一种深紫外LED封装器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种深紫外LED封装器件，包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；所述金属基板的正极区域和负极区域通过中间绝缘层分隔；深紫外芯片固定于金属基板上，且深紫外芯片与金属基板的正极区域、负极区域电连接；光学元件通过第一金属共晶键合层固定于金属基板上，光学元件将深紫外芯片完全包裹；还包括有SiO2绝缘层，其覆盖于中间绝缘层的内表面。本实用新型专利技术所述的深紫外LED封装器件，不仅发光功率高，散热性佳，产品的可靠性及使用寿命得以显著提高，而且封装结构简单，有利于降低制备成本；对于其制备方法，工艺简单易行，适合流水线工作，制备效率高。

A deep UV LED package

The utility model discloses a deep UV LED package device, which comprises a metal substrate, deep UV chip, optical element, the intermediate insulating layer and the first metal eutectic bonding layer; the cathode region and anode region of the metal substrate through the intermediate insulating layer separated; deep UV chip is fixed on the metal substrate. And deep UV chip and the metal substrate and the cathode region and cathode region are electrically connected; optical element through the first metal eutectic bonding layer is fixed on the metal substrate, the optical elements of deep ultraviolet chip also comprises a SiO2 wrapped completely; the insulating layer, the insulating layer covered on the inner surface of the middle. Deep UV LED package device in the utility model, not only the light power and high heat resistance, reliability and service life of the product can be improved significantly, and the package has the advantages of simple structure, can reduce the preparation cost; for the preparation method, the process is simple and feasible, suitable for the production line work, the preparation of high efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED封装器件
本技术属于深紫外LED封装
，具体涉及一种深紫外LED封装器件。
技术介绍
在紫外线中，波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外LED(DUVLED)因其高效、环保、节能、可靠等优势，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外LED所无法比拟的。由于深紫外LED的波长较短，能量很强，导致材料性能劣化严重，所以对封装技术和封装材料提出了极高的要求。但是，在传统的深紫外LED封装技术中，由于粘合层等在材质方面存在一定缺陷，导致UV光线极易被粘合层吸收，使得粘合层容易变黄、老化等，进而导致深紫外LED存在发光功率不高、散热性差、可靠性低以及使用寿命短等诸多缺点。比如，申请号为201420396320.9的中国专利公开了一种深紫外LED器件封装结构，包括陶瓷支架1及设在陶瓷支架1底座固晶位上的深紫外芯片5，深紫外芯片5通过银线6连接至正负电极，陶瓷支架1上通过粘接材料4粘接有石英透镜2，这种封装结构存在如下缺陷：(1)粘接材料容易吸收UV光线而引起自身老化，从而导致LED器件发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深紫外LED封装器件，其特征在于：包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；所述金属基板的正极区域和负极区域通过所述中间绝缘层分隔；所述深紫外芯片固定于所述金属基板上，且所述深紫外芯片与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；所述光学元件通过所述第一金属共晶键合层固定于所述金属基板上，所述光学元件将所述深紫外芯片完全包裹。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装器件，其特征在于：包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；所述金属基板的正极区域和负极区域通过所述中间绝缘层分隔；所述深紫外芯片固定于所述金属基板上，且所述深紫外芯片与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；所述光学元件通过所述第一金属共晶键合层固定于所述金属基板上，所述光学元件将所述深紫外芯片完全包裹。2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：还包括有SiO2绝缘层；所述SiO2绝缘层覆盖于所述中间绝缘层的内表面。3.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：还包括有第二金属共晶键合层；所述深紫外芯片通过所述第二金属共晶键合层固定于所述金属基板上。4.根据权利要求3所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述深紫外芯片为垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：万垂铭，曾照明，姜志荣，朱文敏，李真真，侯宇，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44