半导体沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体沉积设备，包括沉积腔盖，所述沉积腔盖底部设有若干喷气组件，所述喷气组件包括喷气头及自锁气缸，所述自锁气缸缸体连接至沉积腔盖，其活塞杆的端部连接至喷气头的上表面；还包括传感器、电磁阀与信号处理器，所述传感器为压力传感器/距离传感器，所述喷气头下表面圆心处设有凹槽，所述传感器设于所述凹槽内，所述传感器的输出端连接至信号处理器的输入端，所述电磁阀设于供气管上以控制其导通/关闭，所述信号处理器的输出端连接至电磁阀。本实用新型专利技术一次性实现喷气头与晶片之间间距调节，自动化程度高，操作方便，避免人为失误。

Semiconductor deposition equipment

The utility model discloses a semiconductor deposition equipment, including deposition chamber cover, the bottom cover is provided with a plurality of jet deposition chamber assembly, the assembly includes a jet jet head and self locking cylinder, the cylinder body is connected to the self deposition chamber cover, the top end of the piston rod is connected to the upper surface of the jet head; also including sensor, solenoid valve and the signal processor, the sensor for pressure sensor / distance sensor, the surface of the center jet head office is provided with a groove, wherein the sensor is arranged in the groove, the input end of the output of the sensor is connected to the signal processor, the electromagnetic valve is arranged on the air pipe to control the turn-on / turn off output, the signal processor is connected to the electromagnetic valve. The utility model realizes the adjustment of the distance between the jet head and the wafer at one time, and has the advantages of high automation, convenient operation and avoiding human error.

【技术实现步骤摘要】
半导体沉积设备
本技术涉及半导体领域；具体涉及一种半导体沉积设备。
技术介绍
半导体技术是指半导体加工的各种技术，包括晶圆的生长技术、薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂和工艺整合等技术。沉积技术是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术。其中，化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可用于沉积大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，化学气相沉积法时将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。衡量沉积薄膜的质量的一个重要参数是平整度(U％)。通常在一个沉积腔内可同时放置若干个晶片，反应时，为了得到均匀的薄膜，通常在每个晶片正上方都有一个喷气头，喷气头下表面设置有若干个小孔，能够对着晶片均匀喷洒反应气体。然而喷气头与晶片之间的间距对薄膜的质量也有很大影响，若各个晶片与其上方的喷气头之间的间距不一，各个晶片上得到的薄膜就会质量不一。因此保证各个喷气头与晶片之间的间距一致非常重要。现有技术中，通常在反应前，在沉积腔加热底盘上放置各个晶片的相应位置放置若干个锡纸揉成的小球，然后降下腔盖，使喷气头紧压在锡纸球上，再升起容器盖，测量各个被压成饼状的锡纸球的厚度，并根据此厚度来调节喷气头的位置。这种方法通常需要重复多次才能调整好间距，不仅繁琐，精确度也不高，经常会导致严重的人为错误。因此，提供一种便于调节间距的半导体沉积结构实属必要。
技术实现思路
本技术目的在于：为了解决上述
技术介绍
中的现有技术存在的问题，提供一种便于调节喷气头与晶片之间间距的沉积设备。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：半导体沉积设备，包括沉积腔盖，所述沉积腔盖底部设有若干喷气组件，所述喷气组件包括喷气头及自锁气缸，所述喷气头呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管连通至供气装置；所述自锁气缸通过供气管连通至空压机，其缸体连接至沉积腔盖，其活塞杆的端部连接至喷气头的上表面；还包括传感器、电磁阀与信号处理器，所述传感器为压力传感器/距离传感器，所述喷气头下表面圆心处设有凹槽，所述传感器设于所述凹槽内，所述传感器的输出端连接至信号处理器的输入端，所述电磁阀设于供气管上以控制其导通/关闭，所述信号处理器的输出端连接至电磁阀。优选地：所述传感器为压力传感器，其感应头与喷气头的下表面齐平。优选地：所述传感器为距离传感器，其感应头与喷气头的下表面齐平。优选地：还包括电控柜，所述空压机及信号处理器均设置在所述电控柜内。优选地：所述自锁气缸的中轴线与沉积腔盖下表面所在平面及喷气头上表面所在平面垂直。优选地：所述自锁气缸的活塞杆连接至喷气头上表面的圆心处。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：本技术通过气缸驱动喷气头向下移动，当压力传感器接触校准平板后，压力信号传输至信号处理器，进而控制电磁阀关闭，停止气缸供气，气缸自动锁止，一次性实现喷气头与晶片之间间距调节，自动化程度高，操作方便，避免人为失误。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术第一种优选实施方式的结构示意图；图2是图1实施例中喷气组件结构示意图；图3是图1实施例的电气原理框图；图4是本技术第二种优选实施方式的电气原理框图。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。实施例一：如图1、图2及图3所示，半导体沉积设备，包括沉积腔盖1，所述沉积腔盖1底部设有若干喷气组件2，所述喷气组件2包括喷气头21及自锁气缸22，所述喷气头21呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管3连通至供气装置；所述自锁气缸22通过供气管4连通至空压机5，其缸体连接至沉积腔盖1，其活塞杆的端部连接至喷气头21的上表面；还包括传感器6、电磁阀7与信号处理器8，所述传感器6为压力传感器，所述喷气头21下表面圆心处设有凹槽211，所述传感器6设于所述凹槽211内，其感应头与喷气头21的下表面齐平。所述传感器6的输出端连接至信号处理器8的输入端，所述电磁阀7设于供气管4上以控制其导通/关闭，所述信号处理器8的输出端连接至电磁阀7。调节间距时，将同规格的校准平板放置在沉积腔对应放置晶片的位置，盖上沉积腔盖1后，空压机5工作为自锁气缸22供气，自锁气缸22驱动喷气头21向下运动并接近校准平板，当喷气头21接触到校准平板时，压力传感器同时感应到压力，将压力信号传输到信号处理器8，信号处理器8接收信号后随之向电磁阀7发出控制信号将其关闭，使得空压机5停止对自锁气缸22供气，自锁气缸22自动锁定，完成间距调节。打开沉积腔盖1后，取出校准平板，放入晶片，盖上腔盖，即可进行沉积作业。自动化的完成间距调节作业。优选地：还包括电控柜9，所述空压机5及信号处理器8均设置在所述电控柜9内。优选地：所述自锁气缸22的中轴线与沉积腔盖1下表面所在平面及喷气头21上表面所在平面垂直。优选地：所述自锁气缸22的活塞杆连接至喷气头21上表面的圆心处。实施例二：如图1、图2及图4所示，所述传感器6为距离传感器，其感应头与喷气头21的下表面齐平。其余同实施例一。调节间距时，直接将晶片放入沉积腔对应位置，盖上沉积腔盖1后，空压机5工作为自锁气缸22供气，自锁气缸22驱动喷气头21向下运动并接近晶片，当喷气头21到达预设间距位置时，距离传感器将信号传输到信号处理器8，信号处理器8接收信号后随之向电磁阀7发出控制信号将其关闭，使得空压机5停止对自锁气缸22供气，自锁气缸22自动锁定，完成间距调节。此时可直接进行沉积作业，免去打开沉积腔盖1，取出校准平板的步骤。自动化的完成间距调节作业，相较于传统方法及实施例一，都有不小的进步。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体沉积设备，包括沉积腔盖(1)，所述沉积腔盖(1)底部设有若干喷气组件(2)，其特征在于：所述喷气组件(2)包括喷气头(21)及自锁气缸(22)，所述喷气头(21)呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管(3)连通至供气装置；所述自锁气缸(22)通过供气管(4)连通至空压机(5)，其缸体连接至沉积腔盖(1)，其活塞杆的端部连接至喷气头(21)的上表面；还包括传感器(6)、电磁阀(7)与信号处理器(8)，所述传感器(6)为压力传感器/距离传感器，所述喷气头(21)下表面圆心处设有凹槽(211)，所述传感器(6)设于所述凹槽(211)内，所述传感器(6)的输出端连接至信号处理器(8)的输入端，所述电磁阀(7)设于供气管(4)上以控制其导通/关闭，所述信号处理器(8)的输出端连接至电磁阀(7)。

【技术特征摘要】
1.半导体沉积设备，包括沉积腔盖(1)，所述沉积腔盖(1)底部设有若干喷气组件(2)，其特征在于：所述喷气组件(2)包括喷气头(21)及自锁气缸(22)，所述喷气头(21)呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管(3)连通至供气装置；所述自锁气缸(22)通过供气管(4)连通至空压机(5)，其缸体连接至沉积腔盖(1)，其活塞杆的端部连接至喷气头(21)的上表面；还包括传感器(6)、电磁阀(7)与信号处理器(8)，所述传感器(6)为压力传感器/距离传感器，所述喷气头(21)下表面圆心处设有凹槽(211)，所述传感器(6)设于所述凹槽(211)内，所述传感器(6)的输出端连接至信号处理器(8)的输入端，所述电磁阀(7)设于供气管(4)上以...

【专利技术属性】
技术研发人员：余宏，
申请(专利权)人：贵州师范学院，
类型：新型
国别省市：贵州,52