深黑色金属薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种深黑色金属薄膜及其制备方法和应用。该深黑色金属薄膜的制备方法具体包括以下步骤：沉积金属碳化物过渡层：通入乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属打底层上进行磁控溅射沉积；沉积金属碳氧化合物颜色层:通入氧气、乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属碳化物过渡层进行磁控溅射沉积。该制备方法能够稳定地制备深黑色金属薄膜。

Deep black metal film and its preparation method and Application

The present invention relates to a deep black metal film and its preparation method and application. The deep black metal film preparation method comprises the following steps of: depositing a metal carbide transition layer: with acetylene and / or methane and argon, using the target in the metal layer is deposited by magnetron sputtering deposition; metal oxides of carbon layer color: oxygen, acetylene and methane and / or the use of argon, the target of magnetron sputtering deposition on the metal carbide transition layer. The preparation method can be used to prepare deep black metal film stably.

【技术实现步骤摘要】
深黑色金属薄膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及薄膜材料
，特别是涉及深黑色金属薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
电子设备、高端装饰等产品因外观及性能需求，会在产品表面进行镀膜处理。其中，采用物理气相沉积(PVD)的真空磁控溅射镀膜较以往化学镀、阳极氧化、粉末涂装等工艺，有着污染小、结晶细致、平滑光亮、内应力较小等明显优势。随着镀膜技术的发展，人们对镀膜要求越来越高。而传统PVD黑色镀膜技术中，主要包括离子清洗、纯金属打底，镀颜色控制层等工序，其主要技术缺陷在于：(1)黑色镀膜的颜色较浅，不能满足产品性能或外观的要求。(2)在PVD溅射沉积过程中，金属靶与反应气体作用，在靶表面覆盖上一层绝缘层，即为靶中毒，导致靶面正电荷累积，进而发生击穿形成弧光放电。弧光放电严重影响溅射过程的稳定性，并造成靶材大颗粒刻蚀形成低能量的液滴粒子沉积在薄膜中，造成薄膜结构缺陷。靶表面覆盖的绝缘层存在导致PVD溅射速率较低，并造成溅射过程的滞回现象，致使制备过程的重复稳定性较差。若要制备颜色更深的黑色薄膜，就需要增加金属碳化物中的碳含量，则反应气体中的碳源含量需要更多，靶中毒现象更严重，制备过程难以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在于，在真空条件及温度范围为50℃～300℃的条件下，使用铬靶、钛靶或钨靶的靶材进行磁控溅射，具体包括以下步骤：使用所述靶材轰击处理基材；沉积金属打底层：使用所述靶材在所述基材上进行磁控溅射沉积；沉积金属碳化物过渡层：通入乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属打底层上进行磁控溅射沉积，其中，乙炔和/或甲烷的流量：100sccm～1000sccm，氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：30min～90min，偏压：‑50V～‑400V；沉积金属碳氧化合物颜色层：通入氧气、乙炔和/...

【技术特征摘要】
1.一种深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在于，在真空条件及温度范围为50℃～300℃的条件下，使用铬靶、钛靶或钨靶的靶材进行磁控溅射，具体包括以下步骤：使用所述靶材轰击处理基材；沉积金属打底层：使用所述靶材在所述基材上进行磁控溅射沉积；沉积金属碳化物过渡层：通入乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属打底层上进行磁控溅射沉积，其中，乙炔和/或甲烷的流量：100sccm～1000sccm，氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：30min～90min，偏压：-50V～-400V；沉积金属碳氧化合物颜色层：通入氧气、乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属碳化物过渡层进行磁控溅射沉积，其中，氧气的流量：10sccm～200sccm，乙炔和/或甲烷的流量：100sccm～1000sccm，氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：1min～15min，偏压：-30V～-200V。2.根据权利要求1所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述使用铬靶、钛靶或钨靶的靶材进行磁控溅射前还包括清洗处理基材的步骤。3.根据权利要求1所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述使用靶材轰击处理基材时需通入氩气，其工艺条件如下：氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0....

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏飞，
申请(专利权)人：维达力实业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44