离子注入设备和离子注入方法技术
Ion implantation equipment and ion implantation method
The invention discloses an ion implantation device and an ion implantation method. The equipment includes a mask plate of the invention design of ion implantation, the mask is provided with an opening area, in the ion doping process, the mask is arranged on the bearing to be doped substrate above the predetermined position, the opening area of the mask and the substrate doping doping region aligned makes ion doped region through the opening into the area. Based on this, the invention can simplify the ion doping process, improve the production efficiency and reduce the production cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子掺杂
，具体涉及一种离子注入设备和离子注入方法。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePolycrystallineSiliconThinFilmTransistor,LTPS-TFT)具有高载流子迁移率与高输出电流等特性，常用于高分辨率显示器上。在LTPS-TFT的制程工艺中，有源层需要进行离子掺杂以形成掺杂区域。由于离子运动具有多向性，因此需要借助光刻胶工艺遮挡非掺杂区，才能将离子精确的注入到预定的掺杂区。但是，光刻胶工艺需要涂布光阻、曝光、光阻刻蚀以及显影等多道制程，工序复杂，导致生产效率低下，且生产成本较高。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种离子注入设备和离子注入方法，能够简化离子掺杂工序，提高生产效率低下，且降低生产成本。本专利技术一实施例的离子注入设备，包括掩膜板、第一传送装置以及相连接的离子产生机构和制程腔室，所述离子产生机构用于产生离子，所述制程腔室中设置有预定工位，第一传送装置用于将待掺杂基板传送至预定工位，掩膜板设置于预定工位的上方，掩膜板设置有开口区，开口区用于与待掺杂基板的掺杂区对齐，使...
【技术保护点】
一种离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备包括掩膜板、第一传送装置以及相导通的离子产生机构和制程腔室，所述离子产生机构用于产生离子，所述制程腔室中设置有预定工位，所述第一传送装置用于将待掺杂基板传送至所述预定工位，所述掩膜板设置于所述预定工位的上方，所述掩膜板设置有开口区，所述开口区用于与所述待掺杂基板的掺杂区对齐，使得所述离子通过所述开口区注入所述掺杂区。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备包括掩膜板、第一传送装置以及相导通的离子产生机构和制程腔室，所述离子产生机构用于产生离子，所述制程腔室中设置有预定工位，所述第一传送装置用于将待掺杂基板传送至所述预定工位，所述掩膜板设置于所述预定工位的上方，所述掩膜板设置有开口区，所述开口区用于与所述待掺杂基板的掺杂区对齐，使得所述离子通过所述开口区注入所述掺杂区。2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括设置于所述离子产生机构和制程腔室之间的汇聚磁场机构，所述汇聚磁场机构用于调整所述离子使其沿同一方向运动。3.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括设置于所述制程腔室中的对位机构，所述对位机构用于监测所述掩膜板的开口区是否与所述待掺杂基板的掺杂区对齐。4.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备进一步包括第二传送装置，所述第二传送装置用于将所述掩膜板传送至所述预定工位的上方。5.根据权利要求4所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备还包括同步机构，所述同步机构与所述第一传送...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄奔，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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