一种光缆及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种光缆及其制备方法，光缆上由内向外依次沉积MgO保护薄膜和BCN保护薄膜，得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆，MgO保护薄膜的厚度100nm～200nm，BCN保护薄膜的厚度200nm～400nm；所述BCN保护薄膜的B、C、N摩尔浓度比为1～3：2～5：10～20；其制备方法：光缆擦拭干净后，氮气吹干；在光缆上沉积制备MgO保护薄膜，在MgO保护薄膜的基础上沉积BCN保护薄膜；得到BCN/MgO双层保护薄膜；本发明专利技术利用可精确控制的低温沉积的溅射技术，在光缆表面沉积出高质量的BCN/MgO保护薄膜，BCN/MgO薄膜具有耐酸碱，抗腐蚀，很大程度减轻光缆保护套的重量。

Optical fiber cable and its preparation method

The present invention relates to an optical fiber and a preparation method thereof, from the inside to the outside are deposited MgO and BCN protective film protective film, with cable BCN/MgO double protective film, MgO protection film thickness 100nm ~ 200nm, BCN protective film thickness 200nm ~ 400nm; the BCN protection film B, C, N the molar concentration ratio of 1 ~ 3:2 ~ 5:10 ~ 20; the preparation method is that the cable is wiped clean after drying with nitrogen; preparation of MgO protective film in cable deposition, deposition of BCN protective film protective film based on MgO; BCN/MgO double protective film; the invention uses sputtering deposition technology at low temperature can be accurately controlled. The BCN/MgO protective film of high quality in the deposition of BCN/MgO thin films with fiber surface, acid and alkali resistance, corrosion resistance, greatly reduce the weight of the cable protective sleeve.

【技术实现步骤摘要】
一种光缆及其制备方法
本专利技术属于薄膜材料沉积制备领域，特别涉及一种光缆及其制备方法。
技术介绍
B、C、N三种元素可形成很多种共价键材料，包括单质和化合物。如金刚石、类金刚石碳膜(DLC)、立方氮化硼(c-BN)、碳氮材料(CxN)以及碳化硼(B4C)等，这些物质均有优异的物理和化学特性，一直是近几年材料学研究的热点。基于对BCN系单质和二元材料的广泛研究，新型的BCN三元材料引起了人们广泛关注。鉴于石墨和氮化硼具有的以上特点，人们尝试着合成一种新的三元化合物BCN，希望这种材料能够具有介于C和BN之间可调的性能，综合二者的优点。希望其导电性介于石墨与h-BN之间，为半导体或半金属，通过改变薄膜的组分，该化合物的禁带宽度具有可调性；希望其夹杂性质介于石墨和h-BN之间可调；希望其机械性能介于金刚石和c-BN之间，既具有金刚石的高硬度、高耐磨性，又具有c-BN的优异的高温性能及良好的化学惰性，而且可以降低薄膜的内应力。由此可见，无论作为功能涂层还是硬质涂层，BCN材料对研究者都具有很大的吸引力。于是BCN材料作为一种具有可调的综合优良性能的新型材料成为材料学的研究热点，并被寄希望应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光缆，其特征在于，所述光缆上由内向外依次沉积MgO保护薄膜和BCN保护薄膜，得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆，MgO保护薄膜的厚度100nm～200nm，BCN保护薄膜的厚度200nm～400nm。

【技术特征摘要】
1.一种光缆，其特征在于，所述光缆上由内向外依次沉积MgO保护薄膜和BCN保护薄膜，得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆，MgO保护薄膜的厚度100nm～200nm，BCN保护薄膜的厚度200nm～400nm。2.根据权利要求1所述一种光缆，其特征在于，所述BCN保护薄膜的B、C、N摩尔浓度比为1～3：2～5：10～20。3.一种光缆的制备方法，其特征在于，该方法包括如下的步骤：1)将光缆擦拭干净后，氮气吹干；2)在光缆表面沉积制备BCN/MgO双层保护薄膜：取步骤1)中的光缆表面沉积制备MgO保护薄膜，在MgO护薄膜材料的基础上继续沉积制备BCN保护薄膜，最终得到具有BCN/MgO双层保护薄膜的光缆。4.根据权利要求3所述一种光缆的制备方法，其特征在于，所述制备MgO保护薄膜，采用磁控溅射设备在光缆表面沉积制备MgO保护薄膜，其反应条件和实验参数为：以高纯度MgO作为溅射靶材，通入高纯度氧气，抽真空到10-3pa～10-4pa之间，氧气流量为80～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵琰，张东，李昱材，宋世巍，王健，毛红艳，于源，杜士鹏，郑俊哲，柯昀杰，王帅杰，
申请(专利权)人：沈阳工程学院，
类型：发明
国别省市：辽宁,21