验收测试WAT过程中，该系统包括：电熔丝；所述电熔丝的第一端与待保护的MOS器件的栅极相连，所述电熔丝的第二端与保护二极管相连。
【技术特征摘要】
1.一种应用于芯片器件测试单元的MOS栅氧保护系统，其特征在于，应用于晶圆验收测试WAT过程中，该系统包括：电熔丝；所述电熔丝的第一端与待保护的MOS器件的栅极相连，所述电熔丝的第二端与保护二极管相连。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待保护的MOS器件为NMOS器件。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述电熔丝的第二端与所述保护二极管的负极相连。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待保护的MOS器件为PMOS器件。5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述电熔丝的第二端与所述保护二极管的正极相连。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述电熔丝由第一层金属或第二层金属制作而成。7.根据权利要求1-6任一项所述的系统，其特征在于，所述电熔丝的材质为铜或铝。8.一种应用于芯片器件测试单...
【专利技术属性】
技术研发人员：许文山，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。