一种离子束的注入角度的校正方法技术

本发明专利技术提供一种离子束的注入角度的校正方法。通过以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束。之后获取衬底部的晶格损伤度。再以不同的离子束的注入角度和衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线和第二二次曲线。再根据第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度和第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度调整离子束的注入方向。实现了在相互垂直的平面中分别检测离子束的注入角度的偏差，并调整所述偏差，提高了离子束的注入角度校正的准确性，同时便于调整离子束的注入角度。

A correction method for injection angle of ion beam

The present invention provides a correction method for injection angle of ion beam. Using different injection angle to be injected into the substrate of ion beam, ion beam implantation in the direction of the first plane or parallel to the plane of the first plane, and the plane parallel to the plane in second or second planes, and each department only injected a substrate by ion beam. Then the lattice damage of the substrate is obtained. The first two curves and the 22 curves are obtained by fitting the injection angle of different ion beams and the lattice damage degree of the substrate. The injection direction of the ion beam is adjusted according to the injection angle of the ion beam marked by the apex of the first two curves and the injection angle of the ion beam marked by the vertex of the 22 curve. The deviations were detected by ion beam injection angle in the plane perpendicular to each other in, and adjust the deviation, improve the accuracy of ion beam injection angle correction, and to facilitate the adjustment of the ion beam implantation angle.

【技术实现步骤摘要】
一种离子束的注入角度的校正方法
本专利技术涉及离子注入
，特别涉及一种离子束的注入角度的校正方法。
技术介绍
半导体器件制造时大多以离子注入的方式进行掺杂，将离子注入到半导体器件的衬底中以实现掺杂的机台多称之为离子注入机。离子注入机的离子源将掺杂剂离子化以产生杂质离子束，离子束经离子注入机引导后注入到半导体器件的衬底中。离子注入机需要精确控制注入到衬底中的离子注入剂量和离子束的注入角度以保证半导体器件的制造品质。因此，需要有较好的离子注入机的离子注入角度的校正方法，保证离子束的注入角度的准确性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种离子注入机的离子注入角度的校正方法，以解决现有的离子注入机的离子注入角度的校正方法校正准确性低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种离子束的注入角度的校正方法，一种离子束的注入角度的校正方法，离子束的注入方向与参考平面之间的夹角为离子束的注入角度，第一平面、第二平面、参考平面相互垂直；所述校正方法包括：以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束；获取第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线，获取所述第一二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内，以第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向；获取第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第二二次曲线，获取该第二二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，以第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。可选的，第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度中的一个与第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度中的一个相同。可选的，第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度呈等差分布。可选的，第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度中，相邻两个角度之差为0.1～1度。可选的，第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度呈等差分布。可选的，第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度中，相邻两个角度之差为0.1～1度。可选的，不同注入角度对应的衬底部均位于同一片晶圆上的不同区域。可选的，以第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度进行离子注入时，注入离子束的衬底部位于一片晶圆的不同区域；以第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度进行离子注入时，注入离子束的衬底部位于另一片晶圆的不同区域。可选的，采用某一注入角度进行离子注入时，采用挡板遮挡所述晶圆的其它区域。可选的，通过红外热波法检测衬底部的晶格损伤度。本专利技术提供的一种离子注入机的离子注入角度的校正方法，具有以下有益效果：首先，以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束。之后，获取第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线，获取所述第一二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内，以第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向；获取第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第二二次曲线，获取该第二二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，以第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。且，离子束的注入方向与参考平面之间的夹角为离子束的注入角度，第一平面、第二平面、参考平面相互垂直。实现了在相互垂直的平面中分别检测离子束的注入角度的偏差，并调整所述偏差，提高了离子束的注入角度校正的准确性，同时便于调整离子束的注入角度。附图说明图1是离子注入机向晶圆中注入离子束时的示意图；图2是本专利技术一实施例中的离子束的注入角度和晶格损伤度的一关系曲线图；图3是本专利技术一实施例中的离子束的注入角度和晶格损伤度的又一关系曲线图；图4是本专利技术一实施例中晶圆的一示意图；图5是本专利技术一实施例中晶圆又一示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种离子束的注入角度的校正方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本实施例提供一种离子束的注入角度的校正方法。离子束的注入方向与参考平面之间的夹角为离子束的注入角度，第一平面垂直于第二平面，参考平面同时垂直与所述第一平面和第二平面。所述校正方法方法包括：首先，通过离子注入机将离子束以至少三个不同注入角度依次注入到不同的待注入的衬底部中，所述离子束的注入方向为位于第一平面或者平行于第一平面的平面内。其次，通过离子注入机将离子束以至少三个不同注入角度依次注入到不同的待注入的衬底部中，所述离子束的注入方向为位于第二平面或者平行于第二平面的平面内。再次，检测所有经离子束注入的衬底部的晶格损伤度。然后，在以离子束的注入角度为X轴、以晶格损伤度为Y轴，或者以晶格损伤度为X轴、离子束的注入角度为Y轴的第一直角坐标系中，标示以位于第一平面或者平行于第一平面的平面内的注入方向与参考平面的夹角，以及与所述注入方向对应的衬底部的晶格损伤度为坐标的点，并对所述点进行拟合，以获得一条第一二次曲线，之后求第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度。然后，在以离子束的注入角度为X轴、以晶格损伤度为Y轴，或者以晶格损伤度为X轴、离子束的注入角度为Y轴的第一直角坐标系中，标示以位于第二平面或者平行于第二平面的平面内的注入方向与参考平面的夹角，以及与所述注入方向对应的衬底部的晶格损伤度为坐标的点，并对所述点进行拟合，以获得一条第二二次曲线，之后求第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度。然后，在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内，以第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。最后，在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，以第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。本实施例中，通过向待注入的衬底部中注入离子束，然后检测经注入的衬底部中的晶格损伤度，并以离子束的注入角度和对应的衬底部的晶格损伤度为坐标在直角坐标系中标点，再通过这些点拟合二次曲线，再通过分别在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内、或者在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，调整离子束的注入方向，实现了在相互垂直的平面中分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子束的注入角度的校正方法，离子束的注入方向与参考平面之间的夹角为离子束的注入角度，第一平面、第二平面、参考平面相互垂直；其特征在于，所述校正方法包括：以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束；获取第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线，获取所述第一二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内，以第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向；获取第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第二二次曲线，获取该第二二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，以第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。

【技术特征摘要】
1.一种离子束的注入角度的校正方法，离子束的注入方向与参考平面之间的夹角为离子束的注入角度，第一平面、第二平面、参考平面相互垂直；其特征在于，所述校正方法包括：以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束；获取第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线，获取所述第一二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第一平面或者平行于第一平面的平面内，以第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向；获取第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度，根据该至少三个不同注入角度对应的衬底部的晶格损伤度拟合得到第二二次曲线，获取该第二二次曲线的顶点对应的离子束的注入角度；在所述第二平面或者平行于第二平面的平面内，以第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度为参考调整离子束的注入方向。2.如权利要求1所述的离子束的注入角度的校正方法，其特征在于，第一平面或者平行于第一平面的平面内的至少三个不同注入角度中的一个与第二平面或者平行于第二平面的平面内的至少三个不同注入角度中的一个相同。3.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁立军，赖朝荣，王智，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31