离子注入装置及扫描波形制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种离子注入装置及扫描波形制作方法，其课题为在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布。本发明专利技术的离子注入装置(10)具备：射束扫描仪(26)，沿射束扫描方向提供往复射束扫描；第2射束测量部(50)，在射束扫描仪(26)的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布；及控制装置(60)。控制装置(60)具备扫描波形制作部，所述扫描波形制作部判断在给定的扫描波形的基础上通过第2射束测量部(50)测量的测量射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布，当适合时，将给定的扫描波形与目标不均匀剂量分布建立对应关联。

Ion implantation device and scanning wave form making method

The invention provides an ion implantation device and a method for making a scanning waveform. The subject of the invention is to accurately realize uneven two-dimensional ion implantation amount distribution on the substrate surface. An ion implantation device (10) includes a beam scanner (26), provide a reciprocating beam scanning along the beam scanning direction; second beam measuring part (50), the beam scanner (26) beam current intensity distribution downstream of the measuring beam scanning direction; and a control device (60). The control device (60) with scanning waveform production department, the production department to determine scanning waveform through second beam measuring department based on scanning waveform is given on the (50) measurement of beam current intensity distribution is suitable for the target dose uniformity distribution, when appropriate, to scan waveform and the target dose uniformity the establishment of the corresponding distribution association.

【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及扫描波形制作方法
本申请主张基于2016年3月18日申请的日本专利申请第2016-055824号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入装置及扫描波形制作方法。
技术介绍
半导体制造工序中，以改变导电性及改变半导体晶片的晶体结构为目的等，规范地实施向半导体晶片注入离子的工序。该工序中使用的装置通常被称为离子注入装置。在大多数情况下，要求在晶片面内实现均匀的二维离子注入量分布。但是也存在想要不均匀的二维离子注入量分布的情况。专利文献1：日本专利第5638995号公报
技术实现思路
本专利技术的一种方式的例示性目的之一在于，提供一种有助于在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布的技术。根据本专利技术的一种方式，离子注入装置具备：射束扫描仪，按照扫描波形沿射束扫描方向提供往复射束扫描；机械扫描仪，使衬底沿机械扫描方向往复运动；控制装置，控制所述射束扫描仪及所述机械扫描仪，以给予衬底表面目标二维不均匀剂量分布；及射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布。所述控制装置具备：目标设定部，将所述目标二维不均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入装置，其特征在于，具备：射束扫描仪，按照扫描波形沿射束扫描方向提供往复射束扫描；机械扫描仪，使衬底沿机械扫描方向往复运动；控制装置，控制所述射束扫描仪及所述机械扫描仪，以给予衬底表面目标二维不均匀剂量分布；及射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布，所述控制装置具备：目标设定部，将所述目标二维不均匀剂量分布转换成多个目标剂量分布，所述多个目标剂量分布各自为射束扫描方向的剂量分布且在机械扫描方向形成于不同的位置；及射束扫描驱动部，从注入用扫描波形数据库获取与所述多个目标剂量分布分别对应的扫描波形，根据机械扫描方向的衬底位置从所获取的扫描波形中选择任一扫...

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0558241.一种离子注入装置，其特征在于，具备：射束扫描仪，按照扫描波形沿射束扫描方向提供往复射束扫描；机械扫描仪，使衬底沿机械扫描方向往复运动；控制装置，控制所述射束扫描仪及所述机械扫描仪，以给予衬底表面目标二维不均匀剂量分布；及射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布，所述控制装置具备：目标设定部，将所述目标二维不均匀剂量分布转换成多个目标剂量分布，所述多个目标剂量分布各自为射束扫描方向的剂量分布且在机械扫描方向形成于不同的位置；及射束扫描驱动部，从注入用扫描波形数据库获取与所述多个目标剂量分布分别对应的扫描波形，根据机械扫描方向的衬底位置从所获取的扫描波形中选择任一扫描波形，并使用所选择的扫描波形驱动所述射束扫描仪，所述多个目标剂量分布包括至少一个目标不均匀剂量分布，所述控制装置还具备扫描波形制作部，所述扫描波形制作部判断在给定的扫描波形的基础上通过所述射束电流测量部测量的测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布，当适合时，将所述给定的扫描波形与所述目标不均匀剂量分布建立对应关联并存储于所述注入用扫描波形数据库。2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，当所述测量射束电流强度分布不适合所述目标不均匀剂量分布时，所述扫描波形制作部对所述给定的扫描波形进行修正，并判断在经修正的扫描波形的基础上重新测量的测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布。3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述扫描波形制作部反复进行以规定步骤制作扫描波形，并判断在制作出的扫描波形的基础上通过所述射束电流测量部测量的测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布，直至找出适合的测量射束电流强度分布。4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述扫描波形制作部遍及由用于向所述衬底表面注入离子的所述射束扫描仪进行扫描的扫描范围，判断所述测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布。5.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述目标不均匀剂量分布具有：第1精密注入区域，设定为第1目标剂量；及第2精密注入区域，设定为第2目标剂量且与所述第1精密注入区域在射束扫描方向上相邻，所述控制装置具备过渡区域设定部，所述过渡区域设定部在所述第1精密注入区域与所述第2精密注入区域之间设定过渡区域，所述扫描波形制作部将所述过渡区域除外而判断所述测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布。6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，所述离子注入装置还具备射束线构成要件，所述射束线构成要件配设在所述射束扫描仪的上游或下游，并且能够调整所述衬底表面上的射束扫描方向的射束宽度，所述控制装置具备射束宽度调整部，所述射束宽度调整部控制所述射束线构成要件以使所述射束宽度比过渡区域在射束扫描方向的长度短。7.根据权利要求5或6所述的离子注入装置，其特征在于，过渡区域在射束扫描方向的长度为5mm以上且30mm以下。8.根据权利要求5至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个目标剂量分布包括一组目标不均匀剂量分布，所述一组目标不均匀剂量分布分别具有过渡区域且沿机械扫描方向排列，过渡区域遍及所述一组目标不均匀剂量分布而连续。9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述扫描波形...

【专利技术属性】
技术研发人员：二宫史郎，越智昭浩，
申请(专利权)人：住友重机械离子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP