一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片制造技术

一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片包括传感电路、补偿电路、时钟电路、逻辑控制电路、模数转换电路、串行接口电路、选择电路和储存单元；所述传感电路包括相互连接的正温度系数传感电路和负温度系数传感电路。本发明专利技术为半导体单片集成的正负温度系数可选温度传感芯片，将正温度系数传感电路、负温度系数传感电路和其补偿电路、模数转换电路、串行接口电路等同时集成在一块芯片上，同时终端应用客户可通过串行接口电路和存储单元对芯片的输出进行正温度系数或负温度系数选择，并对温度系数进行修调，实现成品一致性好、测量精确、高度集成、客户使用方便的应用特点。

【技术实现步骤摘要】
一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片
本专利技术涉及一种传感芯片，特别提供一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片。
技术介绍
传统的温度传感器一般采用热电偶、铂电阻、双金属开关等器件，受到封装体积的影响，不利于集成，不利于产品的小型化。另外传统的单片集成的硅基温度传感器芯片，为单一的正温度系数或者负温度系数，并且芯片在生产的过程中由于工艺漂移、封装应力等因素的影响，成品的温度系数会有波动，产品的一致性较差。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种正温度系数传感电路、负温度系数传感电路和其补偿电路、模数转换电路、串行接口电路等同时集成在一块芯片上的单片集成正负温度系数可选温度传感芯片。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片包括传感电路、补偿电路、时钟电路、逻辑控制电路、模数转换电路、串行接口电路、选择电路和储存单元；所述传感电路包括相互连接的正温度系数传感电路和负温度系数传感电路，正温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性上升，负温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性下降；所述补偿电路与所述传感电路连接，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片，其特征在于：包括传感电路、补偿电路、时钟电路、逻辑控制电路、模数转换电路、串行接口电路、选择电路和储存单元；所述传感电路包括相互连接的正温度系数传感电路和负温度系数传感电路，正温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性上升，负温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性下降；所述补偿电路与所述传感电路连接，对影响温度感应精度的因素分别进行补偿或消除；所述选择电路与所述传感电路和模数转换电路连接，模数转换电路将正、负温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述逻辑控制电路和模数转换...

【技术特征摘要】
1.一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片，其特征在于：包括传感电路、补偿电路、时钟电路、逻辑控制电路、模数转换电路、串行接口电路、选择电路和储存单元；所述传感电路包括相互连接的正温度系数传感电路和负温度系数传感电路，正温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性上升，负温度系数传感电路输出电压随感应温度的上升而线性下降；所述补偿电路与所述传感电路连接，对影响温度感应精度的因素分别进行补偿或消除；所述选择电路与所述传感电路和模数转换电路连接，模数转换电路将正、负温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述逻辑控制电路和模数转换电路连接；所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号，与所述串行接口电路和模数转换电路连接；所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接，作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要输出的正负温度系数的选择信号和需要调整的正负温度系数幅度存储于该单元，存储单元输出端分别与所述选择电路和传感电路连接，分别实现控制选择电路，根据存储于存储单元模块的通讯信号，由用户来选择芯片输出正温度系数或负温度系数的模拟信号和对传感电路进行修调，调整芯片的温度系数这两个功能。2.根据权利要求1所述的一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片，其特征在于：所述正温度系数传感电路包括电源、启动电路Ⅰ、正温度系数电压产生电路和电压跟随电路I10；所述电源与所述启动电路Ⅰ和正温度系数电压产生电路相连，用于供电；所述启动电路Ⅰ与所述正温度系数电压产生电路相连，在电源电压上电初始时，为正温度系数电压产生电路提供初始电流；所述电压跟随电路I10与所述正温度系数电压产生电路相连，用于增强驱动带载能力。3.根据权利要求2所述的一种单片集成正负温度系数可选温度传感芯片，其特征在于：所述启动电路Ⅰ包括第一P型场效应管MP11、第二P型场效应管MP12、第一N型场效应管MN11、第二N型场效应管MN12和二极管D11；所述正温度系数电压产生电路包括第三P型场效应管MP13、第四P型场效应管MP14、第五P型场效应管MP15、第一三极管Q11、第二三极管Q12、电阻R11和修调电阻阵列Rtrim1；所述第一P型场效应管MP11的漏极接所述电源，源极分别与所述二极管D11的正极和第一N型场效应管MN11的漏极相连，栅极与接地信号相连；所述第二P型场效应管MP12的漏极接所述电源，源极与所述第二N型场效应管MN12的漏极相连，栅极分别与所述第三P型场效应管MP13的栅极和第四P型场效应管MP14的栅极相连；所述第一N型场效应管MN11的漏极分别与所述第一P型场效应管MP11的源极和二极管D11的正极相连，源极与接地信号相连，栅极与所述第二N型场效应管MN12的栅极相连；所述第二N型场效应管MN12的漏极与所述第二P型场效应管MP12的源极相连，源极与接地信号相连，栅极与所述第一N型场效应管MN11的栅极相连，且漏极与栅极两端直接连接，所述第一N型场效应管MN11和第二N型场效应管MN12构成电流镜的关系；所述二极管D11的正极分别与所述第一P型场效应管MP11的源极和第一N型场效应管MN11的漏极相连，负极分别与所述第三P型场效应管MP13的源极和第一三极管Q11的集电极相连；所述第三P型场效应管MP13的漏极接所述电源，源极分别与所述二极管D11的负极和第一三极管Q11的集电极相连，栅极分别与所述第二P型场效应管MP12的栅极和第四P型场效应管MP14的栅极相连；所述第四P型场效应管MP14的漏极接所述电源，源极分别与所述第五P型场效应管MP15的栅极和第二三极管Q12的集电极相连，栅极分别与所述第二P型场效应管MP12的栅极和第三P型场效应管MP13的栅极相连，且栅极和源极两端直接连接，所述第二P型场效应管MP12和第四P型场效应管MP14构成电流镜的关系；所述第五P型场效应管MP15的漏极接所述电源，源极分别与所述修调电阻阵列Rtrim1的一端和电压跟随电路I10的正输入端相连，栅极分别与所述第四P型场效应管MP14的源极和第二三极管Q12的集电极相连；所述第一三极管Q11的集电极和基极两端直接连接，集电极分别与所述二极管D11的负极和第三P型场效应管MP13的源极相连，基极与所述第二三极管Q12的基极相连，发射极与接地信号相连；所述第二三极管Q12的集电极分别与所述第四P型场效应管MP14的源极和第五P型场效应管MP15的栅极相连，基极与所述第一三极管Q11的基极相连，发射极与所述电阻R11的一端相连；所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜帆，陈利，刘玉山，
申请(专利权)人：厦门安斯通微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35