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本实用新型提出一种IBC电池结构，其包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，基体为N型黑硅基体；PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区...
该专利属于上海山晟太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海山晟太阳能科技有限公司授权不得商用。

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