半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够实现均匀的衬底处理的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。在衬底处理装置中，具有：反应管，其在内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在反应管的外部，对处理室进行加热；气体供给部，其设在反应管内，供给对衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，等离子体生成部至少根据高频电源的频率和对电极施加的电压来确定相邻的第一电极部与第二电极部的电极间距离。

Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and substrate processing method

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device capable of achieving uniform substrate processing, a substrate processing device, and a substrate processing method. With the substrate processing apparatus, reaction tube, the formation of a processing chamber for processing a substrate for inside; heating device, located outside the reaction tube, heating of the processing chamber; a gas supply part, a reaction tube, processing gas supply on substrate processing; Ministry of plasma and the generation of. The second part of the electrode, the electrode electrode alternately with the first electrode connected with a high-frequency power supply and grounding to surround the outer wall of the reaction tube for the whole week of the first electrode and the second electrode distance of electrode plasma generation at least according to the high frequency power frequency and voltage applied to the electrode to determine the adjacent between.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。
技术介绍
作为半导体器件(device)的制造工序的一个工序，有时进行如下衬底处理：将衬底搬入到衬底处理装置的处理室内，向处理室内供给原料气体和反应气体，来在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或者除去各种膜。在形成有精细图案的量产器件中，为了抑制杂质的扩散、能够使用有机材料等耐热性低的材料而谋求低温化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-59527号公报
技术实现思路
为了解决这样的问题，一般使用等离子体来进行衬底处理，但是，由等离子体生成的离子和/或自由基等活性种根据种类而量和寿命存在偏差，因此难以均匀地对膜进行处理。本专利技术的目的在于提供一种能够实现均匀的衬底处理的技术。根据本专利技术的一个方案，提供如下技术：衬底处理装置具有：反应管，在其内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在上述反应管的外部，对上述处理室进行加热；气体供给部，其设在上述反应管内，供给对上述衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围上述反应管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：反应管，在其内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在所述反应管的外部，对所述处理室进行加热；气体供给部，其设在所述反应管内，供给对所述衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，所述电极以包围所述反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，所述等离子体生成部的相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的电极间距离至少由所述高频电源的频率和对所述电极施加的电压确定，基于所述电极间距离来设置所述第一电极部和所述第二电极部。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0553641.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：反应管，在其内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在所述反应管的外部，对所述处理室进行加热；气体供给部，其设在所述反应管内，供给对所述衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，所述电极以包围所述反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，所述等离子体生成部的相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的电极间距离至少由所述高频电源的频率和对所述电极施加的电压确定，基于所述电极间距离来设置所述第一电极部和所述第二电极部。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，配置成相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的电极间距离为所述反应管的壁面的厚度的1/2倍以上。3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其特征在于，配置成相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的中心间距离为所述衬底的周缘部与反应管的外壁之间的距离的2倍以下。4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，配置成相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的中心间距离为10mm以上、110mm以下。5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的电极间距离由算式1确定，【算式1】其中，V为电压，f为频率，m为质量，e/m为电子的荷质比。6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，还具有至少控制所述等离子体生成部的控制部，所述控制部构成为，以使等离子体中的电子的振动振幅相当于将所述第一电极部与所述第二电极部的中心间距离相连的所述高频电源的电力线的一半的方式，控制所述高频电源的频率。7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述气体供...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田刚，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP