离子注入装置及离子注入装置的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明专利技术的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，用于向真空处理室(16)搬入晶片，并从真空处理室(16)搬出晶片；中间输送室(52)，与真空处理室(16)及装载锁定室(54a、54b)这两者相邻而设；装载锁定室‑中间输送室连通机构(72a、72b)，其具有连通装载锁定室(54a、54b)与中间输送室(52)之间的装载锁定室‑中间输送室连通口及能够封闭装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构(70)，其具有连通中间输送室(52)与真空处理室(16)之间的中间输送室‑真空处理室连通口及能够屏蔽中间输送室‑真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板。

Control Method of Ion Implantation Device and Ion Implantation Device

【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及离子注入装置的控制方法本专利技术是本申请人于2015年6月15日提交的中国专利申请号为201510328896.0、专利技术名称为“离子注入装置及离子注入装置的控制方法”的分案申请。
本申请主张基于2014年6月17日申请的日本专利申请第2014-124227号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法。
技术介绍
半导体制造工序中，出于改变导电性以及改变半导体晶片的晶体结构的目的等而规范地实施向半导体晶片注入离子的工序(以下有时称为“离子注入工序”)。在离子注入工序中使用的装置被称为离子注入装置，该装置具有通过离子源生成离子，并使生成的离子加速以形成离子束的功能；及将该离子束传输至真空处理室，并向处理室内的晶片照射离子束的功能。并且，离子注入装置上设有向处理室供给未进行离子注入的晶片，并排出进行了离子注入的晶片的装置(以下还称为“晶片输送装置”)。晶片输送装置具有用于向真空处理室搬入置于大气压中的晶片的装载锁定室。晶片输送装置在将晶片搬入到大气压状态的装载锁定室之后，对装载锁定室进行真空排气，通过连通成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：真空处理室，进行对晶片的离子注入处理；一个以上的装载锁定室，用于将晶片搬入到所述真空处理室，并从所述真空处理室搬出晶片；中间输送室，与所述真空处理室及所述装载锁定室这两者相邻而设；中间输送机构，设置于所述中间输送室，并实现所述装载锁定室与所述中间输送室之间的晶片输送及所述中间输送室与所述真空处理室之间的晶片输送；装载锁定室‑中间输送室连通机构，其具有连通所述装载锁定室与所述中间输送室之间的装载锁定室‑中间输送室连通口；及可封闭所述装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构，其具有连通所述中间输送室与所述真空处理室之间的中间输送室...

【技术特征摘要】
2014.06.17 JP 2014-1242271.一种离子注入装置，其特征在于，具备：真空处理室，进行对晶片的离子注入处理；一个以上的装载锁定室，用于将晶片搬入到所述真空处理室，并从所述真空处理室搬出晶片；中间输送室，与所述真空处理室及所述装载锁定室这两者相邻而设；中间输送机构，设置于所述中间输送室，并实现所述装载锁定室与所述中间输送室之间的晶片输送及所述中间输送室与所述真空处理室之间的晶片输送；装载锁定室-中间输送室连通机构，其具有连通所述装载锁定室与所述中间输送室之间的装载锁定室-中间输送室连通口；及可封闭所述装载锁定室-中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室-真空处理室连通机构，其具有连通所述中间输送室与所述真空处理室之间的中间输送室-真空处理室连通口；及能够屏蔽所述中间输送室-真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板，所述真空处理室和所述中间输送室在不进行晶片处理的稳定状态下被保持成真空状态。2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述装载锁定室-中间输送室连通口及所述中间输送室-真空处理室连通口为供晶片通过而设。3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板构成为，能够封闭所述中间输送室-真空处理室连通口。4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述中间输送室与不同于连接在所述真空处理室的第1真空排气装置的第2真空排气装置连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板设置于所述中间输送室与所述真空处理室中的至少一方。6.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板设置于所述中间输送室-真空处理室连通口的中途。7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板构成为，能够在不妨碍所述中间输送室与所述真空处理室之间的晶片输送的开位置与屏蔽所述中间输送室-真空处理室连通口的一部分或全部的闭位置之间进行变更。8.根据权利要求7所述的离子注入装置，其特征在于，在所述中间输送室与所述真空处理室之间输送晶片时，所述屏蔽板位于所述开位置；在所述真空处理室进行离子注入处理时，所述屏蔽板位于所述闭位置。9.根据权利要求7或8所述的离子注入装置，其特征在于，在所述中间输送室与所述真空处理室之间开始输送晶片时，所述屏蔽板从所述闭位置向所述开位置移动；在所述中间输送室与所述真空处理室之间结束晶片输送时，所述屏蔽板从所述开位置向所述闭位置移动。10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板具有闸门式结构，该结构使得所述屏蔽板能够向与在所述中间输送室和所述真空处理室之间输送的晶片的输送方向正交的方向移动。11.根据权利要求10所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板由能够封闭所述中间输送室-真空处理室连通口的闸阀构成。12.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板具有摆动式结构，该结构使得所述屏蔽板能够向与在所述中间输送室和所述真空处理室之间输送的晶片的输送方向移动。13.根据权利要求1至12中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述屏蔽板通过屏蔽所述中间输送室-真空处理室连通口的一部分或全...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田庆二，藤井嘉人，工藤哲也，戎真志，广川卓，
申请(专利权)人：住友重机械离子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP