非易失性存储器设备制造技术

本公开涉及一种非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，该至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，该选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，该半导体源极区域与该嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，该状态晶体管包括具有嵌入在该衬底区域中在该嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与该浮栅绝缘并且部分地位于该浮栅上方的控制栅极(CG)，该源极区域(S)、该漏极区域(D1，D2)和该衬底区域(SB1，SB2)以及该控制栅极(CG)是单独可极化的。

Nonvolatile memory device

The invention relates to a nonvolatile memory device, the non-volatile memory device includes at least one memory unit (CEL), the at least one memory cell includes a selection transistor (TRS), the selection transistor includes a semiconductor substrate embedded in the region (SB1, SB2) in SG (select gate insulation); semiconductor source region (S), the semiconductor source area and the lower part of the insulation embedded select gate (31) contact state; (TR), the state of the transistor transistor includes has embedded in the substrate region in the embedded insulating select gate (30) above the upper part (at least one insulation 10) the floating gate (FG), a semiconductor drain region (D1, D2), and the floating gate and the control gate insulating part is located above the floating gate (CG), (S) the source region, the drain region (D1, D2) and the substrate region (SB1, SB2) and the control gate (CG) are individually polarized.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器设备
本技术的实施例涉及非易失性存储器。
技术介绍
目前存在缩小存储器单元尺寸的持续需求。
技术实现思路
因此，根据一个实施例，提出了一种特别紧凑的存储器单元，该存储器单元在硅上具有基本上相当于晶体管的占用面积的总体尺寸。根据一个方面，提出了一种非易失性存储器设备，其特征在于，所述非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，所述至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，所述选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，所述半导体源极区域与所述嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，所述状态晶体管包括具有嵌入在所述衬底区域中在所述嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与所述浮栅绝缘并且部分地位于所述浮栅上方的控制栅极(CG)，所述源极区域(S)、所述漏极区域(D1，D2)和所述衬底区域(SB1，SB2)以及所述控制栅极(CG)是单独可极化的。因此，在这种存储器单元中，选择晶体管是嵌入式晶体管，并且状态晶体管至少部分地嵌有彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器设备，其特征在于，所述非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，所述至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，所述选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，所述半导体源极区域与所述嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，所述状态晶体管包括具有嵌入在所述衬底区域中在所述嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与所述浮栅绝缘并且部分地位于所述浮栅上方的控制栅极(CG)，所述源极区域(S)、所述漏极区域(D1，D2)和所述...

【技术特征摘要】
2016.08.05 FR 16575861.一种非易失性存储器设备，其特征在于，所述非易失性存储器设备包括至少一个存储器单元(CEL)，所述至少一个存储器单元包括：选择晶体管(TRS)，所述选择晶体管包括嵌入在半导体衬底区域(SB1，SB2)中的绝缘选择栅极(SG)；半导体源极区域(S)，所述半导体源极区域与所述嵌入式绝缘选择栅极的下部(31)接触；状态晶体管(TR)，所述状态晶体管包括具有嵌入在所述衬底区域中在所述嵌入式绝缘选择栅极的上部(30)上方的至少一个绝缘部分(10)的浮栅(FG)、半导体漏极区域(D1，D2)、以及与所述浮栅绝缘并且部分地位于所述浮栅上方的控制栅极(CG)，所述源极区域(S)、所述漏极区域(D1，D2)和所述衬底区域(SB1，SB2)以及所述控制栅极(CG)是单独可极化的。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述存储器单元(CEL)可通过福勒-诺得海姆效应擦除并且可通过源极侧载流子注入进行编程。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述浮栅(FG1)完全嵌入在所述衬底中。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述浮栅包括两个绝缘块(FG21，FG22)，所述两个绝缘块由所述控制栅极(CG2)的第一部分(201)分开并且被所述控制栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·德拉洛，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR