半导体沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体沉积设备，包括沉积腔盖，所述沉积腔盖底部设有若干喷气组件，所述喷气组件包括喷气头及自锁气缸，所述自锁气缸缸体连接至沉积腔盖，其活塞杆的端部连接至喷气头的上表面；还包括传感器、电磁阀与信号处理器，所述传感器为压力传感器/距离传感器，所述喷气头下表面圆心处设有凹槽，所述传感器设于所述凹槽内，所述传感器的输出端连接至信号处理器的输入端，所述电磁阀设于供气管上以控制其导通/关闭，所述信号处理器的输出端连接至电磁阀。本实用新型专利技术一次性实现喷气头与晶片之间间距调节，自动化程度高，操作方便，避免人为失误。

Semiconductor deposition equipment

The utility model discloses a semiconductor deposition equipment, including deposition chamber cover, the bottom cover is provided with a plurality of jet deposition chamber assembly, the assembly includes a jet jet head and self locking cylinder, the cylinder body is connected to the self deposition chamber cover, the top end of the piston rod is connected to the upper surface of the jet head; also including sensor, solenoid valve and the signal processor, the sensor for pressure sensor / distance sensor, the surface of the center jet head office is provided with a groove, wherein the sensor is arranged in the groove, the input end of the output of the sensor is connected to the signal processor, the electromagnetic valve is arranged on the air pipe to control the turn-on / turn off output, the signal processor is connected to the electromagnetic valve. The utility model realizes the adjustment of the distance between the jet head and the wafer at one time, and has the advantages of high automation, convenient operation and avoiding human error.

【技术实现步骤摘要】
半导体沉积设备
本技术涉及半导体领域；具体涉及一种半导体沉积设备。
技术介绍
半导体技术是指半导体加工的各种技术，包括晶圆的生长技术、薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂和工艺整合等技术。沉积技术是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术。其中，化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可用于沉积大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，化学气相沉积法时将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。衡量沉积薄膜的质量的一个重要参数是平整度(U％)。通常在一个沉积腔内可同时放置若干个晶片，反应时，为了得到均匀的薄膜，通常在每个晶片正上方都有一个喷气头，喷气头下表面设置有若干个小孔，能够对着晶片均匀喷洒反应气体。然而喷气头与晶片之间的间距对薄膜的质量也有很大影响，若各个晶片与其上方的喷气头之间的间距不一，各个晶片上得到的薄膜就会质量不一。因此保证各个喷气头与晶片之间的间距一致非常重要。现本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体沉积设备，包括沉积腔盖(1)，所述沉积腔盖(1)底部设有若干喷气组件(2)，其特征在于：所述喷气组件(2)包括喷气头(21)及自锁气缸(22)，所述喷气头(21)呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管(3)连通至供气装置；所述自锁气缸(22)通过供气管(4)连通至空压机(5)，其缸体连接至沉积腔盖(1)，其活塞杆的端部连接至喷气头(21)的上表面；还包括传感器(6)、电磁阀(7)与信号处理器(8)，所述传感器(6)为压力传感器/距离传感器，所述喷气头(21)下表面圆心处设有凹槽(211)，所述传感器(6)设于所述凹槽(211)内，所述...

【技术特征摘要】
1.半导体沉积设备，包括沉积腔盖(1)，所述沉积腔盖(1)底部设有若干喷气组件(2)，其特征在于：所述喷气组件(2)包括喷气头(21)及自锁气缸(22)，所述喷气头(21)呈圆盘状，其下表面均匀分布若干出气孔，其上表面设有连通至出气孔的进气孔，所述进气孔通过进气管(3)连通至供气装置；所述自锁气缸(22)通过供气管(4)连通至空压机(5)，其缸体连接至沉积腔盖(1)，其活塞杆的端部连接至喷气头(21)的上表面；还包括传感器(6)、电磁阀(7)与信号处理器(8)，所述传感器(6)为压力传感器/距离传感器，所述喷气头(21)下表面圆心处设有凹槽(211)，所述传感器(6)设于所述凹槽(211)内，所述传感器(6)的输出端连接至信号处理器(8)的输入端，所述电磁阀(7)设于供气管(4)上以...

【专利技术属性】
技术研发人员：余宏，
申请(专利权)人：贵州师范学院，
类型：新型
国别省市：贵州,52