The utility model relates to the technical field of chemical reaction equipment, in particular to a chemical vapor deposition ceramic protective film reaction device, including the CH4 H2 storage tank, storage tank, evaporator, CVD reaction chamber and a vacuum pump, CH4 storage tank and H2 storage tank is connected with the branch, and is located above the valve on the pipe a flow meter, the other end is connected with the main branch pipe, a pressure gauge and a gas detector on the main pipeline, the main pipeline is connected with the other end of the evaporator, the evaporator with an outlet pipeline is connected with a CVD reaction chamber, CVD reaction chamber two side is provided with a high temperature furnace, CVD reaction chamber bottom of the exhaust pipe connected with the vacuum pump, the beneficial effect is that the gas phase chemical reaction to form a solid substance deposition, not vulnerable to external environmental impact; deposition under vacuum, improve access to sediment By controlling the gas flow rate, the density of the coating can be controlled, and the purity of the coating can be controlled effectively by adjusting the vacuum pressure in the reaction chamber.
【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积陶瓷保护膜反应装置
本技术涉及化工反应设备
,尤其是一种化学气相沉积陶瓷保护膜反应装置。
技术介绍
化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法,它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术,化学气相沉积陶瓷保护膜是化学反应产生沉积的原理,这是机理性的东西,CVD法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出保护层的方法,由于甲基原子团具有金刚石结构,而其悬挂键又被大量的氢原子所饱和,因此陶瓷膜表面就保持了稳定的sp3杂化结构,即金刚石的四面体结构,若其上沉积新的碳原子,就可能与其键合形成sp3杂化键,从而形成金刚石晶体,如此循环反复即可得到陶瓷保护膜,现有的技术中,陶瓷保护膜制作工序繁琐,无法控制反应气体的密度。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中无法控制反应气体的密度的缺点,而提出的一种化学气相沉积陶瓷保护膜反应装置。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:设计一种化学气相沉积陶瓷保 ...
【技术保护点】
一种化学气相沉积陶瓷保护膜反应装置,包括CH4储存罐(1)、H2储存罐(2)、蒸发器(3)、CVD反应室(4)和真空抽气泵(5),其特征在于,所述CH4储存罐(1)和所述H2储存罐(2)上均连接有支管(6),所述支管(6)上均安装有阀门(7),所述支管(6)上且位于所述阀门(7)的上方均设有流量计(8),所述支管(6)另一端均连接有主管道(13),所述主管道(13)上设有压力表(9)和气体检测仪(15),所述检测仪(15)底部通过软管分别与所述流量计(8)连接,所述主管道(13)另一端连接有所述蒸发器(3),所述述蒸发器(3)上通过设有的出气管道(14)连接有所述CVD反应 ...
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积陶瓷保护膜反应装置,包括CH4储存罐(1)、H2储存罐(2)、蒸发器(3)、CVD反应室(4)和真空抽气泵(5),其特征在于,所述CH4储存罐(1)和所述H2储存罐(2)上均连接有支管(6),所述支管(6)上均安装有阀门(7),所述支管(6)上且位于所述阀门(7)的上方均设有流量计(8),所述支管(6)另一端均连接有主管道(13),所述主管道(13)上设有压力表(9)和气体检测仪(15),所述检测仪(15)底部通过软管分别与所述流量计(8)连接,所述主管道(13)另一端连接有所述蒸发器(3),所述述蒸发器(3)上通过设有的出气管道(14)连接有所述CVD反应室(4),所述CVD反应室(4)两侧均设有高温炉(11),所述CV...
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