离子注入装置及测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于准确地测量离子束的角度重心的技术。角度测量装置(48)具备：狭缝(62)，供离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及多个电极体(64a～64g)，设置在射束行进方向上远离狭缝(62)的位置，并且各自具有射束测量面(65a～65g)，所述射束测量面为相对于通过狭缝(62)后的离子束暴露的区域。多个电极体(64a～64g)配置成各电极体的射束测量面在狭缝宽度方向上依次排列，并且在狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在射束行进方向上错开。

Ion implantation device and measuring device

The present invention provides a technique for accurately measuring the angular center of gravity of an ion beam. The angle measuring device (48) includes a slit (62), for the incident ion beam, and the slit width direction is orthogonal direction of beam and ion beam toward the wafer direction; and a plurality of electrode (64a ~ 64g), set in the direction of travel of the beam away from the slit (62) position, and their with a beam measuring surface (65A ~ 65g), the measurement of the surface relative to the beam through the slit (62) after the ion beam exposure area. A plurality of electrode bodies (64a to 64g) configured with beam measuring surfaces of each electrode body are arranged in a slit width direction, and in the slit width direction, adjacent beam measuring surfaces are staggered in the beam travel direction.

【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及测量装置
本申请主张基于2016年3月18日申请的日本专利申请第2016-055822号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入装置，尤其涉及测量离子束的角度分布的技术。
技术介绍
半导体制造工序中，以改变半导体的导电性及改变半导体的晶体结构为目的等，规范地实施对半导体晶片注入离子的工序(以下，也称为“离子注入工序”)。离子注入工序中所使用的装置被称为离子注入装置，其具有由离子源生成离子并对所生成的离子进行加速而形成离子束的功能以及将该离子束传送至注入处理室并对处理室内的晶片照射离子束的功能。为了测量照射于晶片的离子束的行进角，使用沿与射束行进方向正交的方向排列的多个射束检测器(例如，参考专利文献1)。专利文献1：日本特开2008-146863号公报入射于晶片的离子束角度特性可例举作为射束整体的平均值的入射角度(角度重心)。通常，为了提高射束的角度重心的测量精度，需要在欲测量射束的角度分量的方向上排列多个射束检测器，并且缩小射束检测器的配置间隔而增加设置数量。然而，若增加射束检测器的设置数量而缩小一个射束检测器的检测范围，则直至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入装置，其具备用于测量照射于晶片的离子束的角度分布的测量装置，其特征在于，所述测量装置具备：狭缝，供所述离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向所述晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及多个电极体，设置在所述射束行进方向上远离所述狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过所述狭缝后的离子束暴露的区域，所述多个电极体配置成各电极体的射束测量面在所述狭缝宽度方向上依次排列，并且在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向上错开。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0558221.一种离子注入装置，其具备用于测量照射于晶片的离子束的角度分布的测量装置，其特征在于，所述测量装置具备：狭缝，供所述离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向所述晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及多个电极体，设置在所述射束行进方向上远离所述狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过所述狭缝后的离子束暴露的区域，所述多个电极体配置成各电极体的射束测量面在所述狭缝宽度方向上依次排列，并且在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向上错开。2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体在由所述射束行进方向及所述狭缝宽度方向规定的剖面视图中配置成各电极体的射束测量面以V字形或倒V字形排列。3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体配置成所述射束测量面在所述狭缝宽度方向上相邻的至少一组电极体在所述射束行进方向上重叠。4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体中，与具有位于所述射束行进方向的上游侧的射束测量面的电极体相比，具有位于所述射束行进方向的下游侧的射束测量面的电极体在所述狭缝宽度方向上长。5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体中的至少一个电极体的所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度与所述狭缝的狭缝宽度相同。6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度与所述狭缝的狭缝宽度相同的至少一个电极体具有射束测量面，所述射束测量面相比其它至少一个电极体，位于所述射束行进方向的上游侧。7.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，所述其它至少一个电极体的所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度比所述狭缝的狭缝宽度长。8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体中，在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向的位置偏移量比所述狭缝的狭缝宽度小。9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体中，从通过所述狭缝的离子束观察时，各电极体的射束测量面配置成无间隙地在所述狭缝宽度方向上排列。10.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个电极体中的至少一个电极体具有所述狭缝宽度方向的长度朝向所述射束行进方向变小的形状。11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥和久，
申请(专利权)人：住友重机械离子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP