一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，公开了一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法为：将ZrOCl2·8H2O溶于乙二醇单甲醚中，配置浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液，将其旋涂到ITO玻璃衬底表面，然后在300～400℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜，再通过磁控溅射镀IGZO，然后在300～400℃下退火处理，最后通过磁控溅射镀Al源漏电极，得到所述高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管。本发明专利技术以特定的氧化物前驱体溶液通过旋涂法制备氧化物绝缘层薄膜，解决了前驱体体系不稳定，导致旋涂效果差、薄膜不均匀以及绝缘层漏电的问题，实现了低漏电高介电的性能。

Preparation method of high dielectric oxide thin film transistor with solution processing

The invention belongs to the field of display device technology, and discloses a method for preparing high dielectric oxide insulating film transistor with solution processing. The preparation method is as follows: the ZrOCl2 of 8H2O dissolved in ethylene glycol monomethyl ether, configuration concentration is 0.3 ~ 0.6mol/L precursor solution, the ITO spin coating to the surface of the glass substrate, and then in the 300 to 400 DEG C annealing of 1 ~ 2H, get the zirconium oxide insulating layer film by magnetron sputtering IGZO, then at 300 to 400 DEG C annealing, finally by magnetron sputtering Al source drain electrode, the high dielectric insulating layer of oxide thin film transistor. The invention in particular oxide precursor solution were prepared by spin coating oxide insulating film, solves the precursor system instability, resulting in spin coating effect is poor, uneven film and an insulating layer leakage problem, realize the performance of high dielectric low leakage current.

【技术实现步骤摘要】
一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法
本专利技术属于显示器件
，具体涉及一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
底栅型薄膜晶体管一般由基底、栅极、栅极绝缘层、沟道层和源漏电极构成，目前一般多采用阳极氧化工艺制备底栅型薄膜晶体管绝缘层，即金属在栅极在相应电解液下，由于外加电流的作用下，在阳极上形成相应的氧化膜的过程。采用溶液加工的薄膜晶体管绝缘层通常采用高分子类聚合物(PVP等)，调配好一定粘度和稳定性的溶液后，通过匀胶机旋涂在栅极上，在特定温度下烘干多余的有机溶剂成膜。但阳极氧化工艺加工温度高，且对金属栅极有一定的要求，应用有所局限。而溶液加工形成的聚合物类绝缘层平整度差，漏电流大，介电常数小，较难应用于满足显示驱动的薄膜晶体管中。而通过溶液加工制备氧化物绝缘层时，存在前驱体体系不稳定，导致旋涂效果差、薄膜不均匀以及绝缘层漏电现象的发生，溶液的配制和旋涂的工艺有待改善。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的首要目的在于提供一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法。本专利技术的另一目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)前驱体溶液配制：将ZrOCl2·8H2O溶于乙二醇单甲醚中，配置浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液；(2)衬底制备：在玻璃基板表面沉积一层图形化的ITO底栅，清洗烘干，得到ITO玻璃衬底；(3)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得前驱体溶液，然后在300～400℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜；(4)在步骤(3)的氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀IGZO，然后在300～400℃下退火处理，最后通过磁控溅射镀Al源漏电极，得到所述高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)前驱体溶液配制：将ZrOCl2·8H2O溶于乙二醇单甲醚中，配置浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液；(2)衬底制备：在玻璃基板表面沉积一层图形化的ITO底栅，清洗烘干，得到ITO玻璃衬底；(3)在ITO玻璃衬底上旋涂步骤(1)所得前驱体溶液，然后在300～400℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜；(4)在步骤(3)的氧化锆绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀IGZO，然后在300～400℃下退火处理，最后通过磁控溅射镀Al源漏电极，得到所述高介电氧化物绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，蔡炜，姚日晖，朱镇南，魏靖林，周尚雄，钟云肖，徐苗，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44