应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头制造方法及图纸

本发明专利技术相关于一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，该气体分流喷头包含至少一个单层结构的气体分流层，用以对各种气体进行分流。此气体分流层包含圆盘状主体、多条第一气体通道、多条第二气体通道、以及多条第三气体通道，其中，第一气体通道、第二气体通道、以及第三气体通道以放射状排列于圆盘状主体中的同一水平面，用以供不同的气体通过，而将不同的气体经由不同的气体通道在同一平面横向注入化学气相沉积装置。借此，本发明专利技术的气体分流喷头可以单层结构进行气体分流。

The gas used in chemical vapor deposition device of shunt nozzle

The present invention relates to a gas split nozzle used in a chemical vapor deposition device, which comprises at least one single-layer gas shunt layer for shunting various gases. The gas distribution layer contains a disc-shaped body, a plurality of first gas channel and a plurality of second gas channel, and a plurality of gas channels in third, among them, the same plane the first gas channel, second channel and third channel gas gas radially arranged on the disc body, by using for different gases but, different gas through a gas channel different in the same plane transverse injection chemical vapor deposition device. Therefore, the gas split nozzle of the invention can conduct gas separation by single layer structure.

【技术实现步骤摘要】
应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头
本专利技术相关于一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，特别是有关一种其内每一单层都具有气体分流与侧向注气功能的气体分流喷头。
技术介绍
在电子元件与光电元件的制造过程中，经常需要以有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术于基板或晶圆上制作薄膜，通常借由喷头(injector)将Ⅲ族气体与Ⅴ族气体通入行星式有机金属化学气相沉积反应器(planetaryMOCVDreactor)中，而制作Ⅲ族-Ⅴ族化合物半导体薄膜(例如GaN、AlN等)。在进行此Ⅲ族-Ⅴ族化合物半导体薄膜制作时，行星式有机金属化学气相沉积反应器(planetaryMOCVDreactor)所使用的气体喷头通常采用三重喷头(tripleinjector)的设计。参照图1，其为现有习知采用三重喷头(tripleinjector)设计的喷头10的侧视图。喷头10主要由上管12、中管14、以及下管16等三个不同水平的气体管道由上至下排列而组成，氢气(H2)或氮气(N2)为三个通道的运载气体(carriergas)。其中，Ⅴ族气体(例如氨气(NH3))由上管12与下管16射出，Ⅲ族气体(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，包含：气体分流层，用以分流不同的气体而将其由同一水平面侧向喷出，该气体分流层包含：圆盘状主体，其中心位置具有圆形开孔，用以容置布气装置以及供其气体通行；多条第一气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以将第一气体由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边输送，而横向喷出；多条第二气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以将第二气体由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边输送，而横向喷出；以及多条第三气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以...

【技术特征摘要】
2016.04.27 TW 1051131691.一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，包含：气体分流层，用以分流不同的气体而将其由同一水平面侧向喷出，该气体分流层包含：圆盘状主体，其中心位置具有圆形开孔，用以容置布气装置以及供其气体通行；多条第一气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以将第一气体由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边输送，而横向喷出；多条第二气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以将第二气体由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边输送，而横向喷出；以及多条第三气体通道，由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边延伸而呈放射状排列，用以将第三气体由该圆盘状主体的中心位置向该圆盘状主体的周边输送，而横向喷出；其中，所述第一气体通道、所述第二气体通道、以及所述第三气体通道皆设置于该圆盘状主体内的同一水平面上且成对称分布，借此，不同的气体能够经由不同气体通道与同一水平面上横向喷出。2.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中该第一气体为Ⅲ族气体，该第二气体与该第三气体皆为Ⅴ族气体，并以氢气(H2)或氮气(N2)做为运载气体(carriergas)。3.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中所述第一气体通道、所述第二气体通道、以及所述第三气体通道以每相邻两个第一气体通道间至少夹有第二气体通道或第三气体通道的方式，而排列于该气体分流层中。4.根据权利要求3所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中所述第一气体通道、所述第二气体通道、以及所述第三气体通道以第一气体通道、第二气体通道、第一气体通道、第三气体通道此排列顺序为一个周期，而循环排列于该气体分流层中。5.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中所述第一气体通道、所述第二气体通道、以及所述第三气体通道以每相邻两个第一气体通道间夹有至少一个第二气体通道与至少一个第三气体通道的方式，而循环排列于该气体分流层中。6.根据权利要求5所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中每相邻两个第一气体通道间的第二气体通道与该第三气体通道是以彼此轮替的方式排列。7.根据权利要求5所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中每相邻两个第一气体通道间的第二气体通道与该第三气体通道是以每两个相邻的第二气体通道之间夹有至少一个第三气体通道的方式而排列于其中。8.根据权利要求5所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中每相邻两个第一气体通道间的第二气体通道与该第三气体通道是以每两个相邻的第三气体通道之间夹有至少一个第二气体通道第一气体通道的方式而排列于其中。9.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头更包含多个气体通道隔块，用以分隔该气体分流层中的气体通道，以控制各个不同气体的混合反应时间。10.根据权利要求9所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中每一该第一气体通道、每一该第二气体通道、以及每一该第三气体通道皆被夹于两个相邻的气体通道隔块之间。11.根据权利要求9所述的应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，其中以两个相邻的气体通道隔块之间夹有至少一个第一气体通道与至少个一第二气体通道做为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林伯融，陈哲霖，蔡长达，钟步青，
申请(专利权)人：汉民科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71