一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将AMOLED玻璃基板置于衬底台上；(2)以纯度不低于99.99％的TiO2、ZnO、SnO2氧化物粉末为原料，按照原子比Ti：Zn：Sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结；(3)利用射频磁控溅射方法，在AMOLED玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率。

For a AMOLED display semiconductor thin film preparation method

The invention discloses a method for AMOLED display semiconductor thin film preparation method comprises the following steps: (1) ultrasonic cleaning 5 ~ 10min on the AMOLED glass substrate with acetone, methanol and ultrasonic cleaning of 5 ~ 10min, again with isopropanol ultrasonic cleaning 5 ~ 10min, and finally rinsed repeatedly with deionized water, drying after AMOLED glass substrate placed on a substrate table; (2) with a purity of not less than 99.99% of the TiO2, ZnO, SnO2 oxide powder as raw material, in accordance with the atomic ratio of Ti:Zn:Sn = 3:2:2, mixing ratio, through milling, drying, molding and sintering; (3) by RF magnetron sputtering, sputtering in AMOLED glass substrate thin film, sputtering the pressure is 4 x 10 x 10 4 ~ 5 4Torr, the negative bias voltage is 600 ~ 700V, the sputtering gas of argon, gas flow is 30sccm ~ 50sccm, the sputtering time of 30 ~ 50min, measured by the sink The deposition rate of silicon film under the current parameters is calculated by the thickness of the deposited film.

【技术实现步骤摘要】
一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法
本专利技术涉及
，具体涉及一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜。
技术介绍
当下电子产品更新换代迅速，对显示技术提出了更高的要求。透明显示、大尺寸、柔性显示是技术发展的必然趋势。作为平面显示驱动电路的控制单元，性能优异的薄膜场效应晶体管(TFT)对于显示技术的发展进步具有重要意义。工业上最早被用作薄膜晶体管沟道层的是非晶硅和多晶硅材料。非晶硅可以在较低的温度条件下大面积沉积，衬底的选择范围很宽；其制备工艺与集成电路工艺相似，技术成熟且有技术优势；但是非晶硅具有光照条件下性能不稳定、载流子迁移率低等缺点。多晶硅虽然具有很高的载流子迁移率(30-100cm2/Vs)，但是，由于晶粒尺寸不均匀造成其电学性能的不均一，进而影响显示效果。同时，晶界存在导致的性能衰退，限制了其在柔性显示领域的应用。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜。本专利技术提供如下技术方案：一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10mi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将AMOLED玻璃基板置于衬底台上；(2)以纯度不低于99.99％的TiO2、ZnO、SnO2氧化物粉末为原料，按照原子比Ti：Zn：Sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结；(3)利用射频磁控溅射方法，在AMOLED玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30scc...

【技术特征摘要】
1.一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将AMOLED玻璃基板置于衬底台上；(2)以纯度不低于99.99％的TiO2、ZnO、SnO2氧化物粉末为原料，按照原子比Ti：Zn：Sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结；(3)利用射频磁控溅射方法，在AMOLED玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10-4～5×10-4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50scc...

【专利技术属性】
技术研发人员：白航空，
申请(专利权)人：合肥市惠科精密模具有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34