离子注入方法及离子注入装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种离子注入方法及离子注入装置，用于更加准确地评价离子束的注入角度分布。离子注入方法中，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用特性的测量结果评价离子束的注入角度分布。晶片也可以取向成具有平行于规定的基准面的沟道效应面(98)，但不具有与基准面正交且与基准轨道方向平行的沟道效应面，所述规定的基准面与入射于晶片的离子束的基准轨道方向平行。

Ion implantation method and ion implantation device

The invention provides an ion implantation method and an ion implantation device, which is used to evaluate the implantation angle distribution of an ion beam more accurately. Method of ion implantation, ion beam irradiation wafer configuration to meet the conditions prescribed by the planar channeling mode, specifying characteristics of wafer surface measuring beam after irradiation, and the measurement results using the characteristics of the evaluation of the angular distribution of ion beam implantation. Wafer can be oriented with parallel to the provisions of the reference surface channeling surface (98), but not with the datum and orthogonal channel effect in parallel with the base track direction, parallel to the reference orbit datum of the prescribed and the incident ion beam direction on wafer.

【技术实现步骤摘要】
离子注入方法及离子注入装置
本申请主张基于2016年3月18日申请的日本专利申请第2016-055823号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入方法及离子注入装置，尤其涉及一种控制离子束的注入角度分布的技术。
技术介绍
半导体制造工序中，以改变半导体的导电性及改变半导体的晶体结构为目的等，规范地实施向半导体晶片注入离子的工序(以下，也称为“离子注入工序”)。离子注入工序中所使用的装置被称为离子注入装置，其具有由离子源生成离子并对所生成的离子进行加速而形成离子束的功能以及将该离子束传送至注入处理室并对处理室内的晶片照射离子束的功能。为了对成为处理对象的晶片的整面注入离子，例如，离子束通过射束扫描仪进行往复扫描，晶片沿与射束扫描方向正交的方向往复运动。已知若改变入射于晶片的离子束的角度，则离子束与晶片之间的相互作用的方式发生变化，并影响离子注入的处理结果。例如，当沿晶片的晶轴或晶面入射离子束时，与非此方式的情形相比，发生注入离子从射束的入射面到达更深位置的沟道效应现象，影响作为注入处理的结果所得到的晶片内的载流子浓度分布。因此，提出有控制用于注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入方法，其特征在于，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用所述特性的测量结果评价所述离子束的注入角度分布。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0558231.一种离子注入方法，其特征在于，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用所述特性的测量结果评价所述离子束的注入角度分布。2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述晶片取向成具有平行于规定的基准面的沟道效应面，但不具有与所述基准面正交且与基准轨道方向平行的沟道效应面，所述规定的基准面与入射于所述晶片的离子束的所述基准轨道方向平行。3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，评价与所述基准面正交的方向的所述离子束的注入角度分布。4.根据权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，向以所述离子束的扫描方向与所述基准面正交的方式配置的所述晶片照射沿所述扫描方向进行往复扫描的离子束，并评价所述离子束的所述扫描方向的注入角度分布。5.根据权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，向以所述离子束的扫描方向与所述基准面平行的方式配置的所述晶片照射沿所述扫描方向进行往复扫描的离子束，并评价与所述离子束的所述扫描方向正交的方向的注入角度分布。6.根据权利要求2至5中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述晶片是晶片主面为(100)面的结晶性衬底，且配置成所述晶片绕晶片主面的法线旋转时的＜110＞方位与所述基准面之间的扭转角为0度或45度，所述晶片绕所述基准面的法线旋转时的晶片主面的法线与所述基准轨道方向之间的倾角在7度～60度的范围内。7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述晶片是晶片主面的偏角为0.1度以下的结晶性衬底。8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述测量结果是所述射束照射后的晶片表面的电阻值。9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述测量结果是通过热波法测量的所述射束照射后的晶片表面的热波信号。10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，所述测量结果是通过二次离子质谱(SIMS)测量的所述射束照射后的晶片表面的注入杂质浓度的深度分布。11.根据权利要求1至10中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，向设定在所述晶片的晶片主面上的多个区域照射射束条件不同的离子束，按照所述多个区域中的每个区域测量射束照射后的所述晶片的特性，并使用所述多个区域中的每个区域的测量结果评价所述离子束的注入角度分布。12.根据权利要求11所述的离子注入方法，其特征在于，关于所述射束条件不同的离子束，至少射束的角度条件不同。13.根据权利要求11或12所述的离子注入方法，其特征在于，关于所述射束条件不同的离子束，生成所述离子束的装置不同。14.根据权利要求1至13中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，具备如下步骤：向以满足第1面沟道效应条件的方式配置的第1晶片照射离子束，并测量射束照射后的所述第1晶片的特性；向以满足与所述第1面沟道效应条件不同的第2面沟道效应条件的方式配置的第2晶片照射离子束，并测量射束照射后的所述第2晶片的特性；及使用所述第1晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎洋司，佐野信，塚原一孝，
申请(专利权)人：住友重机械离子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP