等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法。在电感耦合等离子炬单元中，线圈、第一陶瓷块及第二陶瓷块彼此平行布置，并且长形的腔室为环状。在腔室内产生的等离子体通过腔室中的开口部向衬底喷出。通过使长形的腔室和衬底沿与开口部的纵向方向垂直的方向相对移动来对衬底进行处理。通过设置旋转的圆筒状的陶瓷管以便使制冷剂流向陶瓷管内部形成的空腔。由此能够施加较高的高频功率，从而能够进行快速的等离子体处理。

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method of manufacturing electronic device

The present invention relates to a plasma processing device, a plasma processing method and a method of manufacturing an electronic device. In the inductively coupled plasma torch unit, the coil, the first ceramic block and the two ceramic block are arranged parallel to each other, and the elongated chamber is annular. The plasma produced in the chamber is ejected from the opening through the opening in the chamber. The substrate is processed by moving the elongated chamber and substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the opening. A rotating cylindrical ceramic tube is provided to allow the refrigerant to flow to a cavity formed within the ceramic tube. Thus, higher high-frequency power can be applied so that rapid plasma processing can be performed.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法本申请是于2015年8月27日提交的、中国申请号为201510535288.7、专利技术名称为“等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法，其中向衬底发射热等离子体来对衬底执行热等离子体处理，或其中通过发射使用反应气体的等离子体或同时发射等离子体和反应气体流来对衬底执行低温等离子体处理。
技术介绍
在现有技术中，诸如多晶硅(poly-Si)的半导体薄膜广泛利用于薄膜晶体管(TFT)或太阳能电池中。作为以低成本形成半导体薄膜的方法，通过向非晶硅膜发射激光束而使半导体薄膜结晶。激光加工还能够适用于通过离子注入或等离子体掺杂而被导入到半导体衬底的杂质原子的活化等。然而，该激光退火技术存在所达到的温度取决于被加热物的光吸收的大小而极大变化或者产生接缝等缺点，并且需要非常昂贵的设备。因此，已经研究了一种如下技术：其中通过产生长形的热等离子体并只沿一个方向执行扫描来执行加热，而不依赖于被加热物的光吸收，并且以低成本且无接缝地执本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用电感耦合等离子炬的等离子体处理装置，包括：长形且环状的腔室，所述腔室除开口部以外被电介质部件包围，并且与所述开口部连通；气体供应管，所述气体供应管向所述腔室内导入气体；线圈，所述线圈设置于所述腔室附近；高频电源，所述高频电源连接到所述线圈；以及衬底载置台，其中，在包围所述腔室的所述电介质部件中，构成与所述衬底载置台相对的表面的部分被配置成包括与所述腔室的纵向方向平行布置的圆筒，并且其中，所述环状的腔室是连续的封闭带状的形状。

【技术特征摘要】
2014.09.19 JP 2014-1909941.一种利用电感耦合等离子炬的等离子体处理装置，包括：长形且环状的腔室，所述腔室除开口部以外被电介质部件包围，并且与所述开口部连通；气体供应管，所述气体供应管向所述腔室内导入气体；线圈，所述线圈设置于所述腔室附近；高频电源，所述高频电源连接到所述线圈；以及衬底载置台，其中，在包围所述腔室的所述电介质部件中，构成与所述衬底载置台相对的表面的部分被配置成包括与所述腔室的纵向方向平行布置的圆筒，并且其中，所述环状的腔室是连续的封闭带状的形状。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，进一步包括：旋转机构，所述旋转机构使所述圆筒围绕所述圆筒的轴旋转。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述圆筒为内部形成有空腔的管，并且包括用于使制冷剂流向形成在所述圆筒内部的所述空腔内的机构。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述圆筒在...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村智洋，末益智志，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP