成膜设备制造技术

本发明专利技术涉及显示器制备技术领域，公开了一种成膜设备，减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。本发明专利技术提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合第一腔室的开口的上盖，位于上盖和底座之间的第一密封圈，其中，上盖具有倾斜的斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且斜面在底座的底面所在平面上的正投影位于第一腔室在底座的底面所在平面上的正投影的外侧，斜面上靠近第一腔室的部分相对于斜面上远离第一腔室的部分远离底座的底面。

Film forming equipment

The invention relates to the field of display preparation technology, and discloses a film forming equipment, which can reduce the generation of the friction debris, thereby reducing the pollution caused by the reaction of the chip to the reaction cavity and improving the film forming quality. The present invention provides a film forming device, which comprises a base having a first chamber, for at least the first chamber cover opening of the cover, in the first sealing ring between the upper cover and the base of the upper cover is provided with inclined inclined surface, a bottom surface of the base plane of the projection and the first the sealing ring on the bottom surface of the base seat is the projection plane area formed by overlapping, and is inclined in the lateral projection of the bottom surface of the base plane of the projection is located in the first chamber at the bottom surface of the base on the plane of the slope near the first chamber section relative to the slope away from the first the bottom part of the chamber away from the base of the.

【技术实现步骤摘要】
成膜设备
本专利技术涉及显示器制备
，特别涉及一种成膜设备。
技术介绍
PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)即等离子增强化学气相沉积，基本原理是在保持一定压力的原料气体中，输入直流、高频或微波功率，产生气体放电，形成等离子体，从而大大增强反应气体的化学活性，达到沉积薄膜的目的，可在更低的温度下成膜。如图1所示，现有的成膜设备，主要包括：具有第一腔室的上盖01和具有第二腔室的底座02，上盖01盖合底座02时，第一腔室和第二腔室便形成一反应腔。成膜设备，在进行一段时间薄膜沉积后，需要定时打开上盖进行清洁维护。而每次盖合时，需要上盖和底座反复对位才能保证上盖精确盖合底座，反复对位会使得上盖的边缘和底座的边缘发生摩擦产生磨损(如图2所示)，进而会产生碎屑，碎屑会对反应腔造成污染，降低成膜品质。
技术实现思路
本专利技术提供了一种成膜设备，用以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。本专利技术提供的成膜设备，通过设置的第一密封圈，可以对上盖和底座起到密封连接的作用，对于外界的杂质或上盖和底座位于第一密封圈外周的部分发生磨损而产生的碎屑可以起到较好的阻隔作用，此外由于上盖上设有斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，斜面靠近第一腔室的一端相对斜面靠近所述密封圈的一端远离底座的底面，即使第一密封圈磨损或发生形变，上盖和底座位于第一密封圈内的部分也不容易发生磨损，产生碎屑。故，本专利技术提供的成膜设备，可以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影。在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。在一些可选的实施方式中，所述上盖的边缘上设有至少一块第一电磁铁；所述底座的边缘上设有与所述第一电磁铁一一对应的第二电磁铁，其中所述第一电磁铁和所述第二电磁铁通电后相互吸引用于将所述上盖和所述底座连接。通过上盖上设置的第一电磁铁和底座上设置的第二电磁铁可以方便上盖和底座对位连接，第一电磁铁和第二电磁铁通电后产生相互吸引力，会辅助上盖和底座对位，减少现有技术中，上盖和底座对位时重复摩擦产生磨损现象的发生，减少碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。在一些可选的实施方式中，所述第二密封圈的横截面直径大于所述第一密封圈的横截面直径。由于存在斜面，故将与斜面对应的第二密封圈设置的较粗一些，可以提高密封效果。在一些可选的实施方式中，所述斜面与所述底座的底面所在平面的夹角大于等于1度且小于等于5度。在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均位于所述底座上。在一些可选的实施方式中，成膜设备，还包括：真空吸附装置；所述底座上设有吸尘槽，所述吸尘槽位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间；所述底座上还设有一端与所述吸尘槽的槽底连通、另一端与所述真空吸附装置连通的传输通道。真空吸附装置可以吸走由于密封圈老化等原因产生的杂质，提高反应腔的清洁度。在一些可选的实施方式中，成膜设备，还包括：为所述第一电磁铁提供电流的第一供电装置；为所述第二电磁铁提供电流的第二供电装置。单独设置的供电装置，便于连接，结构简单。在一些可选的实施方式中，所述第二电磁铁位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。附图说明图1为现有技术中的成膜设备的部分结构示意图；图2为现有技术中的成膜设备磨损示意图；图3为本专利技术实施例提供的成膜设备的部分结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的底座的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的成膜设备的立体结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的上盖的结构示意图。附图标记：01-上盖02-底座1-上盖11-第二腔室12-斜面2-底座21-第一腔室22-吸尘槽23-传输通道31-第一电磁铁32-第二电磁铁41-第一密封圈42-第二密封圈a-夹角具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术专利保护的范围。如图3所示，本专利技术提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室21的底座2，用于至少盖合第一腔室21的开口的上盖1，位于上盖1和底座2之间的第一密封圈41，其中，上盖1具有倾斜的斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影与第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影位于第一腔室21在底座2的底面所在平面上的正投影的外侧，斜面12上靠近第一腔室21的一端相对斜面12上远离第一腔室21的部分远离底座2的底面。本专利技术提供的成膜设备，通过设置的第一密封圈41，可以对上盖1和底座2起到密封连接的作用，对于外界的杂质或上盖1和底座2位于第一密封圈41外周的部分发生磨损而产生的碎屑可以起到较好的阻隔作用，此外由于上盖1上设有斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影与第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所围成的区域内有交叠，斜面12靠近第一腔室21的一端相对斜面12靠近密封圈41的一端远离底座2的底面，即使第一密封圈41磨损或发生形变，上盖1和底座2位于第一密封圈41内的部分也不容易发生磨损，产生碎屑。故，本专利技术提供的成膜设备，可以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。上述斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，具体结构包括：第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影位于斜面在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，也或者，斜面在底座的底面所在平面上的正投影围成的区域完全覆盖第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域，在立体图中，第一密封圈位于斜面的下方。一种可选的实施方式中，如图4所示，第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影位于斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影围成的区域的外侧，上述成膜设备还包括：位于上盖1和底座2之间的第二密封圈42，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜设备，其特征在于，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。

【技术特征摘要】
1.一种成膜设备，其特征在于，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。2.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影。3.根据权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。4.根据权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，所述上盖的边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利豪，田彪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11