一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝

Preparation method of In2S3 film with excellent photosensitive property

The invention discloses a preparation method of excellent photosensitive properties of In2S3 thin films, which comprises the following steps: S1: substrate pretreatment: the substrate after cleaning and drying, a magnetron sputtering chamber, standby; S2: In2S3: pre sputtering target material installed in a magnetron sputtering target instrument, indium sulfide the atomic ratio of 2:3, the vacuum magnetron sputtering chamber after the argon gas, the substrate temperature is at room temperature, the baffle cover substrate, start pre sputtering to remove contaminants on the surface of the target In2S3; S3: In2S3 films deposited by the steps of: after S2 treatment, remove the bezel, set the sputtering power is 4 ~ 5W/ cm

【技术实现步骤摘要】
一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法
本专利技术属于功能薄膜材料的制备
，具体涉及一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法。
技术介绍
半导体光探测器是一种用来接收和探测光辐射的半导体光电器件，其在军事和国民经济的各个领域均有广泛应用。在紫外光探测领域，可以用来监控臭氧层的厚度、污染物的排放量、探测并报警森林和油田的火灾等；可见光探测领域，可用来进行光度计量和制作工业自动控制元件，如路灯控制、照相曝光控制和电影拾音等；红外光探测领域，可用作导弹制导、红外热成像和红外遥感等。光电探测器的核心部件为半导体材料，为适应对其性能越来越高的需求，对这些半导体材料也提出了更高的要求：即高光响应性、快响应速率和良好波长选择性。目前研究比较广泛光敏材料有ZnO、CdS等，其中ZnO纳米线结构的光导型探测器具有较大的光暗电流比，但是制备工艺复杂，纳米结构的电极焊接技术困难，并且光响应时间过长难以实际应用；CdS在光敏电阻器件领域研究比较充分且以用于实际生产，但是Cd元素毒性较大，严重限制了其大规模生产及使用。In2S3属于Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料，化学性质稳定且组成元素无毒，在稀磁半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，设置溅射气压为2～3Pa，开启电源起辉，待辉光稳定后，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝

【技术特征摘要】
1.一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，设置溅射气压为2～3Pa，开启电源起辉，待辉光稳定后，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In2S3薄膜。2.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，清洗采用的具体方法为：将基片依次放入重铬酸钾溶液、丙酮、去离子水、酒精中，分别超声清洗10～20min。3.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，预溅射条件为：溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2P...

【专利技术属性】
技术研发人员：余洲，郭涛，闫勇，赵勇，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：四川,51