IBC电池结构制造技术

本实用新型专利技术提出一种IBC电池结构，其包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，基体为N型黑硅基体；PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且背面钝化层为SiNx膜；正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。由于采用了N型黑硅基体，其电池表面几乎无反射，在较宽的光谱范围内具有优异的吸光性能，可以明显提高光电转换效率，在电池背面采用SiNx膜作为背面钝化层，简化了电池结构和制作工艺步骤，显著地降低了生产成本。

IBC battery structure

The utility model provides a IBC cell structure, which comprises an upper surface antireflection layer, surface passivation layer, on the surface of the n+ diffusion layer, diffusion layer and the back substrate, PN junction passivation layer and a positive electrode and a negative electrode, the matrix type N black silicon PN junction diffusion layer arranged on the substrate; N type black silicon substrate surface, including the comb parallel staggered n+ diffusion region and p+ diffusion region; surface passivation layer in n+ back diffusion region and p+ diffusion region, and the backside passivation layer is SiNx film; a positive electrode and a negative electrode into the lower surface of comb parallel distributed in the back of the passivation layer, the positive electrode and p+ diffusion region connect the negative electrode and n+ diffusion regions are connected. Because of the use of N type of black silicon substrate, the surface of the battery is almost no reflection, absorption performance is excellent in the wide spectral range, can significantly improve the photoelectric conversion efficiency, at the back of the battery using SiNx film as a back passivation layer, simplifies the battery structure and manufacturing process steps, greatly reduces the cost of production.

【技术实现步骤摘要】
IBC电池结构
本技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种IBC电池结构。
技术介绍
随着全球经济的快速发展，煤炭、石油等不可再生能源供应日趋紧张，开发使用新能源已成当务之急。而无需置疑的是光伏发电具有显著的能源、环保和经济效益，是最优质的绿色能源之一。国内光伏市场更是随着一系列政策的出台，尤其是“领跑者”计划的鼓励，产业发展势头良好、技术进步迅猛，高效电池的优势得到充分的发挥。就当下情况来看，光伏组件的转化效率直接决定了单位装机容量的占地面积以及系统成本(支架、汇流箱、电缆等)。与常规的组件相比，“领跑者”先进技术的高效电池生产出的组件在几乎不增加成本的情况下实现了单位面积装机容量5％～8％的提升，对促进光伏发电成本的下降有明显影响。目前业内有量产的高效电池结构主要有：HIT电池(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer)、IBC电池(Interdigitatedbackcontactsolarcell)、PERC电池(Passivatedemitterrearcontactsolarcells)和N型硅双面电池，其中IBC电池因其正、负电极均设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IBC电池结构，包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，其特征在于，所述基体为N型黑硅基体；所述PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；所述背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且所述背面钝化层为SiNx膜；所述正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。

【技术特征摘要】
1.一种IBC电池结构，包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，其特征在于，所述基体为N型黑硅基体；所述PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；所述背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且所述背面钝化层为SiNx膜；所述正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。2.根据权利要求1所述的IBC电池结构，其特征在于，所述上表面钝化层为SiNx膜，厚度为79-90μm。3.根据权利要求2所述的IBC电池结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：许永曼，鄢进波，倪夜光，
申请(专利权)人：上海山晟太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31