微波功率放大器模块的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件(8)；步骤2，制作电源电路板组件(9)：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装；步骤4，焊接导线；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体(1)上。该微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。

The processing method of the microwave power amplifier module

The invention discloses a processing method of microwave power amplifier module, which is characterized in that the processing method includes: Step 1, making RF circuit board assembly (8); step 2, making the power supply circuit board assembly (9): power supply circuit board components need to supply components sintering on the circuit board; step 3, step 4, Denso; welding wire; step 5, testing and capping, capping is the cover plate fixed to the cavity (1). The processing method of the microwave power amplifier module overcomes the problem that the production process of the microwave power amplifier module in the existing technology is complex, and the qualified rate of the product is low, which may not be suitable for mass production.

【技术实现步骤摘要】
微波功率放大器模块的加工方法
本专利技术涉及微波模块的加工方法领域，具体地，涉及一种微波功率放大器模块的加工方法。
技术介绍
在现代微波无线通信系统中，信息传输正朝着多载波、大容量、高速度方向迅猛发展。微波功率放大器近年来已广泛应用于雷达、电子对抗、广播电视等领域，它具有体积小、重量轻、耗电少、可靠性高等特点。微波功率放大器是微波通信设备的重要部件，它的性能在很大程度上影响通信的质量。性能优良的功率放大器，除了精确合理的电路和结构设计作保证外，还要有良好的生产工艺。但是现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产。因此，提供一种在使用过程中可以有效地提高产品合格率，更加科学实用，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，设备投资小，适用大批量生产的微波功率放大器模块的加工方法是本专利技术亟需解决的问题。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术的目的是克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题，从而提供一种在使用过程中可以有效地提高产品合格率，更加科学实用，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，设备投资小，适用大批量生产的微波功率放大器模块的加工方法。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种微波功率放大器模块的加工方法，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件和电源电路板组件、稳压器以及隔板分别安装固定到腔体上，再将4个M3穿心电容安装到隔板上，分别将2个M4穿心电容、M4接地柱以及SMA-KFD50射频连接器安装到腔体上；步骤4，焊接导线：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器与射频电路板组件连接起来、将稳压器的引脚与电源电路板组件的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容的一端与射频电路板组件焊接起来，另一端与电源电路板组件焊接起来，所述电源电路板组件还与所述M4穿心电容相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体上。优选地，所述步骤1中所述黄铜垫块表面要镀金，且烧结前，所述黄铜垫块和所述金锡焊片上都喷洒免清洗助焊剂，在放入真空共晶炉内进行烧结。优选地，所述步骤1中元器件的烧结温度为235-245℃。优选地，放大器共晶组件的制作包括：将放大器芯片WFD027035-P41用金锡焊料共晶到钼铜载体上；再将6个芯片电容用导电胶H2OE粘接所述钼铜载体上，从而得到放大器共晶组件。优选地，所述步骤1中放大器组件的烧结温度为205-215℃，且在烧结过程中待焊片熔化时，采用摩擦焊接的方式，用镊子夹取放大器共晶组件来回摩擦2-3次后使用。优选地，所述射频电路板组件和所述电源电路板组件制作完成后都需要进行清洗和晾干。优选地，所述清洗步骤为：首先放置在盛有清洗剂的清洗槽中热煮泡9-11min，然后再放置在盛有无水乙醇的培养皿中使用毛刷子进行刷洗。根据上述技术方案，本专利技术提供的微波功率放大器模块的加工方法在使用过程中，先制作射频电路板组件，具体操作为：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件并且将其烧结到射频电路板上；再制作电源电路板组件，然后进行电装，就是将元器件和组件分别安装到腔体中，再将需要连接的元器件之间通过焊锡丝连接起来，实现电路功能，最后测试并封盖。本专利技术提供的微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术的一种优选的实施方式中提供的微波功率放大器模块的加工方法的流程框图；图2是本专利技术的一种优选的实施方式中提供的微波功率放大器模块的加工方法中微波功率放大器模块装配图；附图标记说明1腔体2放大器共晶组件3M3穿心电容4M4穿心电容5SMA-KFD50射频连接器6M4接地柱7隔板8射频电路板组件9电源电路板组件10稳压器具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，“正、反、内、外”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。如图1和图2所示，本专利技术提供了、一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件8：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件8需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件2并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件9：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件8和电源电路板组件9、稳压器10以及隔板7分别安装固定到腔体1上，再将4个M3穿心电容3安装到隔板7上，分别将2个M4穿心电容4、M4接地柱6以及SMA-KFD50射频连接器5安装到腔体1上；步骤4，焊接导线：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器5与射频电路板组件8连接起来、将稳压器10的引脚与电源电路板组件9的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容3的一端与射频电路板组件8焊接起来，另一端与电源电路板组件9焊接起来，所述电源电路板组件9还与所述M4穿心电容4相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体1上。根据上述技术方案，本专利技术提供的微波功率放大器模块的加工方法在使用过程中，先制作射频电路板组件8，具体操作为：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件8需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件2并且将其烧结到射频电路板上；再制作电源电路板组件9，然后进行电装，就是将元器件和组件分别安装到腔体中，再将需要连接的元器件之间通过焊锡丝连接起来，实现电路功能，最后测试并封盖。本专利技术提供的微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。在本专利技术的一种优选的实施方式中，所述步骤1中所述黄铜垫块表面要镀金，且烧结前，所述黄铜垫块和所述金锡焊片上都喷洒免清洗助焊剂，在放入真空共晶炉内进行烧结。本专利技术中为了使得元器件能够牢固地烧结到所述射频电路板焊盘上，也使得焊接的质量更好，在本专利技术的一种优选的实施方式中，所述步骤1中元器件的烧结温度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件(8)：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件(8)需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件(2)并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件(9)：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件(8)和电源电路板组件(9)、稳压器(10)以及隔板(7)分别安装固定到腔体(1)上，再将4个M3穿心电容(3)安装到隔板(7)上，分别将2个M4穿心电容(4)、M4接地柱(6)以及SMA‑KFD50射频连接器(5)安装到腔体(1)上；步骤4，焊接导线，实现电路功能：用焊锡丝将SMA‑KFD50射频连接器(5)与射频电路板组件(8)连接起来、将稳压器(10)的引脚与电源电路板组件(9)的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容(3)的一端与射频电路板组件(8)焊接起来，另一端与电源电路板组件(9)焊接起来，所述电源电路板组件(9)还与所述M4穿心电容(4)相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体(1)上。...

【技术特征摘要】
1.一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件(8)：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件(8)需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件(2)并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件(9)：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件(8)和电源电路板组件(9)、稳压器(10)以及隔板(7)分别安装固定到腔体(1)上，再将4个M3穿心电容(3)安装到隔板(7)上，分别将2个M4穿心电容(4)、M4接地柱(6)以及SMA-KFD50射频连接器(5)安装到腔体(1)上；步骤4，焊接导线，实现电路功能：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器(5)与射频电路板组件(8)连接起来、将稳压器(10)的引脚与电源电路板组件(9)的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容(3)的一端与射频电路板组件(8)焊接起来，另一端与电源电路板组件(9)焊接起来，所述电源电路板组件(9)还与所述M4穿心电容(4)相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体(1)上。2.根据权利要求1所述的微...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，赵影，洪火锋，窦增昌，梁曰坤，何宏玉，
申请(专利权)人：中科迪高微波系统有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34