温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，...
该专利属于住友重机械离子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过住友重机械离子技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。