一种电感耦合等离子体刻蚀设备制造技术

本发明专利技术公开了一种电感耦合等离子体刻蚀设备，包括反应腔室，还包括快速无扰动气体注入装置和尾气处理装置，所述快速无扰动气体注入装置包括相互独立的刻蚀气体注入组件和侧壁沉积气体注入组件，所述刻蚀气体注入组件和所述侧壁沉积气体注入组件均包括进气管和两路注入管，所述进气管通过一路所述注入管与所述反应腔室连通，并通过另一路注入管与所述尾气处理装置连通。本发明专利技术具有结构简单、切换速度快、反应腔室内压力稳定等优点。

Inductively coupled plasma etching apparatus

The invention discloses an inductively coupled plasma etching device comprises a reaction chamber, including fast undisturbed gas device and exhaust gas treatment device into the fast undisturbed gas injection device including the injection unit and the side wall deposition gas is injected into the etching gas components independent of each other, the etching gas is injected into the assembly and the side wall the deposition gas injection component comprises an air inlet pipe and two injection pipe, the inlet pipe through a path of the injection tube and the reaction chamber, and through another path injection pipe and the exhaust gas treatment device connected. The invention has the advantages of simple structure, fast switching speed, stable pressure in the reaction chamber, etc..

【技术实现步骤摘要】
一种电感耦合等离子体刻蚀设备
本专利技术涉及等半导体制造设备，尤其涉及一种电感耦合等离子体（ICP，InductiveCoupledPlasmaEmissionSpectrometer）刻蚀设备。
技术介绍
在半导体制造设备领域，作为在半导体晶片的基板上进行成膜处理或者蚀刻处理的装置，一般使用电感耦合等离子体(ICP)的等离子体处理装置。具体深反应离子刻蚀方法通常采用刻蚀和侧壁沉积保护循环交替进行，经多次循环交替刻蚀实现深硅刻蚀。这种方法中刻蚀和侧壁沉积的时间都很短，最多十几秒钟，有的工艺甚至更短以获得较好的工艺效果，这就要求刻蚀和侧壁沉积的工艺气体应进行快速切换。如附图1所示，现有的ICP刻蚀设备是将刻蚀和侧壁沉积工艺气体汇集到一根管道，然后从反应室顶部中心注入反应腔室，这样很难保证工艺气体之间的快速切换，且由于刻蚀气体和侧壁沉积气体的分子量不同、在等离子体状态下的解离程度不同等原因，在刻蚀气体和侧壁沉积气体进入反应腔室的瞬间会引起反应腔室压力的变化。这种压力的变化会导致工艺结果的不稳定，引起刻蚀形状不够均匀，侧壁不够光滑等问题。此外，现有的ICP设备由于工艺气体从反应腔室顶部的中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合等离子体刻蚀设备，包括反应腔室（1），其特征在于：还包括快速无扰动气体注入装置和尾气处理装置（2），所述快速无扰动气体注入装置包括相互独立的刻蚀气体注入组件（3）和侧壁沉积气体注入组件（4），所述刻蚀气体注入组件（3）和所述侧壁沉积气体注入组件（4）均包括进气管（100）和两路注入管（200），所述进气管（100）通过一路所述注入管（200）与所述反应腔室（1）连通，并通过另一路注入管（200）与所述尾气处理装置（2）连通。

【技术特征摘要】
1.一种电感耦合等离子体刻蚀设备，包括反应腔室（1），其特征在于：还包括快速无扰动气体注入装置和尾气处理装置（2），所述快速无扰动气体注入装置包括相互独立的刻蚀气体注入组件（3）和侧壁沉积气体注入组件（4），所述刻蚀气体注入组件（3）和所述侧壁沉积气体注入组件（4）均包括进气管（100）和两路注入管（200），所述进气管（100）通过一路所述注入管（200）与所述反应腔室（1）连通，并通过另一路注入管（200）与所述尾气处理装置（2）连通。2.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述进气管（100）上设有流量控制阀（101）和第一开关阀（102），所述注入管（200）上设有第二开关阀（201）。3.根据权利要求2所述的电感耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述流量控制阀（101）为质量流量控制器，所述第一开关阀（102）和所述第二开关阀（201）均为气动阀。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电感耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于：所述反应腔室（1）的顶部设有匀流顶盖（11），所述匀流顶盖（11）上设有第一导流环（111）、一对第一连接管（112）及多条第一导流槽（113），一对第一连接管（112）对称布置于所述第一导流环（111）两侧，刻蚀气体注入组件（3）的注入管（200）通过一对第一连接管（112）与第一导流环（111）连通，多条第一导流槽（113）平行等距布置于第一导流环（111）内且各第一导流槽（113）两端均与第一导流环（111）连通，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛朝斌，陈特超，舒勇东，胡凡，罗超，范江华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南,43