一种微波芯片共晶焊接的工艺方法技术
Process for eutectic welding of microwave chip
Including technique, the invention discloses a microwave chip eutectic welding: Step 1: cleaning and drying the carrier; step 2: the plasma cleaning of the carrier; step 3: set the eutectic welding parameters; step 4: placed and fixed carrier; step 5: place the preformed gold tin solder; step 6 place: microwave chip; step 7: adjust the quartz duct position; step 8: microwave chip eutectic welding; step 9: welding quality inspection. The microwave chip eutectic welding process has the advantages of simple operation, high safety and versatility, and is suitable for the production of small batch and multi variety products.
【技术实现步骤摘要】
一种微波芯片共晶焊接的工艺方法
本专利技术涉及微波混合集成电路组装，具体地，涉及微波芯片共晶焊接的工艺方法。
技术介绍
随着通信行业的快速发展，多芯片组件凭借其高密度、高性能、高可靠性、重量轻、体积小等特点被广泛地应用于航空航天、军用通信等领域。共晶是微电子组装技术中一种重要的焊接工艺，在微波多芯片组件中的应用越来越广泛，尤其在毫米波高频段、大功率微波器件中。目前共晶焊接一般为手动共晶方式、共晶炉烧结方式、自动共晶贴片机方式，其中共晶炉烧结方式、自动共晶贴片机方式因为设备购置成本高、适合大批量等特点，并不适合小批量、多品种模块的生产。因此，急需要提供一种操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产的微波芯片共晶焊接的工艺方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种微波芯片共晶焊接的工艺方法，该微波芯片共晶焊接的工艺方法操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种微波芯片共晶焊接的工艺方法，包括：步骤1：清洗和烘干载体；步骤2：对载体进行等离子清洗；步骤3：设置共晶焊接参数；步骤4：放置并固...
【技术保护点】
一种微波芯片共晶焊接的工艺方法，其特征在于，包括：步骤1：清洗和烘干载体；步骤2：对载体进行等离子清洗；步骤3：设置共晶焊接参数；步骤4：放置并固定载体；步骤5：放置预成型金锡焊片；步骤6：放置微波芯片；步骤7：调整石英风管位置；步骤8：微波芯片共晶焊接；步骤9：焊接质量检测。
【技术特征摘要】
1.一种微波芯片共晶焊接的工艺方法，其特征在于，包括：步骤1：清洗和烘干载体；步骤2：对载体进行等离子清洗；步骤3：设置共晶焊接参数；步骤4：放置并固定载体；步骤5：放置预成型金锡焊片；步骤6：放置微波芯片；步骤7：调整石英风管位置；步骤8：微波芯片共晶焊接；步骤9：焊接质量检测。2.根据权利要求1所述的微波芯片共晶焊接的工艺方法，其特征在于，步骤1包括：a、将载体放入无水乙醇溶液中浸泡10-15min后，利用脱脂棉球擦拭载体表面的焊接面；b、将载体放入温度为80-100℃的烘箱中，烘干10-15min。3.根据权利要求2所述的微波芯片共晶焊接的工艺方法，其特征在于，步骤2包括将步骤1处理后的载体放入等离子清洗机中进行清洗，其中，等离子清洗机设置参数为功率400-500W，时间10-20min。4.根据权利要求1所述的微波芯片共晶焊接的工艺方法，其特征在于，步骤3包括：a、设置加热平台的预热温度，提供底部基础加热，设置参数为160-200℃；b、设置热氮气流工作温度，提供热氮气流加热，设置参数为280-330℃；c、设置热氮气流通气时间，时间一到自动关闭氮气流，设置参数为：6-15s。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李强，洪火锋，赵影，窦增昌，何宏玉，梁曰坤，
申请(专利权)人：中科迪高微波系统有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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