等离子体处理方法以及等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对保持在保持片的基板进行等离子体处理时，提高产品的成品率。等离子体处理方法包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；以及固定工序，将保持片固定在所述载置台。还包括：判定工序，在固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在载置台上使基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。

Plasma processing method and plasma processing apparatus

A plasma treatment method and a plasma processing apparatus that improve the yield of a product when subjected to plasma treatment on a substrate of a holding sheet. The plasma processing method includes a loading process, a holding sheet holding the substrate, a loading table arranged on the plasma processing device, and a fixing process, wherein the holding sheet is fixed at the loading table. It includes the judgment process, in the process of fixed contact state after determining that the retaining plate and the mounting table is good; and the plasma etching process, determine the process for determining the contact state in good condition, so that the surface of the substrate on the table are exposed to the plasma, thus for etching the substrate.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法以及等离子体处理装置
本公开涉及对保持在保持片的基板进行等离子体处理的方法以及装置。
技术介绍
作为切割基板的方法，已知有对形成了掩模的基板实施等离子体蚀刻而将其分割为单个芯片的等离子体切割。专利文献1公开了如下内容，即，为了提高传送等时的基板的操作性，在将基板保持在具备框架和覆盖框架的开口部的保持片的运输载体的状态下，将其载置在等离子体处理装置具备的载置台，并进行等离子体处理。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特表2014-513868号公报
技术实现思路
保持片的厚度小，易挠曲。因此，保持了基板的运输载体有时以保持片产生了褶皱的状态载置到载置台。当在保持片残留有褶皱的状态下进行等离子体处理时，会在褶皱的部分产生异常放电，或者使褶皱的部分的温度上升，从而难以正常进行等离子体处理。近年来，电子设备在小型化和薄型化，搭载在电子设备的IC芯片等的厚度减小。与此相伴地，用于形成成为切割的对象的IC芯片等的基板的厚度也减小，与保持片同样地，基板也变得易挠曲。在将这样的易挠曲的基板粘接到易挠曲的保持片而进行保持的情况下，如果在保持片产生褶皱，则在基板也容易产生褶皱。进而，在框架存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；固定工序，将所述保持片固定在所述载置台；判定工序，在所述固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在所述判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在所述载置台上使所述基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0547761.一种等离子体处理方法，包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；固定工序，将所述保持片固定在所述载置台；判定工序，在所述固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在所述判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在所述载置台上使所述基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备判定用气孔，所述判定用气孔形成在所述载置台的表面，并与气体导入路径连接，在所述判定工序中，从所述判定用气孔将气体导入到所述载置台与所述保持片之间，并基于所述气体导入路径中的所述气体的压力或所述压力的控制信息进行所述接触状态的判定。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备位移传感器，所述位移传感器测定载置在所述载置台的所述基板的表面的高度，在所述判定工序中，通过所述位移传感器测定载置在所述载置台的所述基板的表面的高度，并基于测定的所述基板的所述表面的高度进行所述接触状态的判定。4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述等...

【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，针贝笃史，伊藤彰宏，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP