The present invention relates to solar cells. The solar cell includes a substrate of a first conductivity type in the substrate; a second conductive type on the surface of the emitter layer, the second conductive type with the first conductivity type opposite; the first electrode is electrically connected to the emitter layer; a first protective layer, wherein the first electrode is arranged no emission surface layer located on the back surface field; another layer located at the surface of the substrate; a second electrode electrically connected to the back surface field layer; and the second protection layer located in the substrate is not arranged on the back surface of the second electrode. Each of the first protective layer and the second protective layer is formed by a fixed charge material with the first conductive type.
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池本申请是原案申请号为201110282976.9的专利技术专利申请(申请日:2011年9月22日,专利技术名称:太阳能电池)的分案申请。
本专利技术涉及太阳能电池。
技术介绍
本申请要求2011年1月19日在韩国专利局提交的韩国专利申请No.10-2011-0005429的优先权和利益,其全部内容以引用的方式并入本文。作为获得环保型能量的方法,使用光电转换效应将光能转换为电能的太阳能发电技术已经得到广泛使用。由于太阳能电池的光电转换效率的提高,使用多个太阳能电池板的太阳能发电系统已经安装在诸如房屋之类的多个地方。太阳能电池一般包括基板和与基板一起形成了p-n结的发射极层,由此从通过基板的一个表面而入射在太阳能电池上的光产生电流。此外,防反射层形成在基板的光接收表面上,以降低入射在基板上的光的反射率并增加预定波长带的光透射率。因此,太阳能电池的光电转换效率提高。因为光一般仅通过基板的一个表面入射在太阳能电池上,所以太阳能电池的电流转换效率较低。因此,近来已经开发了双侧光接收太阳能电池,在双侧光接收太阳能电池中光通过基板的两个表面入射在太阳能电池上。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种高效率的太阳能电池。在一个方面中,一种太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层,所述第二导电类型与所述第一导电类型相反;第一电极,所述第一电极电连接到所述发射极层;第一保护层,所述第一保护层位于所述发射极层的没有布置所述第一电极的正表面上;背表面场层,所述背表面场层位于所述基板的另一表面处;第二电极,所述第二电极电连接到所 ...
【技术保护点】
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:基板,所述基板具有n型导电类型;发射极层,所述发射极层位于所述基板的一个表面,所述发射极层具有p型导电类型;氧化硅层,所述氧化硅层位于所述发射极层的前表面上并且具有第一厚度;第一保护层,所述第一保护层位于所述氧化硅层的前表面上并且具有比所述氧化硅层的第一厚度大的第二厚度,所述第一保护层由具有负固定电荷的氧化铝或氧化钇形成;第一防反射层,所述第一防反射层位于所述第一保护层上并且具有比所述第一保护层的第二厚度大的第三厚度,所述第一防反射层由具有正固定电荷的氮化硅形成;多个第一电极,所述多个第一电极穿过所述第一防反射层、所述第一保护层和所述氧化硅层电连接到所述发射极层,所述多个第一电极在其间以第一间隙沿着第一方向延伸;多个背表面场层,所述多个背表面场层位于所述基板的另一表面,并且在其间以第二间隙沿着第一方向延伸;第二保护层,所述第二保护层位于所述基板的背表面上,所述第二保护层由与所述第一保护层相同的材料形成;以及多个第二电极,所述多个第二电极穿过所述第二保护层电连接到所述背表面场层,所述多个第二电极以第三间隙沿着第一方向延伸。
【技术特征摘要】
2011.01.19 KR 10-2011-00054291.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:基板,所述基板具有n型导电类型;发射极层,所述发射极层位于所述基板的一个表面,所述发射极层具有p型导电类型;氧化硅层,所述氧化硅层位于所述发射极层的前表面上并且具有第一厚度;第一保护层,所述第一保护层位于所述氧化硅层的前表面上并且具有比所述氧化硅层的第一厚度大的第二厚度,所述第一保护层由具有负固定电荷的氧化铝或氧化钇形成;第一防反射层,所述第一防反射层位于所述第一保护层上并且具有比所述第一保护层的第二厚度大的第三厚度,所述第一防反射层由具有正固定电荷的氮化硅形成;多个第一电极,所述多个第一电极穿过所述第一防反射层、所述第一保护层和所述氧化硅层电连接到所述发射极层,所述多个第一电极在其间以第一间隙沿着第一方向延伸;多个背表面场层,所述多个背表面场层位于所述基板的另一表面,并且在其间以第二间隙沿着第一方向延伸;第二保护层,所述第二保护层位于所述基板的背表面上,所述第二保护层由与所述第一保护层相同的材料形成;以及多个第二电极,所述多个第二电极穿过所述第二保护层电连接到所述背表面场层,所述多个第二电极以第三间隙沿着第一方向延伸。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一保护层和所述第二保护层每一个均具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池,所述多个背表面场层形成在所述基板的与所述多个第二电极相同的位置处。4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述多个背表面场层的背表面场层的宽度等于或小于所述多个第二电极的第二电极的宽度。5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述多个背表面场层的背表面场层的宽度大于所述多个第二电极的第二电极的宽度。6.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴昶绪,秦胤实,崔荣嫮,
申请(专利权)人:LG电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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