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本发明提供一种能够实现均匀的衬底处理的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。在衬底处理装置中，具有：反应管，其在内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在反应管的外部，对处理室进行加热；气体供给部，其设在反应管内，供给对衬...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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