汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法技术方案
Gas precursor generation system and method for solid precursor transport in vapor deposition process
An embodiment of the present invention relates to a gas precursor generation system and a method of solid precursor transport in vapor deposition processes. In some embodiments, the gas precursor production system includes a precursor ampoule, which includes an inlet coupled to the carrier gas source and an outlet coupled to the vapor deposition chamber. The liquid precursor is arranged in the precursor ampoule, which comprises a solvent having one or more ionic liquids and a chemical substance configured to dissolve the solid precursor. The gas precursor is produced at the upper part of the ampoule through the evaporation of the liquid precursor, and is carried by the carrier gas to the vapor deposition chamber through the outlet of the ampoule. The precursor of the solid is passed into the vapor deposition chamber and deposited on the surface of the substrate.
【技术实现步骤摘要】
汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法
本专利技术的实施例涉及汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法。
技术介绍
在集成电路的制造中，汽相沉积是一种用于在衬底上方形成薄层或薄膜的工艺。术语“汽相沉积”包括物理汽相沉积(PVD)、化学汽相沉积(CVD)或CVD和PVD的组合(所谓的“混合”物理-化学汽相沉积)。在汽相沉积工艺中，衬底暴露于前体气体，前体气体沉积在衬底的表面处或在衬底的表面处反应并且在衬底上沉积反应的产品。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统，包括：前体安瓿，包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口；液体前体，布置在所述前体安瓿内，包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂；以及气体前体，通过所述液体前体的蒸发提供在所述前体安瓿的上部区域处并且通过所述前体安瓿的出口由载气携带入所述汽相沉积室，其中，所述固体前体的所述化学物质传送到所述汽相沉积室内并且沉积在衬底的表面上。本专利技术的另一实施例提供了一种用于汽相沉积工艺的固体前体传输的方法，包括：提供前体安瓿，所述前...
【技术保护点】
一种用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统，包括：前体安瓿，包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口；液体前体，布置在所述前体安瓿内，包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂；以及气体前体，通过所述液体前体的蒸发提供在所述前体安瓿的上部区域处并且通过所述前体安瓿的出口由载气携带入所述汽相沉积室，其中，所述固体前体的所述化学物质传送到所述汽相沉积室内并且沉积在衬底的表面上。
【技术特征摘要】
2016.04.26 US 15/138,4731.一种用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统，包括：前体安瓿，包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口；液体前体，布置在所述前体安瓿内，包括具有一种或...
【专利技术属性】
技术研发人员：李中杰，杨棋铭，吴林荣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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